本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种触控基板及其制备方法、触控面板。
背景技术：
随着显示技术的飞速发展，触摸面板(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前，触摸面板按照组成结构可以分为外挂式(Add on Mode)、覆盖表面式(On Cell)、内嵌式(In Cell)等。其中，外挂式触摸面板是将触摸模组与显示模组分开生产，然后贴合到一起成为具有触摸功能的触摸面板，存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。而内嵌式触摸面板是将触摸模组的触控电极内嵌在显示模组内部，将显示与触控合二为一，不仅产品更轻薄，而且成本更低。
目前，内嵌式触控面板主要有三种类型：电阻式触控面板、电容式触控面板、光学式触控面板，相对于电阻式触控屏，电容式触控屏具有寿命长、透光率高、可以支持多点触控等优点，且对噪声和对地寄生电容也有很好的抑制作用，因此电容式触控屏已逐渐成为主流的触控面板。电容式触控屏主要包括自容式触控屏和互容式触控屏，由于自容式触控屏只需一层触控电极，通过检测触控电极的自电容是否发生变化即可实现触摸检测，具有结构简单、便于实现等优点。
经本申请发明人研究发现，现有内嵌电容式触控面板暗线不良的发生率很高，严重影响了产品的良品率。
技术实现要素：
本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种触控基板及其制备方法、触控面板，以克服现有触控面板暗线不良发生率高的缺陷。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种触控基板，包括形成在显示区域的显示结构层和形成在扇出区域的扇出结构层，所述扇出结构层包括多条信号引出线，所述扇出结构层上设置有覆盖所述信号引出线的保护层。
可选地，所述保护层仅设置在所述扇出结构层上，所述保护层的材料包括氮化硅、氧化硅或氮化硅/氧化硅的复合层。
可选地，所述保护层设置在所述显示结构层和扇出结构层上，所述保护层的材料包括树脂。
可选地，所述保护层的厚度为
可选地，所述扇出结构层包括：设置在基底上的栅引出线，覆盖所述栅引出线的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的数据引出线，覆盖所述数据引出线的第二绝缘层，设置在所述第二绝缘层上的信号引出线；
所述保护层覆盖所述信号引出线，第三绝缘层设置在所述保护层上；或者，第三绝缘层覆盖所述信号引出线，所述保护层设置在所述第三绝缘层上。
本发明实施例还提供了一种触控面板，包括前述的触控基板。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种触控基板的制备方法，包括：
在基底上形成位于显示区域的显示结构层和位于扇出区域的扇出结构层，所述扇出结构层包括多条信号引出线；
在所述扇出结构层上形成覆盖所述信号引出线的保护层。
可选地，在所述扇出结构层上形成覆盖所述信号引出线的保护层，包括：
在显示结构层和扇出结构层上涂覆一层光刻胶；
对光刻胶进行曝光并显影，保留所述显示结构层上的光刻胶；
沉积绝缘层后，通过光刻胶剥离工艺去除所述显示结构层上的光刻胶和所述光刻胶上的绝缘层，在所述扇出结构层上形成覆盖所述信号引出线的保护层。
可选地，在所述扇出结构层上形成覆盖所述信号引出线的保护层，包括：
在显示结构层和扇出结构层上涂覆一层绝缘层；
对所述绝缘层进行退火固化处理，在所述显示结构层和扇出结构层上形成保护层。
可选地，所述保护层的厚度为
本发明实施例提供了一种触控基板及其制备方法、触控面板，通过在扇出区域增加了覆盖信号引出线的保护层，在后续进行切割工艺时，即使切割刀头划伤扇出区域，也不会轻易导致信号引出线断线，有效降低了暗线不良缺陷的发生率。在一个实施例中，本发明采用光刻胶作为衬底层的方式，有效解决了现有工艺无法去除大面积绝缘层的问题。本发明所提出的分区域保护的技术构思，对现有工艺的改进较小，便于实施，生产成本低，同时无需改变原有阵列基板的设计和结构，制备保护层过程对阵列基板性能的影响小，保证了产品性能，具有良好的应用前景。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
图1为本发明实施例触控基板的平面示意图；
图2A为本发明触控基板第一实施例显示区域的结构示意图；
图2B为本发明触控基板第一实施例扇出区域的结构示意图；
图3A和图3B为本发明第一实施例形成栅电极等图案后的示意图；
图4A和图4B为本发明第一实施例形成有源层图案后的示意图；
图5A和图5B为本发明第一实施例形成源漏电极等图案后的示意图；
图6A和图6B为本发明第一实施例形成触控电极图案后的示意图；
图7A和图7B为本发明第一实施例形成信号引出线图案后的示意图；
