1.一种错流多相氧化装置，其特征在于，所述的错流多相氧化装置设置有：
沉淀池、ph调节池、多相氧化池和絮凝池；
所述沉淀池侧面上端通过连接管道与ph调节池连接，ph调节池通过连接管道与多相氧化池连接，多相氧化池通过连接管道与絮凝池连接，每条连接管道中间均联接有水泵，水泵通过连接线路连接有控制盒，控制盒内部通过螺栓固定有plc控制器；
所述多相氧化池内设置有多个通过输入管道连通的填料柱，填料柱外侧设置有圆筒外壳，圆筒外壳中间贯穿有中心管，中心管上端开设有进水口，圆筒外壳外侧上部分均布有多排出水孔，圆筒外壳底部卡接有布水板，布水板表面均布有布水孔，填料柱内部填充有氧化剂颗粒。
2.如权利要求1所述的错流多相氧化装置，其特征在于，所述沉淀池侧面上端连通有进水管道，沉淀池底部左侧开设有沉淀物排出口，沉淀物排出口外侧通过滑槽固定有提拉挡板，提拉挡板上端通过传动链条与提升电机链接。
3.如权利要求1所述的错流多相氧化装置，其特征在于，所述沉淀池底部右侧通过螺栓固定有气缸，气缸伸缩杆外侧通过螺栓固定有推板。
4.如权利要求1所述的错流多相氧化装置，其特征在于，所述ph调节池内壁通过螺栓固定有ph传感器，ph调节池上端通过支架固定有酸水进水管和碱水进水管，酸水进水管和碱水进水管中间均通过螺栓固定有电磁阀，ph传感器和电磁阀均通过连接线路与plc控制器连接。
5.如权利要求1所述的错流多相氧化装置，其特征在于，所述絮凝池内通过螺栓固定有絮凝传感器，絮凝传感器与plc控制器通过连接线路连接。
6.如权利要求1所述的错流多相氧化装置，其特征在于，所述絮凝池上端设置有絮凝剂添加桶，絮凝剂添加桶下端连通有排放管，排放管中间通过螺栓固定有电磁阀，电磁阀均通过连接线路与plc控制器连接。
7.如权利要求1所述的错流多相氧化装置，其特征在于，所述多相氧化池底部通过螺栓固定有超声波震荡器，超声波震荡器与plc控制器通过连接线路连接。
8.如权利要求1所述的错流多相氧化装置，其特征在于，所述填料柱的圆筒外壳上端通过螺纹固定有封盖，圆筒外壳下端通过螺纹固定有下端盖，下端盖与填料柱底部的布水板之间预留有间隙，圆筒外壳外侧下端通过螺纹固定有外丝堵头。
9.如权利要求1所述的错流多相氧化装置，其特征在于，所述ph调节池内部通过支架固定有第一涡轮搅拌机，絮凝池内部通过支架固定有第二涡轮搅拌机，第一涡轮搅拌机和第二涡轮搅拌机均通过连接线路与plc控制器连接。
10.如权利要求1所述的错流多相氧化装置，其特征在于，所述控制盒内部通过螺丝固定有无线信号发射器，无线信号发射器通过连接线路与plc控制器连接，无线信号发射器通过无线信号与远程的监控终端连接。