技术特征：
1.一种传递成型用固化性有机硅组合物，其中，室温至200℃的成型温度下的通过mdr即动模流变仪测定的、(1)最大扭矩值小于50dn
·
m，(2)达到最大扭矩值时，以储存扭矩值/损失扭矩值之比表示的损耗角正切tanδ的值小于0.2。2.根据权利要求1所述的传递成型用固化性有机硅组合物，其中，含有：(a)固化反应性的聚有机硅氧烷、(b)功能性填料、和(c)固化剂，(a)成分的50质量％以上为(a1)，所述(a1)为分子内具有至少一个包含碳
‑
碳双键的固化反应性官能团，并且含有全部硅氧烷单元的至少20摩尔％以上的选自由rsio
3/2
表示的硅氧烷单元和由sio
4/2
表示的硅氧烷单元中的硅氧烷单元的聚有机硅氧烷，rsio
3/2
中，r为一价有机基团，(b)成分的含量为组合物整体的40体积％以下。3.根据权利要求1或2所述的传递成型用固化性有机硅组合物，其中，作为组合物整体，具有热熔性。4.根据权利要求2或3所述的传递成型用固化性有机硅组合物，其中，(a)成分为(a1
‑
1)，所述(a1
‑
1)为具有氢化硅烷化反应性基团和/或自由基反应性基团的热熔性聚有机硅氧烷微粒。5.根据权利要求2或3所述的传递成型用固化性有机硅组合物，其中，(a)成分为由(a1)树脂状聚有机硅氧烷、(a2)将至少一种聚有机硅氧烷部分交联而成的聚有机硅氧烷交联物、(a3)由树脂状有机硅氧烷嵌段和链状有机硅氧烷嵌段构成的嵌段共聚物、或它们的至少两种的混合物构成的聚有机硅氧烷微粒。6.根据权利要求2～5中任一项所述的传递成型用固化性有机硅组合物，其中，(a)成分为含有由r
a
sio
3/2
表示的硅氧烷单元的聚有机硅氧烷微粒，r
a
sio
3/2
中，r
a
为碳原子数6～20的芳基。7.根据权利要求2所述的传递成型用固化性有机硅组合物，其中，(b)成分为选自增强性填料、白色颜料、导热性填料、导电性填料或有机填料中的一种以上。8.根据权利要求1～7中任一项所述的传递成型用固化性有机硅组合物，其中，所述传递成型用固化性有机硅组合物为颗粒状。9.一种固化物，其是使权利要求1～8中任一项所述的传递成型用固化性有机硅组合物固化而成的。10.一种固化物作为半导体装置用构件的使用，所述固化物为权利要求9所述的固化物。11.一种半导体装置，其具有权利要求9所述的固化物。12.根据权利要求11的半导体装置，其选自功率半导体装置、光半导体装置以及安装于柔性电路基板上的半导体装置中。13.一种权利要求1～8中任一项所述的传递成型用固化性有机硅组合物的制造方法，其特征在于，
通过仅将构成固化性有机硅组合物的各成分在不超过50℃的温度条件下混合来进行粒状化。14.一种固化物的成型方法，其至少包括下述工序(i)～(iii)：工序(i)，将权利要求1～8中任一项所述的传递成型用固化性有机硅组合物加热至50℃以上来进行熔融；工序(ii)，将在所述工序(i)中得到的液态的固化性有机硅组合物注入模具、或者通过合模使在所述工序(i)中得到的固化性有机硅组合物遍布模具；以及工序(iii)，对所述工序(ii)中注入的固化性有机硅组合物进行固化。15.根据权利要求14的固化物的成型方法，其中，包括：覆盖工序，通过使权利要求1～8中任一项所述的传递成型用固化性有机硅组合物固化而成的固化物，一次进行半导体元件的二次成型和底部填充。16.根据权利要求14的固化物的成型方法，其中，包括：覆盖工序，通过使权利要求1～8中任一项所述的传递成型用固化性有机硅组合物固化而成的固化物，覆盖单独搭载有半导体元件或搭载有多个半导体元件的半导体晶片基板的表面，并且以半导体元件的间隙被所述固化物填充的方式进行二次成型。
技术总结
本发明提供一种固化性有机硅组合物及其用途，固化性有机硅组合物在传递成型时，成型的固化物即使在高温下也低模量且柔软，应力缓和特性优异，因此特别是在与基材一体成型时，不易产生成型物的翘曲、缺陷，并且传递成型后的该固化物的脱模性(脱模)优异。一种传递成型用固化性有机硅组合物及其用途，就传递成型用固化性有机硅组合物而言，室温至200℃的成型温度下的通过MDR(Moving Die Rheometer)测定的、(1)最大扭矩值小于50dN
技术研发人员：山崎亮介
受保护的技术使用者：陶氏东丽株式会社
技术研发日：2019.12.27
技术公布日：2021/9/13