芯片温度的测试方法、装置、设备及介质与流程

本发明涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种芯片温度的测试方法、一种芯片温度的测试装置、一种电子设备以及一种存储介质。

背景技术：

随着计算机技术的快速发展，诸如手机、平板电脑等电子设备越来越普及，给人们的生活、学习、工作带来了极大的便利。其中，芯片作为这些电子设备中的一部分，在使用之前通常需要进行测试，以避免芯片功耗过大影响电子设备的性能。

在具体实现中，芯片温度是影响芯片功耗的重要因素。因此，在对芯片进行测试时，通常需要进行三温测试，即分别对芯片进行高温测试、常温测试以及低温测试。但是，在对芯片加以高低温后，如何能够准确检测芯片的实时温度是目前很多芯片测试过程中面临的问题。

目前，通常是在芯片中增加温度传感器，然后通过该温度传感器进行芯片的温度测试。这种芯片温度测试方案需要在芯片中单独增加温度传感器这一模块，从而增加了测试成本，以及增大了芯片的面积开销。

技术实现要素：

鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种芯片温度的测试方法，以降低测试成本。

相应的，本发明实施例还提供了一种芯片温度的测试装置、一种电子设备以及一种存储介质，用以保证上述方法的实现及应用。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种芯片温度的测试方法，包括：按照施加电流值对芯片引脚施加电流；对所述芯片引脚的电压进行检测，得到测试电压值；根据所述测试电压值和所述芯片引脚的正向压降差值，确定对所述芯片的温度测试结果。

可选地，对所述芯片引脚的环境温度进行调整；以及，在所述环境温度调整后，对所述芯片引脚的电压进行检测，得到测试电压值。或者，在所述环境温度调整后，等待预设时长后对所述芯片引脚的电压进行检测，得到测试电压值。

可选地，所述根据所述测试电压值和所述芯片引脚的正向压降差值，确定对所述芯片的温度测试结果，包括：获取所述芯片引脚的正向压降差值和预先设置的测试理论电压值；根据所述测试理论电压值和所述正向压降差值，对所述测试电压值进行计算，确定所述测试电压值对应的温度测试结果。

可选地，所述根据所述测试理论电压值和所述正向压降差值，对所述测试电压值进行计算，确定所述测试电压值对应的温度测试结果，包括：根据所述测试电压值和所述测试理论电压值进行计算，得到环境温度调整后的电压差；计算所述电压差与所述正向压降差值之间的比值；将所述比值与预设的芯片温度值进行相加，并将相加后得到的测试温度值确定为温度测试结果。

可选地，所述按照施加电流值对芯片引脚施加电流，包括：通过芯片测试机，按照施加电流值对所述芯片引脚施加电流。所述对所述芯片引脚的环境温度进行调整，包括：通过温度箱或罩杯，对所述芯片引脚的环境温度进行调整。

本发明实施例还公开了一种芯片温度的测试装置，包括：

电流施加模块，用于按照施加电流值对芯片引脚施加电流；

电压检测模块，用于对所述芯片引脚的电压进行检测，得到测试电压值；

测试结果确定模块，用于根据所述测试电压值和所述芯片引脚的正向压降差值，确定对所述芯片的温度测试结果。

可选地，所述电压检测模块包括：

温度调整子模块，用于对所述芯片引脚的环境温度进行调整；

电压检测子模块，用于在所述环境温度调整后，对所述芯片引脚的电压进行检测，得到测试电压值；或者，在所述环境温度调整后，等待预设时长后对所述芯片引脚的电压进行检测，得到测试电压值。

可选地，所述测试结果确定模块包括：

获取子模块，用于获取所述芯片引脚的正向压降差值和预先设置的测试理论电压值；

确定子模块，用于根据所述测试理论电压值和所述正向压降差值，对所述测试电压值进行计算，确定所述测试电压值对应的温度测试结果。

可选地，所述确定子模块包括：

电压差单元，用于根据所述测试电压值和所述测试理论电压值进行计算，得到环境温度调整后的电压差；

比值计算单元，用于计算所述电压差与所述正向压降差值之间的比值；

结果确定单元，用于将所述比值与预设的芯片温度值进行相加，并将相加后得到的测试温度值确定为温度测试结果。

可选地，所述电流施加模块，具体用于通过芯片测试机，按照施加电流值对所述芯片引脚施加电流；所述温度调整子模块，具体用于通过温度箱或罩杯，对所述芯片引脚的环境温度进行调整。

