标片结构、光学缺陷检测系统及方法与流程

1.本技术涉及半导体技术领域，特别是涉及一种标片结构、光学缺陷检测系统及方法。


背景技术：

2.随着半导体工艺技术的快速发展，晶圆缺陷检测技术越来越重要，绝大多数半导体工艺完成后都需要进行缺陷检测，以确保产品质量的可控性，光学缺陷检测技术可以通过光学成像原理在短时间内对芯片进行大范围缺陷检测，缺陷检测机台检出率稳定性的关键在于光源及光路的稳定性，光源及光路问题都会影响光强，使检测结果出现大量噪声干扰，以致影响最终检测结果。
3.传统的检测标片在进行缺陷检测的过程中，存在灵敏度较低导致产品存在缺陷漏检的风险。因此，亟须提供一种灵敏度更高的新型标片，尽可能降低缺陷漏检的风险，提高半导体产品的良率及可靠性。


技术实现要素：

4.基于此，有必要针对传统技术中标片的灵敏性较低而无法及时检测机台光强变化的情况，提供一种标片结构、光学缺陷检测系统及方法，以提高标片对于检测机台光强变化的灵敏度，从而及时发现检测机台出现的光强问题，降低晶圆缺陷检测出现漏检的风险。
5.为实现上述目的及其他相关目的，本技术的一方面提供一种标片结构，用于及时检测出光学缺陷检测机台的异常光强减弱缺陷，标片结构包括：
6.光阻图形层，位于衬底的第一表面，包括预设数量间隔分布的缺陷图形；
7.其中，光学缺陷检测机台根据比较检测图像及预设图像的结果判断是否存在异常光强减弱缺陷；检测图像为所述光学缺陷检测机台拍摄第一表面获取的图像。
8.在上述实施例中，于半导体衬底的第一表面形成的光阻图形层包括预设一定数量的缺陷图形，其中，缺陷图形的数量大于或等于1，且缺陷图形分布情况为间隔分布，缺陷图形用来检验检测机台光强的变化，若光强出现减弱的情况，具有光阻图形层的标片能够及时监测出这种减弱情况，从而能够在晶圆检测出现缺检或漏检的情况之前采取包括及时调整光强或更换光源的方式对检测系统进行优化，降低了晶圆缺陷检测中漏检的风险；在传统技术中光学缺陷检测机台中的标片一般采用硅基材质，本技术标片中缺陷图形的材质决定了其对于光的反射率和硅基材质相比较小，所以对于光强减弱情况的检测更为灵敏，可以及时检测出机台光强的变化从而更大程度上避免相邻前一步半导体工艺后的晶圆出现缺陷漏检的情况，且避免了采用硅基材质的标片会导致部分材质的产品异常很难及时发现的现象，提高了半导体产品的良率。
9.在其中一个实施例中，光阻图形层的材料包括有机材料。
10.在其中一个实施例中，至少一相邻缺陷图形之间的间隙暴露出第一表面。
11.在其中一个实施例中，间隙的数量与预设数量相等。
12.在其中一个实施例中，异常光强减弱缺陷包括异常光源缺陷及/或异常光路缺陷。
13.在其中一个实施例中，衬底包括硅衬底、硅锗衬底、硅锗碳衬底、绝缘体上硅衬底及绝缘体上硅锗衬底中至少一种。
14.本技术的另一方面提供一种光学缺陷检测系统，光学缺陷检测系统包括本技术中任一个实施例所述的标片结构及光学缺陷检测机台，光学缺陷检测机台用于根据比较检测图像及预设图像的结果判断是否存在异常光强减弱缺陷；其中，检测图像为光学缺陷检测机台拍摄标片的衬底的第一表面获取的图像。
15.在上述实施例中，标片结构通过对于光学缺陷检测系统进行定期的检测，从而对于系统中光强减弱的情况做出及时的反馈，及时发现光强异常的情况进而对系统中的光强进行调整，光强的调整包括对光源以及光路的调整，更大程度上避免了存在已检测晶圆中有缺陷被漏检的现象。因为本技术中光学缺陷检测系统的标片结构中包括光阻图形层，而光阻图形层的材料包括有机材料，有机材料对于光的反射率较小，所以对于光强减弱情况的检测更为灵敏，可以及时检测出机台光强的变化且避免了采用灵敏度较低材料的标片会导致部分对光强灵敏度较高材料的产品缺陷无法被检测出的现象，提高了半导体产品的良率。
