1.一种半导体加热制冷雾室系统，其特征在于，它包括第一热交换器(2)、半导体制冷片(3)、第二热交换器(4)、保温层(5)、雾室(6)、雾化器(7)和流体管路；其中：
第二热交换器(4)紧密包裹雾室(6)，对雾室(6)进行制冷；保温层(5)紧密包裹第二热交换器(4)；
半导体制冷片(3)冷端面和热端面分别与第一热交换器(2)和第二热交换器(4)进行热交换完成加热和制冷；
流体管路分别设置在第一热交换器(2)和雾室(6)内部：第一热交换器(2)内的流体管路具有气体加热通道和溶液加热通道，两个加热通道的出端分别与雾化器(7)的进气端(71)和进液端(72)连通；雾室(6)内部的流体管路具有入口、排液口和气溶胶通道。
2.如权利要求1所述的半导体加热制冷雾室系统，其特征在于：所述半导体制冷片(3)的冷端面和热端面分别通过导热硅脂与第一热交换器(2)和第二热交换器(4)紧密连接；第一热交换器(2)对应半导体制冷片(3)的热端面、吸收半导体制冷片(3)产生的热量进行加热；半导体制冷片(3)的冷端面对应第二热交换器(4)，吸收第二热交换器(4)的热量进行制冷。
3.如权利要求1所述的半导体加热制冷雾室系统，其特征在于：所述第一热交换器(2)和第二热交换器(4)内设置有第一温度计(8)和第二温度计(9)。
4.如权利要求3所述的半导体加热制冷雾室系统，其特征在于：所述第一温度计(8)布置在溶液和气流的出口附近。
5.如权利要求1所述的半导体加热制冷雾室系统，其特征在于：所述第一热交换器(2)的气体通道前端设置有质量流量控制器(1)。
6.如权利要求5所述的半导体加热制冷雾室系统，其特征在于：所述质量流量控制器(1)的流量控制范围为0-2l/min。
7.如权利要求1所述的半导体加热制冷雾室系统，其特征在于：第一热交换器(2)内气体加热通道和溶液加热通道的加热温度为从30℃至100℃连续可调。
8.如权利要求1所述的半导体加热制冷雾室系统，其特征在于：所述雾室(6)内部的流体管路为一个贯通的管体，入口位于雾室(6)内部的管体侧面，排液口(11)和气溶胶通道(10)位于雾室(6)外面的管体下端和上端。
9.如权利要求1所述的半导体加热制冷雾室系统，其特征在于：所述雾室(6)是旋流雾室或者scott双通道雾室。
10.如权利要求1所述的半导体加热制冷雾室系统，其特征在于：雾化器(7)是气动型或非气动型雾化器。
11.如权利要求10所述的半导体加热制冷雾室系统，其特征在于：当雾化器(7)是气动型雾化器时，与气体质量流量控制器(1)配合。
12.如权利要求3所述的半导体加热制冷雾室系统，其特征在于：所述第二温度计(9)和第一温度计(8)的温度差为从5℃至120℃连续可调，控制精度±0.2℃。
13.如权利要求3所述的半导体加热制冷雾室系统，其特征在于：所述第二温度计(9)的温度为20℃至-20℃连续可调，控制精度±0.3℃。
14.如权利要求1所述的半导体加热制冷雾室系统，其特征在于：所述第一热交换器(2)由铜或铝材料制成，其中的溶液加热通道内有耐腐蚀保护层。
15.如权利要求2所述的半导体加热制冷雾室系统，其特征在于：所述第一热交换器(2)的一面与半导体制冷片(3)的热端面相连，另一面暴露在空气中，并设置有散热用风扇。
16.如权利要求15所述的半导体加热制冷雾室系统，其特征在于：所述第一热交换器(2)的散热用风扇是可调速风扇。