本发明实施例还公开了一种电子设备包括有存储器，以及一个或者一个以上的程序，其中一个或者一个以上程序存储于存储器中，且经配置以由一个或者一个以上处理器执行所述一个或者一个以上程序包含用于进行以下操作的指令：按照施加电流值对芯片引脚施加电流；对所述芯片引脚的电压进行检测，得到测试电压值；根据所述测试电压值和所述芯片引脚的正向压降差值，确定对所述芯片温度测试结果。

本发明实施例还公开了一种可读存储介质，当所述存储介质中的指令由电子设备的处理器执行时，使得电子设备能够执行本发明实施例中一个或多个所述的芯片温度的测试方法。

本发明实施例包括以下优点：

本发明实施例通过对芯片引脚的电压进行检测，从而可以根据检测到的测试电压值和该芯片引脚的正向压降差值准确地确定出该芯片引脚的温度测试结果，不需要使用温度传感器，减少芯片面积的开销，且不需要对芯片中的温度传感器进行校准，降低了测试的复杂性和测试成本。

附图说明

图1是本发明的一种芯片温度的测试方法实施例的步骤流程图；

图2是本发明的一种芯片温度的测试方法可选实施例的步骤流程图；

图3是本发明的一种芯片温度的测试装置实施例的结构框图；

图4是根据一示例性实施例示出的一种用于芯片温度的测试的电子设备的结构框图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

在芯片进行三温测试时，需要密切关注芯片温度这一指标。目前，测量芯片温度的方法通常是在芯片设计时加入温度传感器的设计，以通过温度传感器测试出芯片温度。但是，在芯片中增加温度传感器，增加了芯片面积的开销，且温度传感器的校准也增加了温度测试的复杂性，以及提高了测试的成本。

本发明实施例的核心构思之一在于，在不使用温度传感器的情况下，通过测试芯片引脚的电压值来确定出芯片温度，降低温度测试的复杂性，以及节约测试成本。

参照图1，示出了本发明的一种芯片温度的测试方法实施例的步骤流程图，具体可以包括如下步骤：

步骤102，按照施加电流值对芯片引脚施加电流。

本发明实施例中，在芯片进行温度测试时，可以按照预设的施加电流值对芯片中任意一个或多个被测的芯片引脚施加电流，使得施加的电流可以流过该被测的芯片引脚，以测试出该芯片引脚的电压值。例如，当芯片在自动测试设备(automatictestequipment，ate)上测试时，可以通过ate中的每个引脚测试单元(perpinmeasurementunit，ppmu)，按照预先设置的施加电流值给芯片的一个或多个被测的芯片引脚施加电流。

其中，芯片引脚可以是指芯片中的一个带二极管保护电路的数字引脚。施加电流值可以基于芯片管脚的性能进行设置，如可以是20微安(ua)，本发明实施例对此不作限制。

步骤104，对所述芯片引脚的电压进行检测，得到测试电压值。

具体而言，在给被测的芯片引脚施加电流后，可以对该芯片引脚进行电压检测，以测出该芯片引脚的电压值，并且可以将测出的电压值确定为当前芯片温度所对应的测试电压值，从而可以依据当前测试出的测试电压值确定出当前芯片引脚的实时温度。

可选的，当测试项目为三温测试时，得到的芯片引脚的测试电压值具体可包括在不同温度下该芯片引脚的电压值，如可以包括：芯片引脚在高温状态下的一个或多个高温电压值、芯片引脚在常温状态下的一个或多个常温电压值，以及芯片引脚在低温状态下的一个或多个低温电压值等，本发明实施例对此不作具体限制。

