技术总结
本发明涉及半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种肖特基二极管的工艺设计，肖特基二极管包括半导体衬底、外延层、沟槽、栅介质层、多晶硅、肖特基接触金属、正面金属层和背面金属层，半导体衬底的上表面设置有外延层，外延层上的两端设有沟槽，沟槽内表面设置有栅介质层，沟槽内部设置有多晶硅，外延层上表面设置有肖特基接触金属，正面金属层设于肖特基接触金属的上表面，背面金属层设于半导体衬底一侧的表面。本发明利用SILVACO TCAD对肖特基二极管进行结构与电学特性建模，从而确定影响肖特基二极管的耐压与电流的模型参数，通过控制变量法，不断调整优化参数，使得肖特基二极管的击穿与可靠性达到最佳组合，从而缩短开发周期和提高成品率。
技术研发人员：姚剑锋;王自鑫;刘卫华;郭建平;邱晓辉;张顺;张国光;严向阳
受保护的技术使用者：佛山市蓝箭电子股份有限公司
文档号码：201610963476
技术研发日：2016.10.28
技术公布日：2017.02.22