图8A和图8B为本发明第一实施例涂覆光刻胶后的示意图；
图9A和图9B为本发明第一实施例曝光显影后的示意图；
图10A和图10B为本发明第一实施例沉积绝缘层后的示意图；
图11A和图11B为本发明第一实施例剥离工艺后的示意图；
图12A和图12B为本发明第一实施例形成第三绝缘层图案后的示意图；
图13为本发明触控基板第二实施例的结构示意图；
图14A和图14B为本发明触控基板第三实施例的结构示意图。
附图标记说明:
1—显示区域； 2—扇出区域； 3—触控电极；
4—信号引出线； 10—基底； 11—栅电极；
12—第一绝缘层； 13—有源层； 14—信号线；
15—源漏电极； 16—第二绝缘层； 17—触控电极；
18—第三绝缘层； 19—像素电极； 20—保护层；
21—栅引出线； 22—数据引出线； 23—信号引出线；
30—光刻胶； 31—绝缘层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
现有自容内嵌式触控面板是在阵列基板上设置规则排列的多个触控电极，每个触控电极是大小约为4*4mm或5*5mm的矩形图案，通过信号引出线与触控驱动电路连接。目前，触控面板采用提供公共电压的电极层作为触控层，将电极层进行分割形成多个触控电极。触控面板采用分时驱动的工作方式，显示时段和触控时段的驱动信号分开处理。在显示时段内，数据线由数据驱动电路供给显示信号，触控电极复用为公共电极，信号引出线复用为公共电极线，信号引出线向触控电极提供公共电压，不进行触控信号扫描，确保正常显示。在触控时段内，触控驱动电路通过信号引出线进行触控信号扫描，人手指的触摸会导致相应触控电极的自电容发生变化，触控驱动电路根据触控电极的电容变化来判断手指的具体位置，两者分时独立工作。
近年来，高分辨率(Pixels Per Inch，PPI)触控面板逐渐成为行业发展趋势，为了实现高PPI显示，传统触控面板中各膜层结构有了很大调整，其中覆盖信号引出线的绝缘层的厚度从传统设计的以上减小到左右。经本申请发明人研究发现，正是由于覆盖信号引出线的绝缘层较薄，使得现有触控面板存在暗线不良发生率高的缺陷。由于覆盖信号引出线的绝缘层较薄，导致信号引出线得不到很好的保护，特别是在扇出(Fanout)区域，信号引出线上面只覆盖一层较薄的绝缘层，在后续进行切割工艺时，一旦切割刀头划伤扇出区域，很容易造成信号引出线断开，因而暗线不良缺陷的发生率较高。
为此，本发明实施例提供了一种触控基板，以克服现有触控面板存在暗线不良发生率高的缺陷。图1为本发明实施例触控基板的平面示意图。如图1所示，本发明实施例触控基板被划分为显示区域1和扇出区域2，显示区域包括栅线、数据线和触控电极3，栅线和数据线(未示出)垂直交叉限定若干个阵列排布的像素单元，每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，触控电极3为多个相互独立且呈阵列排布的矩形图案。扇出区域2位于显示区域1的一侧，包括多条信号引出线4，每一条信号引出线4分别与每个触控电极3连接，用于为显示区域1的触控电极3提供驱动信号。本发明实施例触控基板还包括保护层，保护层至少覆盖扇出区域，用于保护扇出区域的信号引出线，以减小暗线不良缺陷的发生率。
本发明实施例所提供的触控基板，通过设置覆盖扇出区域的保护层，有效降低了暗线不良缺陷的发生率。由于扇出区域增加了保护层，使得覆盖信号引出线的结构层较厚，在后续进行切割工艺时，即使切割刀头划伤扇出区域，也不会轻易导致信号引出线断线，因而有效降低了暗线不良缺陷的发生率。
本发明实施例的方案可以采用多种结构方式实现，下面通过具体实施例详细说明本发明实施例的技术方案。
第一实施例
图2A为本发明触控基板第一实施例显示区域的结构示意图，图2B为本发明触控基板第一实施例扇出区域的结构示意图。如图2A所示，触控基板的显示区域包括：设置在基底10上的栅电极11，覆盖栅电极11的第一绝缘层12，设置在第一绝缘层12上的有源层13和信号线14，设置在有源层13上的源漏电极15，覆盖有源层13、信号线14和源漏电极15的第二绝缘层16，设置在第二绝缘层16上的触控电极17，覆盖触控电极17的第三绝缘层18，设置在第三绝缘层18上的像素电极19。其中，栅电极11与栅线(未示出)同层设置且连接，信号线14和源漏电极15与数据线(未示出)同层设置，源电极与数据线连接，漏电极与源电极相对设置，其间区域形成水平沟道，漏电极通过第二绝缘层16和第三绝缘层18上开设的过孔与像素电极19连接，栅电极11、有源层13和源漏电极15构成薄膜晶体管。其中，触控电极同时作为公共电极。如图2B所示，触控基板的扇出区域包括：设置在基底10上的栅引出线21，覆盖栅引出线21的第一绝缘层12，设置在第一绝缘层12上的数据引出线22，覆盖数据引出线22的第二绝缘层16，设置在第二绝缘层16上的信号引出线23，覆盖信号引出线23的保护层20，设置在保护层20上的第三绝缘层18。其中，栅引出线21与栅电极11同层设置，数据引出线22与源漏电极15同层设置。也就是说，本实施例保护层20设置在覆盖信号线14和源漏电极15的第二绝缘层16与覆盖触控电极17的第三绝缘层18之间。