16.在其中一个实施例中，异常光强减弱缺陷包括异常光源缺陷及/或异常光路缺陷。
17.本技术的再一方面提供一种检测方法，检测方法基于本技术中任一个实施例所述的标片结构实现，检测方法包括：
18.在设置本技术中任一个实施例所述的标片结构之后，控制光学缺陷检测机台拍摄标片衬底的第一表面获取检测图像；
19.比较检测图像及预设图像，并根据比较结果判断是否存在异常光强减弱缺陷。
20.在上述实施例中，本技术提供的检测晶圆缺陷的方法可以及时发现检测系统出现的光强问题，若光强出现减弱的情况，具有光阻图形层的标片能够及时监测出这种减弱情况，从而能够在晶圆检测出现缺检或漏检的情况之前采取包括及时调整光强或更换光源的方式对检测系统进行优化，降低了晶圆缺陷检测中漏检的风险。本技术提供的检测晶圆缺陷的方法与传统技术方法相比，可以更快地发现检测系统中出现的光强减弱问题，从而更大程度上避免相邻前一步半导体工艺后的晶圆出现缺陷漏检的情况，提高半导体产品的良率。
21.在其中一个实施例中，异常光强减弱缺陷包括异常光源缺陷及/或异常光路缺陷。
附图说明
22.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
23.图1显示为本技术一实施例中提供的光学缺陷检测机台原理示意图；
24.图2-图3显示为本技术另一实施例中提供的光学缺陷检测机台原理示意图；
25.图4显示为本技术一实施例中提供的一种标片结构的截面示意图；
26.图5-图7显示为本技术一实施例中提供的一种标片结构的制备方法示意图；
27.图8显示为本技术一实施例中提供的一种传统标片对于光学缺陷检测机台检出率的监测示意图；
28.图9显示为本技术一实施例中提供的一种标片结构对于光学缺陷检测机台检出率的监测示意图。
29.附图标记说明：
30.10、衬底；101、衬底的第一表面；11、第一光阻层；12、第二光阻层；13、光阻图形层。
具体实施方式
31.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的首选实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
32.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
33.应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
34.空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
35.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
36.这里参考作为本技术的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述申请的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本技术的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形
状偏差，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本技术的范围。
37.每台检测机台都有标片定期对机台的检出率进行监测，当标片检测缺陷数量与标片实际缺陷数量大于一定数值时光强的大小可以正常使机台进行检测工作，传统技术中运用材质为硅的标片对机台进行检测，但当检测机台的光源开始出现减弱情况时，传统硅基的标片灵敏度较低，无法及时检测出机台的光强变化，以致产品存在缺陷漏检的风险。
