一种多层片式结构氧传感器的制作方法

文档序号:12115524阅读:314来源:国知局
一种多层片式结构氧传感器的制作方法与工艺

本实用新型涉及一种传感器,特别是涉及一种多层片式结构氧传感器。



背景技术:

氧传感器是电喷发动机控制系统中重要的传感部件,是控制汽车尾气排放、降低汽车对环境污染、提高汽车发动机燃油燃烧质量的关键零件。只有在加热后从发动机排气管排出的尾气才能参加反应,反应后才会有电压的变化,氧传感器才能接收到信号,氧传感器的特性才能充分体现,现有的片式结构氧传感器在使用过程中,由于经常不断的升温与降温,加热变慢,导致稳定性能差。综上所述,发展一种稳定性能较好、加热较快的多层片式结构氧传感器,是本领域技术人员急需解决的问题。



技术实现要素:

本实用新型的目的是提供一种多层片式结构氧传感器,解决了现有的多层片式结构氧传感器导致稳定性能差、加热较慢的问题。

为解决上述技术问题,本实用新型提供如下技术方案:

一种多层片式结构氧传感器,包括自上而下依次设置的保护层、氧化锆敏感层、第一多孔过渡层、参比气通道层、第二多孔过渡层和加热层,所述氧化锆敏感层的表面上设置有外电极和内电极,所述加热层上设置有若干个加热片,所述加热片包括底座、内电极杆和若干个外电极杆,所述内电极杆和外电极杆均设置在底座上,且若干个外电极杆均匀分布在所述内电极杆的周围,所述加热片还包括环行槽,所述环行槽内设置有加热丝。

进一步地,所述氧化锆敏感层的上表面设置有外电极,所述氧化锆敏感层的下表面设置有内电极。

更进一步地,所述环行槽的一端延伸到内电极杆上,所述环行槽的另一端延伸到外电极杆上。

更进一步地,所述环行槽的个数为5~7个。

进一步地,所述参比气通道层设置有容纳参比气体的参比气通道。

进一步地,所述第一多孔过渡层和第二多孔过渡层的厚度为10~25 微米。

进一步地,所述加热片的个数为5~7个。

由上述技术方案可以看出,本实用新型具有以下有益效果:

1.由于设置有第一多孔过渡层和第二多孔过渡层,因而提高了多层片式结构氧传感器的稳定性能;

2.由于所述环行槽内设置有加热丝,因而使得加热速度快,经久耐用。

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步的详细说明。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型的氧化锆敏感层的结构示意图。

图3为本实用新型的加热片的结构示意图。

附图标记说明:保护层1、氧化锆敏感层2、外电极21、内电极22、第一多孔过渡层3、参比气通道层4、参比气通道41、第二多孔过渡层5、加热层6、加热片61、底座611、环行槽612、外电极杆613、内电极杆614、加热丝615。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明,但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

下面参考图1至图3对本申请作进一步说明,如图1所示的一种多层片式结构氧传感器,包括自上而下依次设置的保护层1、氧化锆敏感层2、第一多孔过渡层3、参比气通道层4、第二多孔过渡层5和加热层6,所述氧化锆敏感层2的表面上设置有外电极21和内电极22,所述加热层6上设置有若干个加热片61,如图3所示,所述加热片61包括底座611、内电极杆614和若干个外电极杆613,所述内电极杆614和外电极杆613均设置在底座611上,且若干个外电极杆613均匀分布在所述内电极杆614的周围,所述加热片61还包括环行槽612,所述环行槽612内设置有加热丝615,因而使得加热速度快,经久耐用。

如图2所示,所述氧化锆敏感层2的上表面设置有外电极21,所述氧化锆敏感层2的下表面设置有内电极22。

如图3所示,所述环行槽612的一端延伸到内电极杆614上,所述环行槽612的另一端延伸到外电极杆613上。

所述环行槽612的个数为5~7个。

优选的,所述环行槽612的个数为6个。

如图1所示,所述参比气通道层4设置有容纳参比气体的参比气通道41。

所述第一多孔过渡层3和第二多孔过渡层5的厚度为10~25 微米。

所述加热片61的个数为5~7个。

优选的,所述加热片61的个数为7个。

所述第一多孔过渡层3和第二多孔过渡层5可以调节不同结构层因为热膨胀而导致的层间应力,防止层与层之间开裂,保证了氧传感器的使用寿命,同时保证不同结构层之间的稳定性能,提高氧传感器的性能。

以上仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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