>[0065]并且，以150°C加热30分钟后的"MD方向的热收缩率和TD方向的热收缩率的平均" 为2%以下，优选为1.8%以下。由此，在半导体芯片的密封工序中，能够抑制由基材层12的 热收缩引起的自剥离性粘接层14的剥离。
[0066]另一方面，以200°C加热10分钟后的"MD方向的热收缩率和TD方向的热收缩率的平 均"为3%以上，优选为3.5%以上。由此，在从支撑基板剥离封装的工序中，能够促进由基材 层12的热收缩引起的自剥离性粘接层14的剥离。
[0067]此外，如果基材层12热收缩，基材层12的端部的粘接强度降低，则也具有变得容易 剥离的效果。进一步，利用基材层12在热收缩时所产生的应力，也能够促进剥离。
[0068]因此，满足上述条件的基材层12能够在后述的半导体装置的制造方法中，在安装 工序、树脂成型工序时的温度下，不发生收缩，而发挥耐热性和粘接性，并且，在树脂成型后 将半导体芯片从支撑体剥离的工序中能够发生收缩，因此能够发挥易剥离性。本实施方式 的粘接膜10能够适合用作半导体装置制造用粘接膜。
[0069]在本实施方式中，基材层12的180°C时的储存弹性模量E'能够设为1.0E+6以上 2.0E+8以下，优选设为5.0E+6以上2.0E+8以下。
[0070] 如果处于该范围，则具备作为基材的合适的刚性，进一步自剥离性粘接层14能够 从端部剥离，它们的平衡优异。
[0071] 在本实施方式中，基材层12能够由1层或2层以上的多层结构构成。以作为基材层 12整体的热收缩率满足上述条件的方式构成。
[0072] 作为构成基材层12的树脂，能够使用满足上述条件的耐热性高的树脂，能够举出 例如聚酯系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂等。其中，优选为聚酯系树脂或聚酰胺系 树脂，作为聚酯系树脂，能够使用日本特开2009-172864号公报的0026段~0036段中记载的 聚酯系树脂，作为聚酰胺系树脂，能够使用国际公开2012/117884号小册子中记载的公知的 聚酰胺系树脂。
[0073] 在本实施方式中，尤其优选聚酯系树脂，能够举出聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚 萘二甲酸乙二醇酯树脂、无定形聚对苯二甲酸乙二醇酯等。
[0074]基材层12能够以树脂膜的形态使用。
[0075]关于作为基材层12的树脂膜，能够通过在阻碍耐热性高的树脂结晶化的同时将其 进行膜化，从而作为非晶质或低结晶性的膜而得到。例如，能够举出将树脂熔融后进行骤冷 的方法、在超过熔点的温度实施热处理的方法、以不进行取向结晶化的方式进行拉伸的方 法等。也能够通过适当选择主成分以外的共聚成分，利用共聚单体来阻碍结晶化。
[0076] 基材层12的层厚通常选择500μηι以下（例如，1~500μηι)，优选为1~300μηι左右，更 优选为5~250μηι左右。用于基材层的树脂膜可以为单层，也可以为多层体。
[0077] [自剥离性粘接层14]
[0078] 在本实施方式中，自剥离性粘接层14所含的粘接剂是由于受热而粘接力降低或丧 失的粘接剂。能够选择15 0 °C以下不剥离，超过15 0 °C的温度时会剥离的材料。例如，优选具 有在半导体装置的制造工序中半导体元件不从支撑板剥离的程度的粘接力。
[0079] 作为自剥离性粘接层14所含的粘接剂，优选为包含气体产生成分的物质、包含热 膨胀性微球的物质、因热导致粘接剂成分发生交联反应而粘接力降低的物质等。
[0080] 例如，作为气体产生成分，适合使用偶氮化合物、叠氮化合物、麦氏酸衍生物等。此 外，也可以使用包含碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钠、亚硝酸铵等无机系发泡剂，氯氟烃、肼系 化合物、氨基脲系化合物、三唑系化合物、N-亚硝基系化合物等有机系发泡剂的物质。气体 产生成分可以添加于粘接剂(树脂），也可以与树脂直接结合。
[0081] 作为热膨胀性微球，能够使用使气化而显示热膨胀性的物质内包于外壳形成物质 内的热膨胀性微球。作为因能量引起交联反应而粘接力降低的物质，能够使用含有聚合性 低聚物、通过聚合性低聚物进行聚合交联而粘接力降低的物质等。这些成分能够添加于粘 接剂(树脂）。
[0082] 气体产生的温度、热膨胀性微球发生热膨胀的温度、交联反应的温度只要设计成 超过150°C的温度即可。
[0083] 作为构成粘接剂的树脂，能够举出丙稀酸系树脂、氣基甲酸醋系树脂、有机娃系树 月旨、聚烯烃系树脂等。
[0084] 本实施方式的粘接膜10如图l(ii)所示，在基材层12的与自剥离性粘接层14相对 的面的背面上，可以进一步层叠有粘接层16。