步骤106，根据所述测试电压值和所述芯片引脚的正向压降差值，确定对所述芯片的温度测试结果。

在具体实现中，芯片引脚通常包含一个二极管，如可以是普通的硅二极管。根据温度对二极管的影响，可以确定出芯片引脚的正向压降差值。该正向压降差值可以用于表征温度升高时，二极管的正向压降将减少的电压，如在正向压降差值为2毫伏(mv)时，可以表征芯片引脚的温度每增加1摄氏度，该芯片引脚的正向压降减少约为2mv。其中，正向压降可以是指二极管正向导通时，该二极管两端的电压差值，如硅材料二极管的正向压降约为0.6～0.8伏，又如锗材料二极管的正向压降约为0.1～0.3伏等，本发明实施例对芯片引脚的正向压降差值的具体数值不作具体限制。

本发明实施例在确定出芯片引脚当前对应的测试电压值后，可采用芯片引脚的正向压降差值和该测试电压值进行计算，从而可以计算得到该测试电压值所对应的芯片引脚的温度值，并可将计算得到的芯片引脚的温度值确定为该芯片当前的温度测试结果。

综上，本发明实施例通过对芯片引脚施加电流，并对该芯片引脚的电压进行检测，从而可以根据检测到的测试电压值和该芯片引脚的正向压降差值准确地确定出该芯片引脚的温度测试结果，不需要使用温度传感器，减少芯片面积的开销，且不需要对芯片中的温度传感器进行校准，降低了测试的复杂性和测试成本。

在具体实现中，在芯片没有温度传感器模块的情况下，本发明实施例可以在不增加任何测试项目的基础上，通过现有的测试项目测试出芯片引脚的电压值，以基于测试出的电压值进行计算，得到芯片在高温和低温测试时的实际温度，节约了测试成本。

作为本发明的一个示例，结合现有的ate测试项目，通过本发明实施例提供的芯片温度的测试方法，可以准确地测试出芯片温度。具体的，在ate进行芯片测试时，连接性测试可以是芯片的一个必不可少的测试项目。连接性测试的原理可以为加流测压(iforcesourcevforcemeterage，isvm)原理。基于isvm原理，可以通过施加电流测试出对应的电压。在芯片进行高低温测试时，可以按照连接性测试时确定的施加电流，对芯片中被测的芯片引脚施加电流，从而可以测出对应的一个测试电压值，进而可以根据测试电压值计算出芯片引脚当前的实际温度。

需要说明的是，芯片引脚可以是一个二极管，基于二极管两端的电压u与流过该二极管的电流i的关系，可以确定出芯片引脚温度与芯片引脚两端的电压的关系。其中，二极管两端的电压u与流过该二极管的电流i的关系可以为:

i＝is*(e^qu/kt-1)；

其中，is可以表示二极管的反向饱和电流，如在二极管采用硅材料制造而成的情况下，该is可以约为10皮安(pa)；q可以表示电子的电量，即q可以为1.6乘以10的-9次方库伦；k可以是玻耳茨曼常数，k的值可以等于1.38乘以10的-23次方焦耳每开尔文(j/k)；t可以表示热力学温度(thermodynamictemperature)。热力学温度又称为热力学温标，符号为t，单位为开尔文(k)。

根据二极管两端的电压u与流过该二极管的电流i的关系进行推导，可以得到热力学温度t与二极管两端的电压u的关系为：

t＝(qu/k)*[1/ln(i/is+1)]；

基于热力学温度t与二极管两端的电压u的关系，可以确定芯片引脚两端的电压与该芯片引脚的实际温度成正比关系，因此本发明实施例可以通过测出芯片引脚对应的测试电压值来确定出芯片引脚的实际温度，可以应用于含有复杂结构的大规模数字芯片的温度测试中，测试方法简单精确，降低测试成本。

参照图2，示出了本发明的一种芯片温度的测试方法可选实施例的步骤流程图，具体可以包括如下步骤：

步骤202，通过芯片测试机，按照施加电流值对所述芯片引脚施加电流。

具体的，在采用芯片测试机对芯片进行测试时，可以通过该芯片测试机的ppmu，按照预先设定的施加电流值对被测的芯片引脚施加电流，从而可以基于流过该芯片引脚的电流值检测出对应的测试电压值。

