1.一种多参数晶体炉动态的控制方法，其特征在于，用于动态控制多参数晶体炉运行，多参数晶体炉至少包括：
2.根据权利要求1所述的多参数晶体炉动态的控制方法，其特征在于，所述获取每个加热区内的若干个第一监测点位的第一实时温度，得到目标加热区，具体包括以下步骤：
3.根据权利要求1所述的多参数晶体炉动态的控制方法，其特征在于，所述多参数晶体炉还包括设于所述反应腔室内远离所述驱动组件侧的提拉组件，所述提拉组件包括提拉电机以及连接于所述提拉电机的输出轴上的提拉杆，所述提拉杆沿着所述炉体的轴向延伸，所述提拉杆靠近所述坩埚的端部设有籽晶；
4.根据权利要求1所述的多参数晶体炉动态的控制方法，其特征在于，将所述喷头沿所述炉体的径向的中轴线作为第一转动轴；所述根据所述安装区相对于所述目标加热区的方向与距离，计算各所述喷头的目标旋转角度，至少包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的多参数晶体炉动态的控制方法，其特征在于，所述根据所述安装区相对于所述目标加热区的方向与距离，计算各所述喷头的目标旋转角度，还包括以下步骤：
6.根据权利要求4所述的多参数晶体炉动态的控制方法，其特征在于，将所述喷头沿所述炉体的轴向的中轴线作为第二转动轴；所述根据所述安装区相对于所述目标加热区的方向与距离，计算各所述喷头的目标旋转角度，还包括以下步骤：
7.根据权利要求3所述的多参数晶体炉动态的控制方法，其特征在于，所述根据所述熔体深度以及所述最高位置，得到待生长晶体的预设生长高度之后，还包括以下步骤：
8.一种多参数晶体炉动态的控制系统，用于实现如权利要求1-7任一项所述的多参数晶体炉动态的控制方法，其特征在于，包括：
9.一种终端设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述的多参数晶体炉动态的控制方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-7任一项所述的多参数晶体炉动态的控制方法的步骤。