二极管芯片表面金属化处理装置的制作方法

本实用新型涉及半导体技术领域，具体为二极管芯片表面金属化处理装置。

背景技术：

在二极管芯片的制造过程中，一个重要的工序就是芯片表面金属化处理。芯片表面金属化处理，就是在芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以便形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。其中，金属薄膜淀积方法主要有物理气相淀积和化学气相淀积两种，这两种淀积方式都必须在真空腔内完成，真空条件可以创建结晶的环境，不仅能去除不需要的气体，还能降低分子密度，增大分子碰撞的平均自由程，真空度取决于淀积薄膜所能容忍的气体污染程度。随着产品尺寸越做越小，对真空腔内的洁净度要求越来越高，对空气中微小尘粒所造成的污染容忍度就越来越低。尤其对于高温高真空的厚铝溅射系统，一些特殊器件对工艺腔的残余气体敏感度很高，即使是真空腔微量外漏和残余气体也会产生明显的影响导致器件失效。因此生产中不但要提高本体真空度，更要控制残余气体的成分。

技术实现要素：

为了解决上述问题，本实用新型公开了二极管芯片表面金属化处理装置。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：二极管芯片表面金属化处理装置，包括阴极、第一器件滑轨、废液出口阀、阳极槽、阳极、电镀液存储罐、液流控制器、电镀液入口阀、电机、加热管、过滤网、真空泵、第二器件滑轨、真空腔壳体，所述阴极固定在真空腔壳体上部，所述第一器件滑轨固定在真空腔壳体左方，所述第二器件滑轨固定在真空腔壳体右方，所述阳极槽固定在真空腔壳体底部，所述阳极设在阳极槽内，所述电镀液存储罐与液流控制器相连，所述液流控制器与真空腔壳体之间设有电镀液入口阀，所述真空泵连接在真空腔壳体右下方，所述废液出口阀安装在真空腔壳体左下方，所述加热管环绕在真空腔壳体外表面。

上述的二极管芯片表面金属化处理装置，所述电机与加热管电连接。

上述的二极管芯片表面金属化处理装置，所述真空泵与真空腔壳体连接处设有过滤网。

上述的二极管芯片表面金属化处理装置，所述电镀液入口阀上安装有压力计。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：所述二极管芯片表面金属化处理装置，真空腔壳体外表面环绕的加热管，避免了电镀液在真空腔内不均匀沉积，而电镀液从真空腔壳体下方进入真空腔，避免了在器件表面的通孔中金属原子填充过量，提高了作业精度，有效解决了沉积过量造成的短路现象。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图中：1-阴极；2-第一器件滑轨；3-废液出口阀；4-阳极槽；5-阳极；6-电镀液存储罐；7-液流控制器；8-电镀液入口阀；9-电机；10-加热管；11-过滤网；12-真空泵；13-第二器件滑轨；14-真空腔壳体。

具体实施方式

为了更清楚地说明本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型做进一步的说明，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本实用新型的一个实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，根据此附图和实施例获得其他的实施例，都属于本实用新型的保护范围。

一种二极管芯片表面金属化处理装置，包括阴极1、第一器件滑轨2、废液出口阀3、阳极槽4、阳极5、电镀液存储罐6、液流控制器7、电镀液入口阀8、电机9、加热管10、过滤网11、真空泵12、第二器件滑轨13、真空腔壳体14，所述阴极1固定在真空腔壳体14上部，所述第一器件滑轨2固定在真空腔壳体14左方，所述第二器件滑轨13固定在真空腔壳体14右方，所述阳极槽4固定在真空腔壳体14底部，所述阳极5设在阳极槽4内，所述电镀液存储罐6与液流控制器7相连，所述液流控制器7与真空腔壳体14之间设有电镀液入口阀8，所述电镀液入口阀8上安装有压力计，所述真空泵12连接在真空腔壳体14右下方，所述真空泵12与真空腔壳体14连接处设有过滤网11，所述废液出口阀3安装在真空腔壳体14左下方，所述加热管10环绕在真空腔壳体14外表面，所述电机9与加热管10电连接。

工作中，待处理的二极管芯片通过第一器件滑轨2和第二器件滑轨13固定，设有互连金属线的一面朝下，电镀液从真空腔壳体14下方进入真空腔，金属离子在上方阴极1的作用下还原成金属原子，填充在器件表面的通孔中，同时，在下方阳极5的作用下，金属离子发生氧化反应，平衡阴极电流，以此维持了电镀液在真空腔内的电中和平衡，由于电镀液从真空腔壳体14下方进入真空腔，避免了在器件表面的通孔中金属原子填充过量，提高了作业精度，有效解决了沉积过量造成的短路现象。

以上实施例仅为本实用新型的示例性实施例，不用于限制本实用新型，本实用新型的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本实用新型的实质和保护范围内，对本实用新型做出各种修改或等同替换，这种修改或等同替换也应视为落在本实用新型的保护范围内。