技术总结
本实用新型公开了二极管芯片表面金属化处理装置，包括阴极、第一器件滑轨、废液出口阀、阳极槽、阳极、电镀液存储罐、液流控制器、电镀液入口阀、电机、加热管、过滤网、真空泵、第二器件滑轨、真空腔壳体，所述阴极固定在真空腔壳体上部，所述第一器件滑轨固定在真空腔壳体左方，所述第二器件滑轨固定在真空腔壳体右方，所述阳极槽固定在真空腔壳体底部，所述阳极设在阳极槽内，所述加热管环绕在真空腔壳体外表面。本实用新型真空腔壳体外表面环绕的加热管，避免了电镀液在真空腔内不均匀沉积，而电镀液从真空腔壳体下方进入真空腔，避免了在器件表面的通孔中金属原子填充过量，提高了作业精度，有效解决了沉积过量造成的短路现象。
技术研发人员：李德鹏
受保护的技术使用者：青岛金汇源电子有限公司
技术研发日：2018.12.11
技术公布日：2019.07.19