1.一种半导体nbno纳米片的制备方法，其特征在于，包括：提供nbcl5、氧化石墨烯和溶剂，混合均匀，然后加入水，混合均匀，固液分离，将所得固体置于500℃以上的温度中煅烧，得到nbo纳米片，将所述nbo纳米片置于氨气氛围下煅烧，煅烧温度为700-900℃，得到所述nbno纳米片。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述nbcl5与所述氧化石墨烯的质量比为1：(2-10)。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述nbcl5与所述氧化石墨烯的质量比为1：(2-5)。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述溶剂选自n,n-二甲基甲酰胺。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：将所得固体置于500-800℃的温度中煅烧。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：氨气氛围下的煅烧时间为4-12h。
7.根据权利要求1-6任意一项所述方法制得的半导体nbno纳米片。
8.根据权利要求7所述半导体nbno纳米片在光催化反应中的应用。
9.根据权利要求8所述的应用，所述光催化反应为光催化分解水产生氢气。
10.利用权利要求7所述半导体nbno纳米片光催化水分解生产氢气的方法，其特征在于，包括：将所述半导体nbno纳米片与牺牲剂、水混合，置于厌氧条件下，提供光照，反应得到氢气。