技术特征：
1.一种聚碳硅氮烷，其包含下式(1)表示的重复单元和下式(2)表示的重复单元：其中，r1、r2、r3和r4各自独立地为单键、氢或c
1-4
烷基；r5独立地为单键或氢；并且n为1至2；其中，1h-nmr谱图中1.7至2.2ppm之间的积分强度相对于1.7至2.2ppm之间的积分强度和1.0至1.6ppm之间的积分强度之和的比为0.05至0.5；其中该聚碳硅氮烷不含si-si键。2.根据权利要求1所述的聚碳硅氮烷，其中，通过凝胶渗透色谱法测定的聚苯乙烯换算的质均分子量为1,500至25,000。3.根据权利要求1或2所述的聚碳硅氮烷，其中，该聚碳硅氮烷是聚全氢碳硅氮烷。4.一种组合物，其包含权利要求1至3中任一项所述的聚碳硅氮烷以及溶剂。5.根据权利要求4所述的组合物，其中，该溶剂是从由芳香族化合物、饱和烃化合物、不饱和烃化合物、醚化合物、酯化合物和酮化合物构成的群组中选出的至少一种。6.根据权利要求4或5所述的组合物，其中，基于该组合物的总质量，该组合物包含1至50质量％的聚碳硅氮烷。7.一种制造含硅膜的方法，包括用权利要求4至6中任一项所述的组合物在基材之上形成涂层并使该涂层固化。8.根据权利要求7所述的制造含硅膜的方法，其中，该固化是在水蒸气气氛下进行的。9.根据权利要求7所述的制造含硅膜的方法，其中，该固化是在非氧化性气氛下进行的。10.一种通过权利要求7至9中任一项所述的方法获得的含硅膜。11.一种制造电子器件的方法，其中该器件包括通过权利要求7至9中任一项所述的方法制造的含硅膜。
技术总结
[课题]提供能够形成耐酸蚀刻的含硅膜的聚碳硅氮烷和包含该聚碳硅氮烷的组合物。[解决方案]本发明提供一种聚碳硅氮烷，其包含-[R1R2Si-(CH2)
技术研发人员：冈村聪也 冈安哲雄 T
受保护的技术使用者：默克专利有限公司
技术研发日：2021.05.04
技术公布日：2023/1/13