1.一种高热导率氮化硅基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤s1中，在混合之前对硅粉进行表面处理，包括：将硅粉与超纯水按照质量比1:(4-6)混合搅拌，按照每100g硅粉对应6-10ml氢氟酸来加入氢氟酸，在30-50℃下反应4-8h，依次经过滤、洗涤与干燥，得到表面处理后的硅粉。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述烧结助剂包括氧化镁、氧化钇和氧化钛，且硅粉、氧化镁、氧化钇和氧化钛的质量比为1:(0.05-0.2):(0.03-0.1):(0.01-0.1)。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述硅粉的粒径为400-600nm，所述烧结助剂的粒径为150-200nm。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述溶剂包括乙醇、正丁醇、丙酮或丁酮中的任意一种或多种以任意比例混合的混合物；所述溶剂的用量为硅粉与烧结助剂总质量的50-80wt％；
6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤s2中，所述流延成型的流延带速度为0.4-4.0m/min，所述流延成型得到的薄板生胚的厚度为0.4-0.6mm。
7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤s2中，所述排胶在氮气气氛下进行，先以3-8℃/min的速度升温至680-750℃，保温5-10h，然后自然冷却至室温。
8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤s3中，所述氮气和氨气的混合反应气氛中，氮气与氨气的体积比为1:(0.1-1)，且气体压力保持在5-10mpa。
9.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤s3中，所述气压烧结包括：先以10-15℃/min的速度升温至750-850℃，保温1-3h；然后以8-12℃/min的速度升温至1000-1500℃，保温8-12h；最后以2-5℃/min的速度升温至1800-1900℃，保温8-12h；自然冷却至室温。
10.一种高热导率氮化硅基板，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述制备方法制备得到。