38.请参阅图1，随着半导体工艺的快速发展，在半导体工艺步骤完成后，一般都需要进行晶圆缺陷检测以保证半导体产品的质量。光学缺陷检测是采用高精度的光学检测技术，通过光学成像原理对图像进行比对以找出缺陷图像，可以在短时间内进行大范围检测。具体地，首先在光学缺陷检测系统中输入一预设图像，在检测过程中逐一获取晶圆表面的检测图像，使晶圆表面检测图像与预设图像进行比对，判断两个图像是否存在差异部分，获取差异部分并输出为缺陷图像，以检测存在缺陷的晶圆。
39.请参阅图2-图3，在晶圆缺陷检测过程中，光学缺陷检测系统自身检出率的稳定性至关重要，而决定检出率稳定性的关键因素包括光强的稳定性，若光强出现减弱情况，则晶圆检测图像中的缺陷与背景之间的对比度会减小，在检测过程中出现噪声的可能性增大，图2为正常光强下光学缺陷检测机台获取的图像，此时噪声较小，晶圆检测图像中的缺陷与背景的信噪比较大；图3为光强减弱情况下光学缺陷检测机台获取的图像，此时噪声增大，导致晶圆检测图像中的缺陷与背景的信噪比减小，以致检测结果被干扰，影响检测结果的真实性和稳定性。在半导体工艺制程中，绝大多数半导体工艺完成后都会进行晶圆表面的缺陷检测，以确保半导体产品质量的稳定性，在光学缺陷检测系统中，每台光学缺陷检测机台都会一一对应地配备标片以定期对机台的检出率进行监测，当标片检测出的缺陷数量与标片实际的缺陷数量之比大于0.9时机台的检出率视为合格，可以正常进行晶圆表面缺陷检测。在传统半导体制备工艺中，光学缺陷检测机台标片的制作材料一般以硅为主，但硅片制作的具有图形缺陷的标片对于光强变化的灵敏度不高，当检测系统出现光强减弱情况时，硅片制作的标片很难及时检测到这种变化，会出现标片检测出异常情况滞后于部分产品检测出异常的情况，在这时会出现部分缺陷产品漏检的情况，导致半导体产品质量参差不齐，无法保证产出产品的良率。本技术针对传统技术中标片的灵敏性较低以致无法及时检测机台的光强变化的情况，提供一种标片结构、光学缺陷检测系统及方法，以提高标片对于检测机台光强变化的灵敏度，从而及时发现检测机台出现的光强问题，降低在晶圆缺陷检测中存在缺陷的晶圆出现漏检的风险，以确保半导体产品质量的稳定性以及良率。
40.作为示例，本技术提供了一种标片结构，用于及时检测出光学缺陷检测机台的异常光强减弱缺陷，标片结构包括光阻图形层，其位于衬底的第一表面，包括预设数量间隔分布的缺陷图形；其中，光学缺陷检测机台根据比较标片的检测图像及预设图像的结果判断是否存在异常光强减弱缺陷；标片的检测图像为光学缺陷检测机台拍摄标片衬底的第一表面获取的图像。
41.请参阅图4，图4为本技术提供的一种标片结构截面示意图，这种标片结构能够及时检测出光学缺陷检测机台的异常光强减弱缺陷，标片结构包括衬底10及光阻图形层13，光阻图形层13位于衬底的第一表面101，且光阻图形层13包括预设数量间隔分布的缺陷图形，标片结构中的缺陷图形用于对光学缺陷检测机台的光强变化进行监测。
42.请参阅图4-图7，标片结构包括衬底10及位于衬底10之上的光阻图形层13，光阻图形层13的形成过程可以采用如下制备方法：