本实施例所提供的触控基板，通过在扇出区域增加了覆盖信号引出线的保护层，信号引出线上覆盖有保护层和第三绝缘层，形成了双层保护。在后续进行切割工艺时，即使切割刀头划伤扇出区域，也不会轻易导致信号引出线断线，有效降低了暗线不良缺陷的发生率。
下面通过触控基板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。其中，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是现有成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。
(1)在基底上形成栅电极、栅线和栅引出线图案。形成栅电极、栅线和栅引出线图案包括：在基底上沉积第一金属薄膜，在第一金属薄膜上涂覆一层光刻胶，采用掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在栅电极、栅线和栅引出线图案位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，对完全曝光区域的第一金属薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成栅电极11、栅线和栅引出线21图案。其中，栅电极11和栅线(未示出)图案形成在显示区域，栅引出线21图案形成在扇出区域。随后，沉积第一绝缘层12，第一绝缘层12既覆盖显示区域的栅电极11和栅线，又覆盖扇出区域的栅引出线21，即第一绝缘层12覆盖整个基底，如图3A和图3B所示。其中，图3A所示意的是显示区域，图3B所示意的是扇出区域。
(2)形成有源层图案。形成有源层图案包括：在第一绝缘层12上沉积一有源层薄膜，在有源层薄膜上涂覆一层光刻胶，采用掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在有源层图案位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，对完全曝光区域的有源层薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，在显示区域形成有源层13图案，有源层13位于栅电极11之上，如图4A和图4B所示。其中，图4A所示意的是显示区域，图4B所示意的是扇出区域。
(3)形成源漏电极、数据线、信号线和数据引出线图案。形成源漏电极、数据线、信号线和数据引出线图案包括：在形成有前述图案的基底上沉积第二金属薄膜，在第二金属薄膜上涂覆一层光刻胶，采用掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在源漏电极、数据线、信号线和数据引出线图案位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，对完全曝光区域的第二金属薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成数据线、信号线14、源漏电极15和数据引出线22图案。其中，信号线14、源漏电极15和数据线(未示出)图案形成在显示区域，数据引出线22图案形成在扇出区域，如图5A和图5B所示。其中，图5A所示意的是显示区域，图5B所示意的是扇出区域。源漏电极15中，源电极与数据线连接，漏电极与源电极相对设置，其间形成水平沟道，信号线14设置在第一绝缘层12上。
(4)形成第二绝缘层和触控电极图案。形成第二绝缘层和触控电极图案包括：先在形成有前述图案的基底上沉积第二绝缘层16，第二绝缘层16覆盖整个基底。随后在第二绝缘层16沉积第一透明导电薄膜，在第一透明导电薄膜上涂覆一层光刻胶，采用掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在触控电极图案位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，在其余位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，对完全曝光区域的第一透明导电薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，在显示区域形成触控电极17图案，如图6A和图6B所示。其中，图6A所示意的是显示区域，图6B所示意的是扇出区域。本实施例中，触控电极同时作为公共电极。
