半导体器件制造方法与流程

本发明涉及半导体器件制造方法领域，特别地，涉及一种半导体器件制造过程中的背面对准工艺方法。

背景技术：
在先进集成电路(IC)和微机电系统(MEMS)制造过程当中，有时会引入背面图形化工艺，这就涉及到与晶圆正面图形对准的问题。对准偏差过大会影响器件的特性，甚至使器件失效，造成良率下降，成本升高。目前业界常用的背面图形对准技术通常有以下两种方法：1、先对版图拍照，确认版图上标记后固定镜头位置，然后再借助镜头通过调整晶圆的位置，使晶圆上的标记与版图照片中的标记位置对准，完成曝光。2、采用红外穿透的方法，直接从背面读取位于晶圆正面的光刻标记。红外光可以直接穿透硅材料，如果在标记区域覆盖能够阻挡红外光的材料，在标记旁边的区域保持透光，这样标记的位置就可以被清晰地标定出来。目前，这两种方法目前都被业界采用，但是存在无法精确对准的问题，对准的偏差往往都在微米量级，同时为了界定边缘红外穿透的方法还要求正面的标记上覆盖不透光的薄膜(比如AL膜)，增加了前段工艺的复杂型。因此，需要提供一种新的更加有效的背面对准方法，以满足现代工艺的要求。

技术实现要素：
本发明提出了一种半导体器件制造过程中的背面对准方法，通过JPV(JunctionPhotoVoltage，PN结光电压)技术和离子注入工艺的结合，来精确地实现背面对准。本发明提供了一种半导体器件制造方法，用于实现半导体器件制造过程中的半导体晶圆的背面对准，包括：提供半导体晶圆，其具有正面和背面；在所述半导体晶圆的正面形成具有对准标记的图案化光刻胶层，所述图案化光刻胶层暴露出所述对准标记区域的所述半导体晶圆的表面；在所述对准标记区域的所述半导体晶圆的表面进行离子注入；去除所述图案化光刻胶层；对所述半导体晶圆进行退火工艺处理，以在所述对准标记区域形成突变结；将所述半导体晶圆翻转，在所述半导体晶圆的背面涂覆背面光刻胶层；利用JPV技术，在所述半导体晶圆的背面定位所述突变结位置，从而确定所述半导体晶圆的位置，实现所述半导体晶圆的背面对准；在所述半导体晶圆的背面进行曝光，图案化所述背面光刻胶层，用以制备背面器件。根据本发明的一个方面，所述对准标记尺寸为50μm×50μm。根据本发明的一个方面所述半导体晶圆与所注入的离子种类相反；...