步骤204，对所述芯片引脚的电压进行检测，得到测试电压值。

例如，当芯片进行温度测试时，可以对芯片引脚施加电流，使得流过该芯片引脚的电流大小为20ua，然后可以测出当前该芯片引脚对应的测试电压值为xmv，随后可以采用该测试电压值xmv进行计算，以确定出芯片引脚对应的实际温度。

本发明实施例中，可选的，可以在调整芯片引脚的环境温度后，重新对芯片引脚进行电压测试，以依据重新测试得到的测试电压值计算出环境温度调整后芯片引脚的实际温度。上述对所述芯片引脚的电压进行检测，得到测试电压值，可以包括：对所述芯片引脚的环境温度进行调整；在所述环境温度调整后，对所述芯片引脚的电压进行检测，得到测试电压值。

在具体实现中，可以通过温箱、罩杯等设备对芯片引脚的环境温度进行控制，使得芯片引脚的环境温度保持不变，保证芯片温度的稳定性，提高测试精确度。因此，在本发明的一个可选实施例中，可以通过温度箱或罩杯，对所述芯片引脚的环境温度进行调整。在调整环境温度后，可以通过诸如电压表、ate中专门测试数字引脚电压模块等对芯片引脚的电压进行检测，得到对应的测试电压值，以便可以依据该测试电压值确定环境温度调整后芯片引脚的实时温度。

在本发明的一个可选实施例中，可以在芯片引脚的环境温度调整后，等待一定时长后再对芯片引脚的电压进行检测，以保证电压检测的准确性。可选的，上述对所述芯片引脚的电压进行检测，得到测试电压值，具体可以包括：对所述芯片引脚的环境温度进行调整；在所述环境温度调整后，等待预设时长后对所述芯片引脚的电压进行检测，得到至少一个测试电压值。具体而言，本发明实施例在调整芯片引脚的环境温度后，可以等待预设时长后再对所述芯片引脚的电压进行检测，以检测出一个或多个芯片引脚的测试电压值。例如，在等待预设时长为20分钟时，在调整环境温度20分钟后，可以对一个或多个芯片引脚的电压进行检测，得到一个或多个芯片引脚的测试电压值。再等待20分钟后，即在环境温度调整40分钟后，也可以对一个或多个芯片引脚的电压进行第二次检测，得到一个或多个芯片引脚的测试电压值；在环境温度调整60分钟后，对一个或多个芯片引脚的电压进行第三次检测，得到一个或多个芯片引脚的测试电压值……如此类推，可以基于预设的等待时长对芯片引脚的电压进行多次检测，以基于多次检测到的测试电压值确定出对芯片的温度测试结果，提高温度测试结果的精确度。

步骤206，获取所述芯片引脚的正向压降差值和预先设置的测试理论电压值。

其中，测试理论电压值可以表征在对芯片引脚进行温度测试时所测试得到的电压值。例如，当对芯片进行常温测试时，可以施加20ua的电流给当前被测的芯片引脚，然后对该芯片引脚进行电压检测。若测试出该芯片引脚当前的电压值为450mv左右，则可以将450mv确定为测试理论电压值。需要说明的是，常温可以是预先依据温度测试需求设置的一个温度，通常可以是指室温，如可以是25摄氏度，也可以是26摄氏度等，本发明实施例对此不作限制。

步骤208，根据所述测试理论电压值和所述正向压降差值，对所述测试电压值进行计算，确定所述测试电压值对应的温度测试结果。

本发明实施例中，可以基于测试电压值与芯片引脚的实际温度之间的关系，采用测试理论电压值和所述正向压降差值，对检测得到的测试电压值进行计算，并可将计算得到的温度值确定为当前测试得到的测试电压值对应的温度测试结果。可选的，所述根据所述测试理论电压值和所述正向压降差值，对所述测试电压值进行计算，确定所述测试电压值对应的温度测试结果，可以包括：根据所述测试电压值和所述测试理论电压值进行计算，得到环境温度调整后的电压差；计算所述电压差与所述正向压降差值之间的比值；将所述比值与预设的芯片温度值进行相加，并将相加后得到的测试温度值确定为温度测试结果。其中，所述预设的芯片温度值为所述测试理论电压值对应的温度，如当芯片引脚的测试理论电压值为450毫伏时，若得到该测试理论电压值的温度为26摄氏度，则预设的芯片温度值为26摄氏度。