(5)形成信号引出线图案。形成信号引出线图案包括：在形成有前述图案的基底上沉积第三金属薄膜，在第三金属薄膜上涂覆一层光刻胶，采用掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在信号引出线图案位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，对完全曝光区域的第三金属薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，在扇出区域形成信号引出线23图案，如图7A和图7B所示。其中，图7A所示意的是显示区域，图7B所示意的是扇出区域。
(6)形成保护层图案。形成保护层图案包括：
①在形成有前述图案的基底上涂覆一层光刻胶30，光刻胶30覆盖整个基底，如图8A和图8B所示。其中，图8A所示意的是显示区域，图8B所示意的是扇出区域。本实施例中，涂覆的光刻胶30的厚度为优选地，光刻胶30的厚度为
②采用掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在扇出区域形成完全曝光区域，光刻胶被去除，在其它位置(包括显示区域)形成未曝光区域，保留有光刻胶，如图9A和图9B所示。其中，图9A所示意的是显示区域，图9B所示意的是扇出区域。
③在形成有前述图案的基底上沉积一层绝缘层(PVX)31，如图10A和图10B所示。其中，图10A所示意的是显示区域，图10B所示意的是扇出区域。本实施例中，绝缘层31的厚度为优选地，绝缘层31的厚度为
④进行光刻胶剥离工艺。由于显示区域的绝缘层31是形成在光刻胶30上，因此光刻胶剥离工艺后，显示区域的绝缘层31会与光刻胶30一起被剥离，而扇出区域的绝缘层31则保留下来，在扇出区域形成保护层20图案，如图11A和图11B所示。其中，图11A所示意的是显示区域，图11B所示意的是扇出区域。
(7)形成第三绝缘层图案。形成第三绝缘层图案包括：在形成有前述图案的基底上沉积第三绝缘层18，在第三绝缘层18上涂覆一层光刻胶，采用掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在过孔位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，在其它位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，对完全曝光区域的第三绝缘层18和第二绝缘层16进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成带有过孔的第三绝缘层18图案，过孔位于漏电极位置，过孔内的第三绝缘层18和第二绝缘层16被刻蚀掉，暴露出漏电极表面，如图12A和图12B所示。其中，图12A所示意的是显示区域，图12B所示意的是扇出区域。
(8)形成像素电极图案。形成像素电极图案包括：在形成有前述图案的基底上沉积第二透明导电薄膜，在第二透明导电薄膜上涂覆一层光刻胶，采用掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在像素电极图案位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，在其余位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，对完全曝光区域的第二透明导电薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，在显示区域形成像素电极19图案，像素电极19通过过孔与源漏电极15中的漏电极连接，如图2A和图2B所示。其中，图2A所示意的是显示区域，图2B所示意的是扇出区域。
本实施例中，基底可以采用玻璃基底或石英基底。第一、第二和第三金属薄膜可以采用铂Pt、钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种。第一、第二、第二绝缘层和保护层可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合薄膜。第一和第二透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO。有源层的材料既可以是单晶硅、多晶硅或金属氧化物。
通过图3A～图12B所示的制备触控基板的过程可以看出，本实施例通过在扇出区域增加了覆盖信号引出线的保护层，使得信号引出线上覆盖有保护层和第三绝缘层，形成了双层保护。在后续进行切割工艺时，即使切割刀头划伤扇出区域，也不会轻易导致信号引出线断线，有效降低了暗线不良缺陷的发生率。通常，现有技术通常采用的先沉积再进行刻蚀的工艺制作绝缘层，但对于去除大面积绝缘层，现有技术这种处理存在刻蚀时间长、去除不完整以及部分区域易出现过刻等问题。与现有工艺相比，本实施例用光刻胶作为衬底层的方式，有效解决了现有工艺无法去除大面积绝缘层的问题。本实施例所提出的分区域保护的技术构思，对现有工艺的改进较小，只需增加一次掩膜曝光工艺，便于实施，生产成本低。同时，本实施例方案无需改变原有阵列基板的设计和结构，制备保护层过程对阵列基板性能的影响小，保证了产品性能。因此，本实施例方案具有较强的可行性，对于需要对部分区域进行保护时均可以采用本实施例方案，具有良好的应用前景。
