技术总结
本发明提供了一种半导体制造方法，利用离子注入和退火工艺，在半导体晶圆的正面形成了突变结；之后，利用JPV技术，在半导体晶圆的背面定位突变结的位置，从而确定晶圆位置，定位精度控制在纳米量级，远优于现有的对准方法，实现了半导体晶圆的快速、精确定位。本发明的定位方式工艺简单，完全与现有的集成电路和MEMS工艺兼容，不会增加流程的复杂性，在精确和快速背面对准的基础上，提高了生产良率，并且降低了成本。
技术研发人员：刘金彪;贺晓彬;丁明正;杨涛;李俊峰;王垚
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
文档号码：201510011821
技术研发日：2015.01.09
技术公布日：2017.09.05