例如，在施加电流值为20毫安的情况下，若芯片引脚的正向压降差值为2毫伏，在常温26摄氏度时检测到芯片引脚的测试理论电压值为450毫伏，则可以确定出该芯片引脚的实时温度y与测试电压值x之间的关系为：

y＝[(450-x)/2]+26；

当芯片进行高低温测试时，可以按照施加电流值20毫安对芯片引脚施加电流，然后测试出当前芯片引脚对应的测试电压值x，随后可以根据该芯片引脚的实时温度y与测试电压值x之间的关系，对测试电压值x进行计算，从而计算出当前芯片引脚的实时温度y。

具体的，当芯片进行高温测试时，在按照施加电流值20毫安对被测的芯片引脚施加电流后，可以测试该芯片引脚在高温时的一个或多个测试温度值，随后可基于高温时测试出的这些测试温度值进行计算，从而计算出芯片引脚高温时的温度值，并且可以将计算出的温度值确定为该芯片引脚在高温测试时的温度测试结果。

同理，当芯片进行低温测试时，在按照施加电流值20毫安对被测的芯片引脚施加电流后，可以测试该芯片引脚在低温时的一个或多个测试温度值，随后可基于低温时测试出的这些测试温度值进行计算，从而计算出芯片引脚低温时的温度值，然后可以将计算出的温度值确定为该芯片引脚在低温测试时的温度测试结果。

其中，高温和低温是相对常温而言的，如常温可以是指25摄氏度左右；高温的范围可以从85摄氏度到125摄氏度，或者，可以从95摄氏度到125摄氏度等；低温的范围可以从零下30度到零下60度，或者可以从零下40度到零下55度等，本发明实施例对此不作限制。

本发明以上实施例中，芯片温度均为芯片未处于工作状态下的温度；此外，本发明实施例获取芯片温度的方法也可以应用于芯片处于工作状态下的芯片温度测量过程。

具体的，本发明实施例可以在芯片启动运行后，按照预设的等待时长对对一个或多个芯片引脚的电压进行检测，得到一个或多个芯片引脚的测试电压值。例如，在预设的等待时长为30分钟时，在芯片运行30分钟后，可以对一个或多个芯片引脚的电压进行第一次检测，得到一个或多个芯片引脚的测试电压值；再等待30分钟后，即在芯片运行60分钟后，可对芯片引脚的电压进行第二次检测，得到一个或多个芯片引脚的测试电压值；以及在芯片运行90分钟后，可以对一个或多个芯片引脚的电压进行第三次检测，得到一个或多个芯片引脚的测试电压值……如此类推，可以基于预设的等待时长对芯片引脚的电压进行多次检测，以基于多次检测到的测试电压值确定出对芯片的温度测试结果，提高温度测试结果的精确度，本发明实施例对芯片引脚的电压检测次数不作具体限制。

综上，本发明实施例在高低温测试时，可以通过检测芯片引脚对应的测试电压值，准确地得出芯片引脚的实时温度，从而可以避免温度过高或过低影响芯片性能，达到同时保护芯片的硅二极管的目的。

需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。

参照图3，示出了本发明的一种芯片温度的测试装置实施例的结构框图，具体可以包括如下模块：

电流施加模块302，用于按照施加电流值对芯片引脚施加电流；

电压检测模块304，用于对所述芯片引脚的电压进行检测，得到测试电压值；

测试结果确定模块306，用于根据所述测试电压值和所述芯片引脚的正向压降差值，确定对所述芯片的温度测试结果。

在本发明的一个可选实施例中，所述电压检测模块304可以包括如下子模块：

温度调整子模块，用于对所述芯片引脚的环境温度进行调整；

电压检测子模块，用于在所述环境温度调整后，对所述芯片引脚的电压进行检测，得到测试电压值；或者，在所述环境温度调整后，等待预设时长后对所述芯片引脚的电压进行检测，得到至少一个测试电压值。

