一种硅片清洗用添加剂、清洗液及硅片制绒后清洗方法与流程

文档序号:31046032发布日期:2022-08-06 05:25阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种硅片清洗用添加剂,其特征在于:其各组分的质量百分含量为:3%-5%的软水剂、3%-6%的氧化剂、0.01%-0.05%的低泡耐碱渗透剂、1%-3%的缓冲剂,余量为水;其中,所述氧化剂选自于由次氯酸钠、亚氯酸钠、高氯酸钠以及过硼酸钠所组成的群组,所述低泡耐碱渗透剂为磺酸盐类表面活性剂。2.根据权利要求1所述的硅片清洗用添加剂,其特征在于:所述氧化剂包括次氯酸钠和亚氯酸钠,所述次氯酸钠占所述添加剂的质量百分比为2%-3%,所述亚氯酸钠占所述添加剂的质量百分比为1%-3%。3.根据权利要求1所述的硅片清洗用添加剂,其特征在于:所述软水剂选自于由硬脂酸钠和乙二胺四乙酸二钠所组成的群组。4.根据权利要求1所述的硅片清洗用添加剂,其特征在于:所述缓冲剂选自于由硫酸钠、硅酸钠以及乙酸钠所组成的群组。5.一种硅片清洗液,其特征在于:包括碱和双氧水的混合溶液以及如权利要求1-4任一所述的硅片清洗用添加剂,其中所述碱和双氧水的混合溶液和所述硅片清洗用添加剂的质量比为100:0.2-0.5。6.根据权利要求5所述的硅片清洗液,其特征在于:所述碱和双氧水的混合溶液中,含有质量百分比为0.9%-1.5%的双氧水以及质量百分比为0.06%-0.1%的氢氧化钠或氢氧化钾。7.一种硅片制绒后清洗方法,其特征在于:包括以下步骤:s1、将质量百分比为3%-5%的软水剂、3%-6%的氧化剂、0.01%-0.05%的低泡耐碱渗透剂、1%-3%的缓冲剂加入到余量的水中;混合均匀配置成硅片清洗用添加剂;其中,所述氧化剂选自于由次氯酸钠、亚氯酸钠、高氯酸钠以及过硼酸钠所组成的群组,所述低泡耐碱渗透剂为磺酸盐类表面活性剂;s2、将步骤s1中配制好的硅片清洗用添加剂加入到碱和双氧水的混合溶液中,混合均匀配置成硅片清洗液;其中,所述硅片清洗用添加剂与所述碱和双氧水的混合溶液的质量比为0.2-0.5:100;所述碱和双氧水的混合溶液中的碱采用氢氧化钠或氢氧化钾;s3、将硅片放入到步骤s2配置好的所述硅片清洗液中,控制清洗温度为60-70℃,清洗时间为150s-200s;之后,在水中浸泡180s-200s,完成清洗。8.根据权利要求7所述的硅片制绒后清洗方法,其特征在于:所述步骤s1中,所述氧化剂包括次氯酸钠和亚氯酸钠,所述次氯酸钠占所述添加剂的质量百分比为2%-3%,所述亚氯酸钠占所述添加剂的质量百分比为1%-3%。9.根据权利要求7所述的硅片制绒后清洗方法,其特征在于:所述步骤s2中,所述碱和双氧水的混合溶液中含有质量百分比为0.9%-1.5%的双氧水以及质量百分比为0.06%-0.1%的碱。10.根据权利要求7所述的硅片制绒后清洗方法,其特征在于:所述步骤s3中,清洗温度为65-70℃,清洗时间为180s-200s。

技术总结
本发明提供了一种用于硅片制绒后清洗用添加剂、清洗液以及硅片制绒后清洗方法。其中硅片清洗用添加剂中各组分的质量百分含量为:3%-5%的软水剂、3%-6%的氧化剂、0.01%-0.05%的低泡耐碱渗透剂、1%-3%的缓冲剂,余量为水;其中,所述氧化剂选自于由次氯酸钠、亚氯酸钠、高氯酸钠以及过硼酸钠所组成的群组,所述低泡耐碱渗透剂为磺酸盐类表面活性剂。通过在清洗液中添加本发明的添加剂,实际生产中,能够大幅度降低了成本,并清洁更彻底,能够提高单晶电池效率0.01%-0.05%。在降低生产成本的同时,也降低了污水处理的成本,避免了对自然水体、土壤的污染。壤的污染。


技术研发人员:徐海舰 杨勇 章圆圆 陈培良
受保护的技术使用者:常州时创能源股份有限公司
技术研发日:2022.05.12
技术公布日:2022/8/5
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1