一种新型传感器信号采集芯片的基准电流测试结构的制作方法

技术特征：

1.一种新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构，其特征在于：至少有一组搭建的新电路，至少有一个内部电流引出元件，至少有一个电流测试点，至少有一个电流测试元件；其中，搭建的新电路与原有的基准电流电路完全相同，且搭建的新电路与原有的基准电流电路之间没有接触点，所述的搭建的新电路位于传感器信号采集芯片的内部，该电路通过内部电流引出元件将基准电流引出到芯片外部，并在电流测试点连接有电流测试元件。

2.如权利要求1所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构，其特征在于：搭建的新电路，可以是单支电路，也可以是含有n条支路的并联电路，n为≥2的自然数。

3.如权利要求2所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构，其特征在于：搭建的新电路上的单支电路、或者并联电路的支路上包含晶体管、电阻、电容元件。

4.如权利要求3所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构，其特征在于：所述的晶体管包括PMOS管和NMOS管。

5.如权利要求3所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构，其特征在于：所述的电阻包括poly电阻、high-poly电阻、ndiff电阻、pdiff电阻、well电阻。

6.如权利要求3所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构，其特征在于：所述的电容包括PMOS电容、NMOS电容、PIP电容、MIM电容。

7.如权利要求1所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构，其特征在于：所述的电流引出元件为金属线。

8.如权利要求1所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构，其特征在于：所述的电流引出元件为金属线，且在金属线上分布有传输门和/或阻流电阻。

9.如权利要求1所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构，其特征在于：所述的电流测试点根据实际需求进行确定。

10.如权利要求1所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构，其特征在于：所述的电流测试元件包括电阻/电压测电流元件、AD转换器。