43.步骤s1：请参阅图5-图6，在衬底10上形成第一光阻层11和第二光阻层12，其中，第一光阻层11设置在衬底10上，第二光阻层12设置在第一光阻层11上。具体的，在涂布第一光阻层11与第二光阻层12之前，对衬底10采用化学清洗或冲洗等方式进行清洗并烘干，去除衬底10上的污染或颗粒，减少针孔或其他缺陷，以提高第一光阻层11与第二光阻层中光刻胶的附着性。对衬底10进行预处理，确保衬底10的表面完全且平整，涂布时能够确保第一光阻层11的厚度均匀性，以确保第一光阻层11的显影效果。在第一光阻层11形成后，对第一光阻层11进行烘烤，可以在80℃-90℃下进行烘烤，例如，烘烤温度可以为80℃、81℃、82℃、85℃、87℃或90℃等等，且烘烤时间可以为15min-25min，例如，烘烤时间可以设置为15min、16min、18min、20min、23min或25min等等。在第一光阻层11上涂布第二光阻层12，第二光阻层12覆盖第一光阻层11远离衬底10的表面，且确保第一光阻层11和第二光阻层12的极性不同。在本实施例中，第一光阻层11设置为正胶，第二光阻层12设置为负胶，在其他实施例中，第一光阻层11也可以设置为负胶，第二光阻层12也可以设置为正胶。
44.步骤s2：请参阅图7，在第二光阻层12形成后，利用掩膜版(未图示)对第二光阻层12进行曝光显影处理，由于第二光阻层12为负胶，掩膜版覆盖的区域在显影过程中可以被去除掉，而未被掩膜板覆盖而可以透光的区域(未图示)在第一次曝光过程中发生了负性光敏反应，保留在第一光阻层11上。且第一光阻层11和第二光阻层12的极性不同，因此，在第二光阻层12曝光显影后，在第一光阻层11上形成图案化的第二光阻层12(未图示)，图案化的第二光阻层12作为第一光阻层11的掩膜。
45.步骤s3：请参阅图4，对第一光阻层11进行显影，去除部分第一光阻层11，以形成光阻图形层13，光阻图形层13包括预设数量间隔分布的缺陷图形，在形成光阻图形层13后，去除第二光阻层12。在形成光阻图形层13的过程中，同一衬底10上的光阻图形层13中不同缺陷图形的高度一致，不同衬底10上的光阻图形层13的高度相同或不同，以模拟不同产品或产品在不同制备过程中，产品衬底10上功能层的高度。由于光阻图形层13和衬底10之间具有高度差，从而在衬底10上形成高低不平的表面，以模拟晶圆的表面缺陷，存在表面缺陷的标片可以对光学缺陷检测系统的光强变化进行及时监测，以保证光学缺陷检测系统的检出率大于等于预设数值。
46.作为示例，光阻图形层的形成过程还可以采用如下制备方法(未图示)：在衬底上仅形成第一光阻层，且第一光阻层可以为正胶，也可以为负胶。在第一光阻层形成后，通过掩膜版对第一光阻层进行曝光显影处理，以在衬底上形成光阻图形层，该方法方便快捷且节约工艺时间。
47.作为示例，已经形成的光阻图形层强度和耐热性等性能较差，可对光阻图形层进行处理。具体的，光阻图形层的处理方式包括使用深紫外光对光阻图形层进行照射处理，深紫外光的波长可包括220-320nm，例如，深紫外光的波长可为220nm、250nm、280nm、300nm或320nm等等，深紫外光照射处理的时间可以为10-40min，例如，深紫外光照射处理的时间可以为10min、20min、28min、35min或40min等等。通过深紫外光处理，光阻图形层在深紫外光的作用下，发生聚合反应，达到硬化光阻图形层的作用。对光阻图形层进行深紫外光的处理，可以在常温下进行，也可以对光阻图形层进行加热处理。
48.在上述实施例中，于半导体衬底的第一表面形成的光阻图形层包括预设一定数量的缺陷图形，其中，缺陷图形的数量大于或等于1，且缺陷图形分布情况为间隔分布，缺陷图形用来检验检测机台光强的变化，若光强出现减弱的情况，具有光阻图形层的标片能够及时监测出这种减弱情况，从而能够在晶圆检测出现缺检或漏检的情况之前采取包括及时调整光强或更换光源的方式对检测系统进行优化，降低了晶圆缺陷检测中漏检的风险；在传统技术中光学缺陷检测机台中的标片一般采用硅基材质，本技术标片中缺陷图形的材质决定了其对于光的反射率和硅基材质相比较小，所以对于光强减弱情况的检测更为灵敏，可以及时检测出机台光强的变化从而更大程度上避免相邻前一步半导体工艺后的晶圆出现缺陷漏检的情况，且避免了采用硅基材质的标片会导致部分材质的产品异常很难及时发现的现象，提高了半导体产品的良率。
