技术特征：
1.一种内嵌式触控显示面板，具有显示区域与非显示区域，其特征在于，包括：多条栅极线与多条数据线，彼此交叉形成于基板上；多条感测线，形成于所述基板上；多个像素区域，形成于所述多条栅极线与所述多条数据线的彼此交叉处，其中每个所述像素区域具有像素结构，所述像素结构具有像素电极，且所述像素电极由第一透明导电层所形成；触控电极，由第二透明导电层所形成，其中所述触控电极对应多个所述像素电极；薄膜晶体管，形成于所述像素结构内，所述薄膜晶体管包含栅极、源极、漏极及半导体层，且所述源极电性连接所述多条数据线的其中一条，所述栅极电性连接至所述多条栅极线的其中一条，所述像素电极电性连接至所述漏极；第一绝缘层，形成于所述感测线之上并具有第一开口以暴露所述多条感测线的其中一条，其中所述栅极形成于所述第一绝缘层之上；第二绝缘层，形成于所述栅极线之上并具有第二开口以对应至所述第一开口，其中所述源极形成于所述第二绝缘层之上；以及第三绝缘层，形成于所述源极之上并具有第三开口以对应至所述第二开口，其中所述触控电极形成于所述第三绝缘层之上，所述触控电极通过所述第三开口、所述第二开口与所述第一开口以电性连接至所述多条感测线的所述其中一条。2.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层具有相同的材料，所述第一绝缘层在所述第一开口内具有第一侧面，所述第二绝缘层在所述第二开口内有第二侧面，并且所述第一侧面与所述第二侧面形成顺向坡。3.如权利要求2所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，还包括金属连接结构，所述金属连接结构与所述多条数据线具有相同的材料，所述金属连接结构形成于所述触控电极与所述多条感测线的所述其中一条之间。4.如权利要求2所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层的蚀刻速率比所述第二绝缘层的蚀刻速率慢。5.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述内嵌式触控显示面板在非显示区域还包括多个显示垫与多个触控垫；其中，每条所述数据线电性连接所述多个显示垫的其中一个；其中，每条所述感测线电性连接所述多个触控垫的其中一个；其中，所述显示垫的其中一个设置于所述触控垫的其中两个之间，所述触控垫的其中一个设置于所述显示垫的其中两个之间。6.如权利要求5所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述触控垫的数量少于所述显示垫的数量，所述显示垫与所述触控垫排列为多个行，所述触控垫仅配置在所述多个行的其中一行。7.如权利要求5所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述触控垫的数量少于所述显示垫的数量，所述显示垫与所述触控垫排列为多个行，在所述多个行中的第一行仅具有部分的所述显示垫，所述多个行中的第二行具有部分的所述显示垫与部分的所述触控垫。8.如权利要求5所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述触控垫的数量少于所述显示垫的数量，所述显示垫与所述触控垫排列为多个行；
其中，在所述多个行的其中一行内，任意两个所述触控垫之间设置相同数量的所述显示垫。9.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述非显示区包括信号线转接区与走线区；其中，在所述显示区中，所述感测线形成在第一金属层中；其中，在所述信号线转接区中，所述感测线或所述数据线的其中之一通过连接结构转换至另一金属层。10.如权利要求9所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述多条感测线的其中一条包括第一部分与第二部分，且所述连接结构包括：所述第一部分，形成于所述第一金属层；所述第一绝缘层，具有第四开口以暴露出所述第一部分；所述第二绝缘层，具有第五开口以对应至所述第四开口；所述第二部分，形成于第三金属层并在所述第二绝缘层之上；所述第三绝缘层，具有第六开口与第七开口，所述第六开口对应至所述第四开口，所述第七开口暴露出所述第二部分；所述第二透明导电层，通过所述第七开口电性连接至所述第二部分，并通过所述第四开口、所述第五开口与所述第六开口电性连接至所述第一部分。11.如权利要求10所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述连接结构还包括：金属连接层，形成于所述第三金属层，其中所述金属连接层设置于所述第二透明导电层与所述第一部分之间。
技术总结
本发明公开了一种内嵌式触控显示面板，具有显示区域与非显示区域。内嵌式触控显示面板包括：多条栅极线与多条数据线、多条感测线、多个像素区域、触控电极、薄膜晶体管、第一绝缘层、第二绝缘层及第三绝缘层。触控电极对应多个像素电极，第一绝缘层形成于感测线之上并具有第一开口以暴露感测线，栅极形成于第一绝缘层之上。第二绝缘层形成于栅极线之上并具有第二开口以对应至第一开口，源极形成于第二绝缘层之上。第三绝缘层形成于源极之上并具有第三开口以对应至第二开口，触控电极形成于第三绝缘层之上，触控电极通过第三开口、第二开口与第一开口以电性连接至感测线。借此，触控电极可以作为共同电极使用，而感测线形成在第一金属层之中。属层之中。属层之中。
技术研发人员：康沐楷 陈靖轩 叶政谚 黄思凯
受保护的技术使用者：瀚宇彩晶股份有限公司
技术研发日：2020.08.28
技术公布日：2022/2/28