技术特征：
1.一种t/r组件微穿墙过渡结构，其特征在于，包括：基板(62)，所述基板(62)的正面设有镀金焊盘(61)，所述基板(62)的背面设有bga植球焊盘；所述基板(62)上设有连接所述镀金焊盘(61)与所述bga植球焊盘的金属化孔(63)。2.如权利要求1所述的t/r组件微穿墙过渡结构，其特征在于，所述基板(62)的板材为环氧树脂。3.如权利要求1所述的t/r组件微穿墙过渡结构，其特征在于，所述镀金焊盘(61)与所述bga植球焊盘的数量均为奇数个，且位置一一对应，所述金属化孔(63)为直通孔。4.如权利要求3所述的t/r组件微穿墙过渡结构，其特征在于，所述镀金焊盘(61)与所述bga植球焊盘在各自的平面上呈多排排列，且错位布设。5.如权利要求3所述的t/r组件微穿墙过渡结构，其特征在于，所述镀金焊盘(61)与所述bga植球焊盘的间距s≥0.65mm。6.如权利要求3所述的t/r组件微穿墙过渡结构，其特征在于，所述镀金焊盘(61)及所述bga植球焊盘的最外边缘距所述基板(62)的边缘的距离l1≥0.2mm。7.如权利要求1所述的t/r组件微穿墙过渡结构，其特征在于，所述bga植球焊盘凸点高度在0.28mm～0.35mm范围，共面性≤0.04mm。8.如权利要求1所述的t/r组件微穿墙过渡结构，其特征在于，所述金属化孔(63)内有填充树脂(64)。9.如权利要求1所述的t/r组件微穿墙过渡结构，其特征在于，所述镀金焊盘(61)自所述基板(62)向外依次包括镀镍层和镀金层。10.一种t/r组件，其特征在于，包括：具有正面腔体(8)和背面腔体(4)的盒体；盒体隔墙(2)，设于所述盒体内，以分隔为所述正面腔体(8)和所述背面腔体(4)，所述盒体隔墙(2)上设于安装孔(5)；微波板(1)，设置于所述盒体隔墙(2)的正面，且位于所述正面腔体(8)内；控制板(3)，设置于所述盒体隔墙(2)的背面，且位于所述背面腔体(4)内；如权利要求1-9任一项所述的t/r组件微穿墙过渡结构(6)，其基板(62)的厚度h与所述盒体隔墙(2)的关系式为：h≤h≤2w；h为盒体隔墙(2)的厚度，w为基板(62)的窄边宽度。
技术总结
本发明提供了一种T/R组件微穿墙过渡结构及T/R组件，属于微波毫米波及太赫兹技术领域，包括基板，基板的正面设有镀金焊盘，基板的背面设有BGA植球焊盘；基板上设有连接镀金焊盘与BGA植球焊盘的金属化孔。T/R组件包括具有正面腔体和背面腔体的盒体、盒体隔墙、微波板、控制板和T/R组件微穿墙过渡结构。本发明提供的T/R组件微穿墙过渡结构，利用便于自动化生产的微穿墙过渡结构，相比传统的绝缘子过渡针体积大大缩小，成本更低，可操作性更强；同时因弥补了射频板和电源板过渡的高度差，相比传统的键合丝穿墙过渡，可靠性更高，更便于自动化生产。产。产。
技术研发人员：蒋赞勤 厉志强 刘星 李浩 冀乃一 许春良
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十三研究所
技术研发日：2022.03.18
技术公布日：2022/8/4