1.一种自消光uv涂层的表面微结构涂饰工艺，其特征在于，至少包括以下步骤：
(1)uv涂料的制备：
(2)将uv涂料涂覆在板材上；
(3)第一次辐射固化；
(4)第二次辐射固化；
所述uv涂料的制备方法，至少包括以下步骤：首先将耐磨微粉分散在硅改性聚氨酯丙烯酸酯低聚物中，分散温度为40-60℃，时间为5-10h；然后与聚氨酯丙烯酸酯低聚物、活性稀释剂、有机溶剂、分散剂和光引发剂混合，继续分散1-2h，即得。
2.根据权利要求1所述的自消光uv涂层的表面微结构涂饰工艺，其特征在于，所述的uv涂料的制备原料，按重量百分比计，至少包括以下组分：30-50％硅改性聚氨酯丙烯酸酯低聚物、10-25％聚氨酯丙烯酸酯低聚物、0.1-4％耐磨微粉、20-40％活性稀释剂、0-40％有机溶剂、1-5％引发剂、0.1-0.5％分散剂。
3.根据权利要求2所述的自消光uv涂层的表面微结构涂饰工艺，其特征在于，所述的硅改性聚氨酯丙烯酸酯低聚物的制备方法为：
(1)将羟基聚硅氧烷和异氰酸酯按羟基与异氰酸酯基的摩尔比为1：(3-6)在60-80℃下反应2-4h，得到有机硅预聚体；
(2)将有机硅预聚体和单羟基丙烯酸酯单体按异氰酸酯基与羟基的摩尔比为1：(1-1.5)在70-85℃下反应2-4h，即得。
4.根据权利要求3所述的自消光uv涂层的表面微结构涂饰工艺，其特征在于，所述羟基聚硅氧烷的数均分子量为800-3000。
5.根据权利要求4所述的自消光uv涂层的表面微结构涂饰工艺，其特征在于，所述羟基聚硅氧烷的羟值为30-150mg·koh/g。
6.根据权利要求3所述的自消光uv涂层的表面微结构涂饰工艺，其特征在于，所述异氰酸酯选自甲苯二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、4,4'-二环己基甲烷二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯二聚体、六亚甲基二异氰酸酯三聚体、六亚甲基二异氰酸酯缩二脲和异佛尔酮二异氰酸酯三聚体中的至少一种。
7.根据权利要求2所述的自消光uv涂层的表面微结构涂饰工艺，其特征在于，所述聚氨酯丙烯酸酯低聚物分子链中至少含有2个可光固化的活性碳碳双键，数均分子量为2000-5000。
8.根据权利要求1所述的自消光uv涂层的表面微结构涂饰工艺，其特征在于，所述第一次辐射固化采用短波准分子灯，单色172nm受激准分子vuv辐射光源进行一次辐射固化，辐射剂量不高于40mj.cm-2。
9.根据权利要求1所述的自消光uv涂层的表面微结构涂饰工艺，其特征在于，所述第二次辐射固化采用uv汞灯辐射光源或eb辐射光源进行二次辐射固化。
10.一种根据权利要求1-9任一项所述的自消光uv涂层的表面微结构涂饰工艺的应用，其特征在于，应用于手机后盖板材。