在本发明的一个可选实施例中，所述测试结果确定模块306可以包括如下子模块：

获取子模块，用于获取所述芯片引脚的正向压降差值和测试理论电压值；

确定子模块，用于根据所述测试理论电压值和所述正向压降差值，对所述测试电压值进行计算，确定所述测试电压值对应的温度测试结果。

在本发明的一个可选实施例中，所述确定子模块可以包括如下单元：

电压差单元，用于根据所述测试电压值和所述测试理论电压值进行计算，得到环境温度调整后的电压差；

比值计算单元，用于计算所述电压差与所述正向压降差值之间的比值；

结果确定单元，用于将所述比值与预设的芯片温度值进行相加，并将相加后得到的测试温度值确定为温度测试结果。

在本发明实施例中，可选地，所述电流施加模块302具体可以用于通过芯片测试机，按照施加电流值对所述芯片引脚施加电流。所述温度调整子模块具体可以用于通过温度箱或罩杯，对所述芯片引脚的环境温度进行调整。

对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

图4是根据一示例性实施例示出的一种用于芯片温度的测试的电子设备400的结构框图。例如，电子设备400可以是移动电话，计算机，数字广播终端，消息收发设备，游戏控制台，平板设备，医疗设备，健身设备，个人数字助理等。

参照图4，电子设备400可以包括以下一个或多个组件：处理组件402，存储器404，电源组件406，多媒体组件408，音频组件410，输入/输出(i/o)的接口412，传感器组件414，以及通信组件416。

处理组件402通常控制电子设备400的整体操作，诸如与显示，电话呼叫，数据通信，相机操作和记录操作相关联的操作。处理组件402可以包括一个或多个处理器420来执行指令，以完成上述的方法的全部或部分步骤。此外，处理组件402可以包括一个或多个模块，便于处理组件402和其他组件之间的交互。例如，处理组件402可以包括多媒体模块，以方便多媒体组件408和处理组件402之间的交互。

存储器404被配置为存储各种类型的数据以支持在设备400的操作。这些数据的示例包括用于在电子设备400上操作的任何应用程序或方法的指令，联系人数据，电话簿数据，消息，图片，视频等。存储器404可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器(sram)，电可擦除可编程只读存储器(eeprom)，可擦除可编程只读存储器(eprom)，可编程只读存储器(prom)，只读存储器(rom)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。

电源组件406为电子设备400的各种组件提供电力。电源组件406可以包括电源管理系统，一个或多个电源，及其他与为电子设备400生成、管理和分配电力相关联的组件。

多媒体组件408包括在所述电子设备400和用户之间的提供一个输出接口的屏幕。在一些实施例中，屏幕可以包括液晶显示器(lcd)和触摸面板(tp)。如果屏幕包括触摸面板，屏幕可以被实现为触摸屏，以接收来自用户的输入信号。触摸面板包括一个或多个触摸传感器以感测触摸、滑动和触摸面板上的手势。所述触摸传感器可以不仅感测触摸或滑动动作的边界，而且还检测与所述触摸或滑动操作相关的持续时间和压力。在一些实施例中，多媒体组件408包括一个前置摄像头和/或后置摄像头。当电子设备400处于操作模式，如拍摄模式或视频模式时，前置摄像头和/或后置摄像头可以接收外部的多媒体数据。每个前置摄像头和后置摄像头可以是一个固定的光学透镜系统或具有焦距和光学变焦能力。

音频组件410被配置为输出和/或输入音频信号。例如，音频组件410包括一个麦克风(mic)，当电子设备400处于操作模式，如呼叫模式、记录模式和语音识别模式时，麦克风被配置为接收外部音频信号。所接收的音频信号可以被进一步存储在存储器404或经由通信组件416发送。在一些实施例中，音频组件410还包括一个扬声器，用于输出音频信号。

i/o接口412为处理组件402和外围接口模块之间提供接口，上述外围接口模块可以是键盘，点击轮，按钮等。这些按钮可包括但不限于：主页按钮、音量按钮、启动按钮和锁定按钮。