49.作为示例，光阻图形层的材料包括有机材料，具体地，光阻图形层的材料包括高分子树脂及光活性物质。
50.作为示例，至少一相邻缺陷图形之间的间隙暴露出第一表面；且间隙的数量与预设数量相等。
51.作为示例，异常光强减弱缺陷包括异常光源缺陷及/或异常光路缺陷；具体地，异常光源缺陷包括光源亮度不足及光源发光不稳定，异常光路缺陷包括光在传输过程中的稳定性不足。
52.作为示例，衬底包括硅衬底、硅锗衬底、硅锗碳衬底、绝缘体上硅衬底及绝缘体上硅锗衬底中至少一种。具体地，衬底可以为任意适用的半导体材料，或者其它iii/v化合物形成的半导体材料等，还包括这些半导体构成的叠层结构，本技术不限制衬底的材料，具体可根据模拟的半导体产品的生产过程对衬底进行选择，具体地，在本实施例中，衬底可为硅半导体衬底。
53.作为示例，本技术的另一方面提供一种光学缺陷检测系统，光学缺陷检测系统包括本技术中任一个实施例所述的标片结构及光学缺陷检测机台，光学缺陷检测机台用于根据比较标片的检测图像及预设图像的结果判断是否存在异常光强减弱缺陷；标片的检测图像为光学缺陷检测机台拍摄衬底的第一表面获取的图像。
54.作为示例，光学缺陷检测系统还可以包括：正负电极、电源、图像采集模块及缺陷鉴别模块，正电极用于设置在晶圆的第一表面，作为正极端；负电极用于设置在晶圆的第二表面，作为负极端；电源分别与正极端和负极端连接，通过正极端和负极端给晶圆通电，以使得晶圆发光；图像采集模块用于接收晶圆发出的光场以采集晶圆表面在完成相邻前一步工艺后的检测图像；缺陷鉴别模块用于获取标片的预设图像，并与图像采集模块采集的检测图像进行对比，以对比出缺陷图像。光强正常的光学缺陷检测系统能够准确而及时地检测出晶圆存在的缺陷，确保检测的准确性。进一步地，在检测出晶圆缺陷后，根据对晶圆缺陷的检测结果可以查找缺陷产生的原因，从而可对制程工艺的改善提供精确的依据，具体地，可以掌握微粒缺陷的尺寸、数量及分布位置，必要时结合对被检测硅片进行切片、微粒元素分析等分析手段对晶圆进行分析以提高半导体产品的良率。
55.在上述实施例中，标片结构通过对于光学缺陷检测系统进行定期的检测，从而对于系统中光强减弱的情况做出及时的反馈，及时发现光强异常的情况进而对系统中的光强进行调整，光强的调整包括对光源以及光路的调整，更大程度上避免了已检测晶圆中有缺
陷被漏检的现象。因为本技术中光学缺陷检测系统的标片结构中包括光阻图形层，而光阻图形层的材料包括有机材料，有机材料对于光的反射率较小，所以对于光强减弱情况的检测更为灵敏，可以及时检测出机台光强的变化且避免了采用灵敏度较低材料的标片会导致部分对光强灵敏度较高材料的产品缺陷无法被检测出的现象，提高了半导体产品的良率。
56.作为示例，异常光强减弱缺陷包括异常光源缺陷及/或异常光路缺陷；具体地，异常光源缺陷包括光源亮度不足及光源发光不稳定，异常光路缺陷包括光在传输过程中的稳定性不足。
57.作为示例，本技术的再一方面提供一种检测方法，检测方法基于本技术中任一个实施例所述的标片结构实现，检测方法包括：
58.在设置本技术中任一个实施例所述的标片结构之后，控制光学缺陷检测机台拍摄标片的衬底的第一表面获取标片的检测图像；
59.比较标片的检测图像及预设图像，并根据比较结果判断是否存在异常光强减弱缺陷。
