粘接膜和半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及粘接膜和使用了该粘接膜的半导体装置的制造方法。
【背景技术】
[0002] 安装部件的小型化的需求日渐提高，能够将封装的尺寸变小，能够实现半导体装 置的小型化/轻量化的技术愈发变得重要。
[0003] 作为这样的技术，开发有WLP(晶片级封装）。在WLP中，进行形成于半导体晶片上的 电路的布线、电极形成、树脂密封，之后，进行切割。进一步，近年来，要求高集成化、更多的 外部连接等，作为满足那样的要求的技术，开发了eWLB(Embedded Wafer Level Ball Grid Array) 〇
[0004] 在该封装的制作方法中，采取使用粘接膜将半导体芯片粘附于支撑基板上，并将 该半导体芯片进行密封的方法。
[0005] 然而，关于粘接膜，在密封工序等中，需要将半导体芯片固定于支撑基板，另一方 面，密封后需要与支撑基板一同从半导体芯片去除。这样，对于粘接膜，要求相反的特性。
[0006] 专利文献1公开了，在包含热收缩膜的基材的两个表面形成粘着层，在100°C以下 表现高收缩率的热收缩膜。
[0007] 专利文献2公开了以下方法:在支持膜的单面或两面形成树脂层A，关于支持膜，将 20~200°C时的线性热膨胀系数为3.0X1(T 5/°C以下的半导体用粘接膜贴附于引线框背面 而进行保护，密封后剥下的方法。关于该支持膜，记载了在200°C进行2小时加热时的加热收 缩率为0.15%以下。
[0008] 专利文献3公开了，层叠有收缩性膜层和约束该收缩性膜层的收缩的约束层的层 叠片。记载了收缩性膜层的主收缩方向的热收缩率在70~180°C时为30~90%。
[0009] 专利文献4公开了，使用了在40~180°C的温度范围表现3~90%的热收缩率的热 收缩性膜的切割用表面保护片。并且，记载了使用了该切割用表面保护片的加工方法。对于 用于树脂成型的情况，未进行记载。
[0010] 专利文献5公开了，在包含氨基甲酸酯聚合物和（甲基)丙烯酸系聚合物的复合膜 层的基材的至少一个面，形成了包含发泡剂的热膨胀性粘着层的加热剥离型粘着片。记载 了加热剥离型粘着片在150°C时的热收缩率为97%以上。
[0011] 现有技术文献 [0012]专利文献
[0013] 专利文献1:日本特开2000-319600号公报 [0014] 专利文献2:日本特开2003-17647号公报
[0015] 专利文献3:日本特许2008-155619号公报
[0016] 专利文献4:日本特许2011-204806号公报 [0017] 专利文献5:日本特开2012-167178号公报
【发明内容】
[0018] 发明所要解决的课题
[0019] 然而，专利文献1~5中记载的粘接膜不具备在安装/树脂成型工序时的温度下具 有耐热性和粘接性，在树脂成型后将半导体芯片从支撑体剥离的工序中发挥易剥离性那样 的相反的特性。因此，还没有能够用于要求满足这样的特性的半导体制造工艺，例如eWLB技 术等。
[0020] 本发明是鉴于上述现状而完成的，提供具备上述那样的特性的粘接膜，并且进一 步提供使用了该粘接膜的半导体装置的制造方法。
[0021] 用于解决课题的方法 [0022] 本发明记载如下。
[0023] [ 1 ] -种粘接膜，其层叠有基材层和自剥离性粘接层，
[0024]上述基材层的流动方向的热收缩率(MD方向的热收缩率）、以及与流动方向正交的 方向的热收缩率(TD方向的热收缩率)满足以下条件：
[0025] (1)以150°C加热30分钟后
[0026] 0.4< |MD方向的热收缩率/TD方向的热收缩率| <2.5
[0027] MD方向的热收缩率和TD方向的热收缩率的平均< 2%
[0028] (2)以200°C加热10分钟后
[0029] 0.4< |MD方向的热收缩率/TD方向的热收缩率| <2.5
[0030] MD方向的热收缩率和TD方向的热收缩率的平均2 3%
[0031] [2]如[1]所述的粘接膜，上述自剥离性粘接层的粘接力因热而降低。
[0032] [3]如[1]或[2]所述的粘接膜，在上述基材层的与上述自剥离性粘接层相对的面 的背面上进一步层叠有粘接层。
[0033] [ 4 ]如[1 ]至[3 ]中任一项所述的粘接膜，上述基材层在180°C时的储存弹性模量E ' 为1.0E+6以上2.0E+8以下。
[0034] [5]如[1]至[4]中任一项所述的粘接膜，上述基材层包含聚酯系树脂、聚酰亚胺系 树脂或聚酰胺系树脂。
