技术特征：
1.一种式(i)的化合物，其中每一r1独立地选自氢、c
1-c4烷基或选自cl、br和i的卤素原子。2.根据权利要求1所述的化合物，其中每一r1是h。3.根据权利要求1所述的化合物，其中每一r1是甲基。4.根据权利要求1所述的化合物，其中每一r1是乙基。5.根据权利要求1所述的化合物，其中每一r1是选自cl、br和i的卤素原子。6.一种制备式(i)化合物的方法，其中每一r1独立地选自氢、c
1-c4烷基或选自cl、br和i的卤素原子，所述方法包含以下步骤：a.使下式的化合物与式m-r3的化合物接触，其中m是锂或钾且r3是任选地含有氮原子的c
1-c6烷基，以提供式(ii)化合物：其中每一r1独立地选自氢、c
1-c4烷基或选自cl、br和i的卤原子，并且其中r2选自锂或钾；随后b.使所述式(ii)化合物与下式的化合物反应
其中x是卤素。7.根据权利要求6所述的方法，其中每一r1是甲基。8.根据权利要求6所述的方法，其中所述式m-r3的化合物选自正丁基锂、甲基锂、叔丁基锂、二异丙基氨基锂、甲基钾和正丁基钾。9.根据权利要求6所述的方法，其中每一r1是甲基，x是氯，且m是锂。10.一种式(ii)化合物，其中每一r1独立地选自氢、c
1-c4烷基或选自cl、br和i的卤素原子，并且其中r2选自锂或钾。11.根据权利要求10所述的化合物，其中每一r1是甲基且r2是锂。12.根据权利要求10所述的化合物，其中每一r1是甲基且r2是钾。13.根据权利要求10所述的化合物，其中每一r2是乙基。14.一种在微电子装置的表面上沉积含硅膜的方法，其包含在气相沉积条件下将至少一种式(i)化合物引导到反应腔室中的所述表面，其中每一r1独立地选自氢、c
1-c4烷基或选自cl、br和i的卤素原子。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述含硅膜是二氧化硅。16.根据权利要求14所述的方法，其中所述含硅膜是氮化硅。17.根据权利要求10所述的方法，其中所述气相沉积条件选自化学气相沉积(cvd)、原子层沉积(ald)、等离子体增强的ald(peald)、等离子体增强的循环化学气相沉积(peccvd)、可流动化学气相沉积(fcvd)、等离子体增强的类似ald的工艺或利用含氧反应物、含氮反应物或其组合的ald工艺。18.根据权利要求15所述的方法，其中所述气相沉积条件包含约150℃到约650℃的温度和包含以下步骤的脉冲序列：(v)注入式(i)的前驱物达0.1到30秒，随后(vi)使用惰性气体吹扫1到30秒，随后
(vii)以50到500sccm的流速注入臭氧达约0.1到30秒，随后(viii)使用惰性气体吹扫1到30秒，和重复步骤(i)到(iv)，直到获得所需厚度的膜为止。19.根据权利要求18所述的方法，其中所述式(i)化合物是双(二甲基硅基)二甲基肼。20.根据权利要求18所述的方法，其中所述温度为约500℃到550℃。
技术总结
本文提供可用于沉积含硅膜的某些液体硅前驱物，所述含硅膜是例如包含硅、氮化硅、氧氮化硅、二氧化硅、碳化硅、碳掺杂的氮化硅或碳掺杂的氧氮化硅的膜。还提供利用气相沉积技术形成所述膜的方法。成所述膜的方法。成所述膜的方法。
技术研发人员：李相禛 金多慧 赵诚实 张西凤 朴哉彦 B
受保护的技术使用者：恩特格里斯公司
技术研发日：2021.03.26
技术公布日：2022/12/16