具有高介电性能的聚(亚芳基硫醚)组合物的制作方法

文档序号:26705943发布日期:2021-09-22 00:28阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种组合物[组合物(C)],其包含:

-聚(亚芳基硫醚)聚合物;

-至少一种扁平玻璃纤维;

-氮化硼和滑石中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的组合物(C),其中,所述聚(亚芳基硫醚)聚合物是聚(亚苯基硫醚)。

3.根据权利要求1或2所述的组合物(C),其包含以下浓度的所述聚(亚芳基硫醚)聚合物:相对于该组合物(C)的总重量至少30wt.%、优选地至少35wt.%、更优选地至少40wt.%和/或至多80wt.%、优选地至多70wt.%、更优选地至多65wt.%。

4.根据前述权利要求中任一项所述的组合物(C),其中,所述至少一种扁平玻璃纤维是扁平E-玻璃纤维。

5.根据权利要求4所述的组合物,其中,所述扁平E-玻璃纤维具有在2.4GHz下的范围从6.0至7.0、优选地约6.5的介电常数(Dk),和/或所述扁平E-玻璃纤维具有在2.4GHz下的范围从0.003至0.004的耗散因子(Df)。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的组合物(C),其中,所述至少一种扁平玻璃纤维是扁平D-玻璃纤维。

7.根据权利要求6所述的组合物,其中,所述扁平D-玻璃纤维具有在2.4GHz下的范围从4.0至5.0、优选地约4.5的介电常数(Dk),和/或所述扁平D-玻璃纤维具有在2.4GHz下的不大于0.003、优选地约0.001的耗散因子(Df)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的组合物(C),其包含以下浓度的所述至少一种扁平玻璃纤维:相对于该组合物(C)的总重量至少10wt.%、优选地至少20wt.%、更优选地至少25wt.%、甚至更优选地至少30wt.%和/或至多50wt.%、优选地至多45wt.%、更优选地至多40wt.%。

9.根据前述权利要求中任一项所述的组合物(C),氮化硼具有至少0.05μm、优选地至少0.1μm、更优选地至少0.2μm、甚至更优选地至少1μm和/或至多30μm、优选地至多20μm、更优选地至多18μm、甚至更优选地至多10μm的中值颗粒尺寸。

10.根据前述权利要求中任一项所述的组合物(C),滑石具有至少0.05μm、优选地至少0.1μm、更优选地至少0.2μm、甚至更优选地至少1μm和/或至多30μm、优选地至多20μm、更优选地至多18μm、甚至更优选地至多10μm的中值颗粒尺寸。

11.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其包含以下浓度的氮化硼和/或滑石:相对于该组合物(C)的总重量至少5wt.%、优选地至少7wt.%、更优选地至少10wt.%和/或至多30wt.%、优选地至多20wt.%、更优选地至多15wt.%。

12.根据前述权利要求中任一项所述的组合物(C),所述组合物基本上由以下各项组成:

-聚(亚芳基硫醚)聚合物;

-至少一种扁平玻璃纤维;

-氮化硼和滑石中的至少一种。

13.一种包含根据前述权利要求中任一项所述的组合物(C)的5G基站部件。

14.根据权利要求13所述的5G基站部件,所述部件是天线外壳。

15.根据权利要求13所述的5G基站部件,所述部件选自散热器、振荡器和电介质。


技术总结
本发明涉及一种包含聚(亚芳基硫醚)聚合物、至少一种扁平玻璃纤维、以及氮化硼和滑石中的至少一种的组合物(C),和一种掺有所述组合物(C)的5G基站部件。

技术研发人员:P·卡洛佐;V·戈帕拉克里斯南;R·L·戴维斯;
受保护的技术使用者:索尔维特殊聚合物美国有限责任公司;
技术研发日:2020.02.25
技术公布日:2021.09.21
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