需要说明的是，本实施例制备触控基板中构图工艺的次数仅是一种示例，实际实施时，可以根据实际需要采用更少的构图工艺次数，薄膜晶体管的结构也可以采用顶栅结构，在此不做具体限定。
第二实施例
图13为本发明触控基板第二实施例的结构示意图，所示意的是扇出区域的结构。如图13所示，本实施例是前述第一实施例方案的一种变形，显示区域的结构与第一实施例相同，所不同的是，扇出区域设置的保护层20设置在第三绝缘层18上。具体地，触控基板的扇出区域包括：设置在基底10上的栅引出线21，覆盖栅引出线21的第一绝缘层12，设置在第一绝缘层12上的数据引出线22，覆盖数据引出线22的第二绝缘层16，设置在第二绝缘层16上的信号引出线23，覆盖信号引出线23的第三绝缘层18，设置在第三绝缘层18上的保护层20。
本实施例触控基板的制备过程与前述第一实施例基本上相同，所不同的是，在形成信号引出线图案后，先形成具有过孔的第三绝缘层图案和像素电极图案，然后再形成保护层图案，保护层图案仅形成在扇出区域。本实施例形成保护层图案同样采用光刻胶作为衬底层的方式，即，涂覆一层覆盖整个基底的光刻胶，采用掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，去除扇出区域的光刻胶，沉积覆盖整个基底的绝缘层，通过光刻胶剥离工艺去除显示区域的绝缘层，在扇出区域形成保护层图案。
本实施例同样可以实现有效降低暗线不良缺陷发生率的技术效果，且对现有工艺的改进较小，只需增加一次掩膜曝光工艺，便于实施，生产成本低。
第三实施例
图14A为本发明触控基板第三实施例显示区域的结构示意图，图14B为本发明触控基板第三实施例扇出区域的结构示意图。如图14A和图14B所示，本实施例是前述实施例方案的一种变形，主体结构与前述实施例基本上相同，所不同的是，本实施例保护层20设置在第三绝缘层18上，且覆盖整个基底。
本实施例中，触控基板的显示区域包括：设置在基底10上的栅电极11，覆盖栅电极11的第一绝缘层12，设置在第一绝缘层12上的有源层13和信号线14，设置在有源层13上的源漏电极15，覆盖有源层13、信号线14和源漏电极15的第二绝缘层16，设置在第二绝缘层16上的触控电极17，覆盖公共电极17的第三绝缘层18，设置在第三绝缘层18上的像素电极19，覆盖像素电极19的保护层20。触控基板的扇出区域包括：设置在基底10上的栅引出线21，覆盖栅引出线21的第一绝缘层12，设置在第一绝缘层12上的数据引出线22，覆盖数据引出线22的第二绝缘层16，设置在第二绝缘层16上的信号引出线23，覆盖信号引出线23的第三绝缘层18，设置在第三绝缘层18上的保护层20。
本实施例触控基板的制备过程与前述实施例基本上相同，所不同的是，在形成信号引出线图案后，先形成具有过孔的第三绝缘层图案和像素电极图案，然后再形成保护层图案，保护层图案形成在显示区域和扇出区域。本实施例形成保护层图案可以采用涂覆和固化方式，即，先涂覆一层覆盖整个基底的绝缘层，然后进行退火固化，在显示区域和扇出区域形成保护层图案。本实施例中，保护层的材料可以采用树脂材料。
本实施例同样可以实现有效降低暗线不良缺陷发生率的技术效果，且实施更加简单，无需掩膜曝光处理，只需增加一次涂覆，不仅可以保护信号引出线，还可以有效保护薄膜晶体管电路。
第四实施例
基于前述实施例的技术构思，本实施例提供了一种触控基板的制备方法，包括：
S1、在基底上形成位于显示区域的显示结构层和位于扇出区域的扇出结构层，所述扇出结构层包括多条信号引出线；
S2、在所述扇出结构层上形成覆盖所述信号引出线的保护层。
在一个实施例中，步骤S2包括：
S201、在显示结构层和扇出结构层上涂覆一层光刻胶；
S202、对光刻胶进行曝光并显影，保留所述显示结构层上的光刻胶；
S203、沉积绝缘层后，通过光刻胶剥离工艺去除所述显示结构层上的光刻胶和所述光刻胶上的绝缘层，在所述扇出结构层上形成覆盖所述信号引出线的保护层。
其中，绝缘层的材料包括氮化硅、氧化硅或氮化硅/氧化硅的复合层，厚度为
在另一个实施例中，步骤S2包括：
S211、在显示结构层和扇出结构层上涂覆一层绝缘层；
S212、对所述绝缘层进行退火固化处理，在所述显示结构层和扇出结构层上形成保护层。
其中，绝缘层的材料包括树脂，厚度为
其中，在显示区域形成显示结构层和在扇出区域形成扇出结构层的处理，与前述实施例相同，这里不再赘述。
第五实施例
基于前述实施例的发明构思，本发明实施例还提供了一种触控面板，触控面板包括采用前述实施例的触控基板。触控面板可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。