60.作为示例，具体地，首先在光学缺陷检测系统中输入一预设图像，在检测过程中控制光学缺陷检测机台拍摄标片的衬底的第一表面逐一获取标片的检测图像，使标片的检测图像与预设图像进行比对，判断两个图像是否存在差异部分，若存在差异部分，获取差异部分并输出为缺陷图像，以检测出在完成相邻前一步工艺后晶圆存在的缺陷。
61.作为示例，使标片的检测图像与预设图像进行比对，判断两个图像是否存在差异部分还包括以下步骤：
62.步骤s40：在图像采集模块获取预设图像及标片的检测图像后，将获取的图像通过图像传感器传输给图像学习模块；
63.步骤s41：图像学习模块将获取的图像转换为对应的数字化图像，并将数字化图像传输给图像处理模块；
64.步骤s42：图像处理模块将数字化的图像转换为像素化的图像，像素化的图像可以包括多个具有不同灰度的像素点，例如，像素化的图像可以为10*10的像素图形，以模拟预设图像与标片的检测图像实际的背景图像与缺陷图像；
65.步骤s43：将像素化后的预设图像与标片的检测图像输入进缺陷鉴别模块进行比对，缺陷鉴别模块对预设图像与标片的检测图像一一对应位置的像素灰度进行比对后，将对应位置像素灰度不同的像素图形输出，以定位标片中的图形化缺陷，从而判断光学缺陷系统中光强是否正常。
66.作为示例，请参阅图8-图9，步骤s43还包括如下步骤：
67.步骤s430：将对应位置像素化后的预设图像的像素灰度值与像素化后的标片的检测图像像素值进行比较，计算出两者的像素灰度差值，如果像素灰度差值在预设灰度差值以内，则光学缺陷检测系统的光强符合标准；如果像素灰度差值超出预设灰度差值以外，则光学缺陷检测系统的光强不符合标准，需要及时对光强进行优化，具体地，可以对光源及光路进行优化。请参阅图8，在利用传统标片对光学缺陷检测系统进行检测时，在系统已经出现光强异常减弱的情况下，传统标片未能及时检测出光强的异常，这种情况容易导致光学缺陷检测机台对于缺陷晶圆的检测出现漏检的情况；请参阅图9，在采用本技术中提供的一种标片结构对光学缺陷检测系统进行检测时，当系统刚开始出现光强异常减弱时，标片能
够及时检测出系统光强的异常，此时对机台进行更换光源等操作可保证系统的检出率，避免了因光强减弱而导致存在缺陷的晶圆被漏检的情况发生，提高了半导体产品的良率。
68.在上述实施例中，本技术提供的检测晶圆缺陷的方法可以及时发现检测系统出现的光强问题，若光强出现减弱的情况，具有光阻图形层的标片能够及时监测出这种减弱情况，从而能够在晶圆检测出现缺检或漏检的情况之前采取包括及时调整光强或更换光源的方式对检测系统进行优化，降低了晶圆缺陷检测中漏检的风险。本技术提供的检测晶圆缺陷的方法与传统技术方法相比，可以更快地发现检测系统中出现的光强减弱问题，从而更大程度上避免相邻前一步半导体工艺后的晶圆出现缺陷漏检的情况，提高半导体产品的良率。
69.作为示例，异常光强减弱缺陷包括异常光源缺陷及/或异常光路缺陷；具体地，异常光源缺陷包括光源亮度不足及光源发光不稳定，异常光路缺陷包括光在传输过程中的稳定性不足。
70.请注意，上述实施例仅出于说明性目的而不意味对本技术的限制。
71.应该理解的是，除非本文中有明确的说明，所述的步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，所述的步骤的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
72.本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
73.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
74.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。