[0085] (粘接层 16)
[0086] 作为构成粘接层16的粘接剂，能够使用以往公知的粘接剂。在将本实施方式的粘 接膜用于晶片承载系统(wafer support system)、陶瓷电容器、半导体装置的制造的情况 下，从再利用支撑基板的观点出发，优选为糊料残留少的粘接剂。尤其，如果使用压敏粘接 剂，则由于粘接工序、剥离工序的操作性优异，进一步糊料残留少，因此能够提高半导体装 置的成品率。
[0087] 作为压敏粘接剂的例子，能够举出将天然橡胶、聚异丁烯橡胶、丁苯橡胶、苯乙烯/ 异戊二烯/苯乙烯嵌段共聚物橡胶、再生橡胶、丁基橡胶、聚异丁烯橡胶、NBR等橡胶系聚合 物用于基体聚合物的橡胶系压敏粘接剂、有机硅系压敏粘接剂、氨基甲酸酯系压敏粘接剂、 丙烯酸系压敏粘接剂等。母剂可以由1种或2种以上成分构成。尤其优选为丙烯酸系压敏粘 接剂。
[0088] 在丙烯酸系压敏粘接剂的制造中，能够适当选择溶液聚合、本体聚合、乳液聚合以 及各种自由基聚合等公知的制造方法。此外，关于得到的粘接性树脂，无规共聚物、嵌段共 聚物、接枝共聚物等均可。
[0089]本实施方式的粘接膜能够用于半导体装置的制造、构件的临时固定等，尤其能够 适合用于e_WLB。
[0090] 以下，对使用了图1 (i)的粘接膜10的半导体装置的制造方法进行说明。
[0091] <半导体装置的制造方法>
[0092] 本实施方式的半导体装置的制造方法具有以下工序。
[0093]工序(a):将粘接膜10以自剥离性粘接层14处于支撑基板20侧的方式粘附于支撑 基板20上（图2(a))。
[0094]工序(b):将半导体芯片22搭载于粘接膜10的基材层12上（图2(b))。
[0095] 工序(c):以覆盖半导体芯片22和粘接膜10的方式形成密封层24,在150°C以下的 温度使密封层24固化，从而形成带有支撑基材的半导体芯片模具（图2(c))。
[0096] 工序(d):加热至超过150°C的温度，使自剥离性粘接层14的粘接力降低，从带有支 撑基材的半导体芯片模具去除支撑基板20(图3(d))。
[0097]工序(e):将粘接膜10去除，得到半导体芯片模具（图3(e))。
[0098]在本实施方式中，也可以进一步具有以下工序。
[0099]工序(f):将布线层26形成于半导体芯片模具的露出面，所述布线层26具备形成于 最外表面的垫片(pad)(未图示)和将露出的半导体芯片22与该垫片进行电连接的布线（未 图示）（图3(f))。
[0100]工序(g):将突起28形成于垫片上（图3(g))。
[0101 ]以下，将工序依次进行说明。
[0102] (工序（a))
[0103] 首先，将粘接膜10以自剥离性粘接层14处于支撑基板20侧的方式粘附于支撑基板 20上（图2(a))。在自剥离性粘接层14面上可以贴附保护膜，能够将该保护膜剥掉，将自剥离 性粘接层14的露出面粘附于支撑基板20表面。
[0104] 作为支撑基板12，能够举出石英基板、玻璃基板等。
[0105] (工序（b))
[0106] 接着，将半导体芯片22搭载于粘附在支撑基板20上的、粘接膜10的基材层12上（图 2(b))〇
[0107] 作为半导体芯片，能够举出例如，IC、LSI、发光二极管、受光元件等。为了赋予与半 导体芯片22的粘接性，基材层12的表面可被实施表面处理。
[0108]予以说明的是，在本实施方式中，示出了将半导体芯片22搭载于基材层12上的形 式，但也能够将半导体芯片22搭载于基材层12上所层叠的粘接层16上。
[0109](工序（c))
[0110]以覆盖半导体芯片22和粘接膜10的方式形成密封层24,在150°C以下的温度使密 封层24固化，从而形成带有支撑基材的半导体芯片模具（图2(c))。
[0111] 用于形成密封层24的密封材料没有特别限制，能够使用将环氧树脂作为主成分、 添加有二氧化硅填充材料等的热固性成型材料等通常使用的材料。
[0112] 作为密封方法，有低压传递方式，但也能够进行利用注射成型、压缩成型、注模等 的密封。用密封层24密封后，在150°C以下的温度进行加热而使其固化，得到半导体芯片22 被密封了的带有支撑基材的半导体芯片模具。
[0113] 粘接膜10的基材层12在以150°C加热30分钟后具有如上所述的热收缩性，在150°C 以下的固化温度，能够抑制自剥离性粘接层14的剥离。
[0114] (工序⑷）
[0115] 将半导体芯片22密封后，加热至超过150°C的温度，使自剥离性粘接层14的粘接力 降低，从带有支撑基材的半导体芯片模具去除支撑基板20(图3(d))。
[0116] 粘接膜10的基