传感器组件414包括一个或多个传感器，用于为电子设备400提供各个方面的状态评估。例如，传感器组件414可以检测到设备400的打开/关闭状态，组件的相对定位，例如所述组件为电子设备400的显示器和小键盘，传感器组件414还可以检测电子设备400或电子设备400一个组件的位置改变，用户与电子设备400接触的存在或不存在，电子设备400方位或加速/减速和电子设备400的温度变化。传感器组件414可以包括接近传感器，被配置用来在没有任何的物理接触时检测附近物体的存在。传感器组件414还可以包括光传感器，如cmos或ccd图像传感器，用于在成像应用中使用。在一些实施例中，该传感器组件414还可以包括加速度传感器，陀螺仪传感器，磁传感器，压力传感器或温度传感器。

通信组件416被配置为便于电子设备400和其他设备之间有线或无线方式的通信。电子设备400可以接入基于通信标准的无线网络，如wifi，2g或3g，或它们的组合。在一个示例性实施例中，通信组件416经由广播信道接收来自外部广播管理系统的广播信号或广播相关信息。在一个示例性实施例中，所述通信组件416还包括近场通信(nfc)模块，以促进短程通信。例如，在nfc模块可基于射频识别(rfid)技术，红外数据协会(irda)技术，超宽带(uwb)技术，蓝牙(bt)技术和其他技术来实现。

在示例性实施例中，电子设备400可以被一个或多个应用专用集成电路(asic)、数字信号处理器(dsp)、数字信号处理设备(dspd)、可编程逻辑器件(pld)、现场可编程门阵列(fpga)、控制器、微控制器、微处理器或其他电子元件实现，用于执行上述方法。

在示例性实施例中，还提供了一种包括指令的非临时性计算机可读存储介质，例如包括指令的存储器404，上述指令可由电子设备400的处理器420执行以完成上述方法。例如，所述非临时性计算机可读存储介质可以是rom、随机存取存储器(ram)、cd-rom、磁带、软盘和光数据存储设备等。

一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由终端的处理器执行时，使得终端能够执行一种芯片温度的测试方法，所述方法包括：按照施加电流值对芯片引脚施加电流；对所述芯片引脚的电压进行检测，得到测试电压值；根据所述测试电压值和所述芯片引脚的正向压降差值，确定对所述芯片的温度测试结果。

可选地，对所述芯片引脚的环境温度进行调整；以及，在所述环境温度调整后，对所述芯片引脚的电压进行检测，得到测试电压值。或者，在所述环境温度调整后，等待预设时长后对所述芯片引脚的电压进行检测，得到至少一个测试电压值。

可选地，所述根据所述测试电压值和所述芯片引脚的正向压降差值，确定对所述芯片的温度测试结果，包括：获取所述芯片引脚的正向压降差值和预先设置的测试理论电压值；根据所述测试理论电压值和所述正向压降差值，对所述测试电压值进行计算，确定所述测试电压值对应的温度测试结果。

可选地，所述根据所述测试理论电压值和所述正向压降差值，对所述测试电压值进行计算，确定所述测试电压值对应的温度测试结果，包括：根据所述测试电压值和所述测试理论电压值进行计算，得到环境温度调整后的电压差；计算所述电压差与所述正向压降差值之间的比值；将所述比值与预设的芯片温度值进行相加，并将相加后得到的测试温度值确定为温度测试结果。

可选地，所述按照施加电流值对芯片引脚施加电流，包括：通过芯片测试机，按照施加电流值对所述芯片引脚施加电流。所述对所述芯片引脚的环境温度进行调整，包括：通过温度箱或罩杯，对所述芯片引脚的环境温度进行调整。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以预测方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种芯片温度的测试方法和装置、一种电子设备以及一种储存介质，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。