1.一种金属氧化物空心纳米管阵列材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的金属氧化物空心纳米管阵列材料的制备方法，其特征在于，在s1中，所述柱状胶束晶种的制备方法包括以下步骤：将嵌段共聚物溶于溶剂c中，在室温下静置老化得到长柱状胶束；将长柱状胶束置于冰水浴中，超声处理使长柱状胶束断裂、静置老化，得到长度为50nm-60nm的柱状胶束晶种。
3.根据权利要求1所述的金属氧化物空心纳米管阵列材料的制备方法，其特征在于，在s1中，所述负载有柱状胶束晶种的基材的制备方法包括以下步骤：将柱状胶束晶种溶液滴涂于基材上，经老化、淋洗和干燥，得到负载有柱状胶束晶种的基材。
4.根据权利要求1所述的金属氧化物空心纳米管阵列材料的制备方法，其特征在于，在s1中，所述基材选自二氧化硅、金属、玻璃、陶瓷管、泡沫镍、塑料或碳纳米管。
5.根据权利要求1所述的金属氧化物空心纳米管阵列材料的制备方法，其特征在于，在s1中，所述嵌段共聚物溶液的浓度为1mg/ml-20mg/ml；嵌段共聚物选自pfs24-b-p2vp314、pfs27-b-p2vp356和pfs44-b-p2vp526中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的金属氧化物空心纳米管阵列材料的制备方法，其特征在于，在s2中，所述金属盐溶液的浓度为1mmol/l-2mmol/l；金属盐选自偏钨酸铵、硅钨酸、硅酸四乙酯或乙氧基钽。
7.根据权利要求1所述的金属氧化物空心纳米管阵列材料的制备方法，其特征在于，在s3中，所述煅烧的温度为450℃-550℃，时间为2h-4h。
8.根据权利要求1所述的金属氧化物空心纳米管阵列材料的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物空心纳米管阵列材料的制备方法还包括：将金属杂原子通过预掺杂的方式引入到金属盐溶液中从而获得掺杂型金属氧化物空心纳米管阵列材料。
9.一种权利要求1-8任一项所述的方法制备的金属氧化物空心纳米管阵列材料。
10.一种权利要求9所述的金属氧化物空心纳米管阵列材料在气体传感中的应用。