技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基于反应‑扩散理论的预测NBTI长时恢复的解析方法，包括：步骤一：获取p‑MOSFET器件的器件参数；步骤二：基于基础反应‑扩散理论，得出描述NBTI长时恢复的一般解析模型；步骤三：基于界面陷阱的快速恢复和H2的锁定效应，修正一般解析模型；步骤四：基于DH2是随时间变化的物理量，引入参数ξ随时间变化的表达式进行修正，得到完整的用于描述NBTI长时恢复的解析模型；步骤五：根据解析模型，预测p‑MOSFET器件的NBTI长时恢复。本发明提出的解析模型纳入了H2的扩散系数随恢复时间衰减和锁定效应这两个因素，并且通过与R‑D模型数值解比较验证了本发明的有效性。
技术研发人员：李小进;曾严;孙亚宾;石艳玲;胡少坚;郭奥
受保护的技术使用者：华东师范大学;上海集成电路研发中心公司
技术研发日：2017.04.25
技术公布日：2017.09.26