一种大尺寸超晶格薄膜及其制备方法和用途

文档序号:28162926发布日期:2021-12-24 20:52阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种超晶格膜,其特征在于,所述超晶格膜为含有超晶格材料的三维多孔膜;所述超晶格材料以化学式a
·
npbx2表示,其中,a选自具有如式1或式2所示结构的化合物:r1、r2、r3、r4、r1’
、r2’
、r3’
、r4’
相同或不同,彼此独立地选自c
1-10
烷基,例如c
1-6
烷基,示例性为甲基、乙基、丙基或丁基;r5、r6、r5’
、r6’
、r7’
、r8’
相同或不同,彼此独立地选自c
1-10
烷基、h,例如c
1-6
烷基、h,示例性为甲基、乙基、h;x代表卤素,例如f、cl、br或i,优选为i;n≥4且为整数,优选地,n=4。2.根据权利要求1所述的超晶格膜,其特征在于,式1中,r1、r2、r3、r4相同,选自甲基或乙基。优选地,式1中,r5、r6相同,选自甲基、乙基或h。优选地,式2中,r1’
、r2’
、r3’
、r4’
相同,选自甲基或乙基。优选地,式2中,r5’
、r6’
、r7’
、r8’
相同,选自甲基、乙基或h。3.根据权利要求1或2所述的超晶格膜,其特征在于,a选自具有如式3-5任一项所示结构的化合物:
其中,式3化合物缩写为medab,式4化合物缩写为etdab,式5化合物缩写为meben。优选地,所述超晶格材料选自medab
·
4pbi2,etdab
·
4pbi2或meben
·
4pbi2。4.根据权利要求1-3任一项所述的超晶格薄膜,其特征在于,所述超晶格材料的制备过程包括如下步骤:将式1或式2所示结构的化合物和pbx2溶解于n,n-二甲基甲酰胺中,将膜浸润于上述溶液中后取出,将该膜置于白炽灯下光照后,得到绿色产物附着于膜上,为所述超晶格材料。优选地,所述式1或式2所示结构的化合物与pbx2的摩尔比为1:(4-10)。优选地,所述n,n-二甲基甲酰胺与所述式1或式2所示结构的化合物的体积摩尔比为(1-10)ml:1mmol。优选地,膜在溶液中的浸润时间为0.5-5min,例如1min。优选地,所述式1或式2所示结构的化合物与pbx2具有如权利要求1或2所述的含义。5.根据权利要求1-4任一项所述的超晶格膜,其特征在于,所述超晶格膜包括权利要求1-4任一项所述超晶格材料和多孔基底膜,所述超晶格材料分布在所述多孔基底膜的表面和孔隙中。优选地,所述超晶格材料未填充满所述多孔基底膜的所有孔隙。优选地,所述多孔基底膜选自纤维类多孔膜,例如滤纸、尼龙多孔滤膜、聚乙烯多孔膜。优选地,所述多孔基底膜的孔径为100nm-10μm,例如500nm-5μm。优选地,所述超晶格材料在所述多孔基底膜上的负载量为0.5-2mg/cm2。6.根据权利要求1-5任一项所述的超晶格膜,其特征在于,所述超晶格膜包括超晶格材料和多孔基底膜,所述超晶格材料分布在所述多孔基底膜的表面和孔隙中,所述超晶格材料未填充满所述多孔基底膜的所有孔隙;其中,所述超晶格材料选自medab
·
4pbi2,etdab
·
4pbi2或meben
·
4pbi2;所述多孔基底膜为滤纸、尼龙多孔滤膜或聚乙烯多孔膜。优选地,所述超晶格膜具有基本如图3中的b所示的形貌。7.权利要求1-6任一项所述超晶格薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:(1)将式1或式2所示结构的化合物和pbx2溶解于n,n-二甲基甲酰胺(dmf)中,得到混合溶液;(2)将多孔基底膜浸泡于所述混合溶液中,取出浸润后的多孔基底膜,对其进行光照处理,待基底颜色从浅黄色变成绿色,得到所述超晶格薄膜。8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述式1或式2所示结构的化合物与pbx2的摩尔比为1:(4-10)。优选地,步骤(1)中,所述n,n-二甲基甲酰胺与所述式1或式2所示结构的化合物的体积摩尔比为(1-10)ml:1mmol。优选地,步骤(2)中,所述浸泡的时间为0.5-5min。9.根据权利要求7或8所述超晶格薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:(1)将medab、etdab或meben和pbi2溶解于dmf中,得到混合溶液;(2)将多孔基底膜浸泡于所述混合溶液中,取出浸润后的多孔基底膜,对其进行光照处理,待基底颜色从浅黄色变成绿色,得到所述超晶格薄膜。
10.权利要求1-6任一项所述超晶格薄膜在爆炸物检测中的应用。优选地,所述爆炸物为含硝基爆炸物;优选为pa(苦味酸),rdx(环三亚甲基三硝胺),nb(硝基苯),dnb(二硝基苯),tnt(三硝基甲苯)。

技术总结
本发明提供一种大尺寸超晶格薄膜及其制备方法和用途。所述超晶格膜为含有超晶格材料的三维多孔膜;超晶格材料以化学式A


技术研发人员:徐刚 王观娥
受保护的技术使用者:中国科学院福建物质结构研究所
技术研发日:2020.06.24
技术公布日:2021/12/23
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