[0035] [6]-种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：
[0036] 在支撑基板上将[1]至[5]中任一项所述的粘接膜以上述自剥离性粘接层处于该 支撑基板侧的方式进行粘附的工序；
[0037] 将半导体芯片搭载于上述粘接膜的上述基材层上的工序；
[0038] 以覆盖上述半导体芯片和上述粘接膜的方式涂布密封材料，在150°C以下的温度 使该密封材料固化，从而形成带有支撑基材的半导体芯片模具的工序；
[0039]加热至超过150°C的温度，使上述自剥离性粘接层的粘接力降低，从上述带有支撑 基材的半导体芯片模具去除上述支撑基板的工序;及
[0040] 将上述粘接膜去除，得到半导体芯片模具的工序。
[0041] 发明效果
[0042]本发明的粘接膜能够根据温度条件发挥相反的特性，即在预定的温度下具有耐热 性和粘接性，并且在与该温度不同的温度下具有易剥离性。
[0043] 因此，对于将本发明的粘接膜用于要求这样的特性的半导体装置的制造方法等的 情况下，在安装工序、树脂成型工序时的温度下，具有耐热性和粘接性，在树脂成型后将半 导体芯片从支撑体剥离的工序中，具有易剥离性，因而能够以简便的方法制造半导体装置。 这样，使用了本发明的粘接膜的半导体装置的制造方法的生产性优异，能够改善成品率。
【附图说明】
[0044] 上述目的以及其他目的、特征和优点可以由下述合适的实施方式和该实施方式随 附的以下附图而进一步明确。
[0045] 图1是表示本实施方式的粘接膜的概略截面图。
[0046] 图2是表示本实施方式的半导体装置的制造方法的概略工序图。
[0047] 图3是表示本实施方式的半导体装置的制造方法的概略工序图。
[0048] 图4是说明实施例中的剥离性评价方法的图。
【具体实施方式】
[0049] 以下，对于本发明的实施方式，适当使用附图进行说明。另外，在全部附图中，对同 样的构成要素带上同样的符号，并适当省略说明。
[0050] 本实施方式的粘接膜10如图1所示层叠有基材层12和自剥离性粘接层14。
[0051] [基材层 12]
[0052]基材层12的流动方向的热收缩率(MD方向的热收缩率）、以及与流动方向正交的方 向的热收缩率(TD方向的热收缩率)满足以下条件。
[0053] (1)以150°C加热30分钟后
[0054] 0.4 方向的热收缩率/TD方向的热收缩率| <2.5
[0055] MD方向的热收缩率和TD方向的热收缩率的平均< 2%
[0056] (2)以200°C加热10分钟后
[0057] 0.4 方向的热收缩率/TD方向的热收缩率| <2.5
[0058] MD方向的热收缩率和TD方向的热收缩率的平均2 3%
[0059]通过以150°C加热30分钟，从而能够判断半导体芯片的密封工序中用作基材层12 的树脂膜的热收缩性。
[0060] 在半导体装置的制造方法中，密封工序中的温度最大为150°c左右，树脂膜的热收 缩在某一程度的加热时间内结束。150°C时的作为基材层的树脂膜的热收缩会由于30分钟 加热而几乎结束。因此，以150°C加热30分钟时的作为基材层12的树脂膜的热收缩率满足上 述(1)的条件，从而能够在半导体芯片的密封工序中，判断为抑制了粘接膜10从支撑基板的 剥离。
[0061] 通过以200°C加热10分钟，从而能够判断将密封的半导体芯片(封装)从支撑基板 剥离的工序中用作基材层12的树脂膜的热收缩性。
[0062] 在半导体装置的制造方法中，密封工序中的温度最大为150°C左右，因此对于本实 施方式，在从支撑基板的剥离工序中在超过150°C的温度加热。与密封工序不同，从支撑基 板的剥离期望以短时间进行。因此，以比密封工序高的温度200°C加热10分钟时的作为基材 层12的树脂膜的热收缩率满足上述(2)的条件，从而在从支撑基板剥离封装时，能够判断为 粘接膜10容易从支撑基板剥离。
[0063] 上述" | MD方向的收缩率/TD方向的收缩率I "表示MD方向的收缩率与TD方向的收缩 率之比的绝对值，通过为0.4以上2.5以下，优选为0.6以上2.5以下，从而MD方向的收缩率与 TD方向的收缩率没有方向依赖性，是各向同性的。
[0064] 通过为各向同性，不易产生由基材层12的收缩率的各向异性引起的应力，因此在 密封工序中，翘曲少，能够抑制密封树脂的漏出和翘曲。此外，在剥离工序中，除了翘曲少， 能够防止封装的损伤以外，剥离也变得容易。