一种触摸屏铜制程方法及触摸屏与流程

本发明实施例涉及触摸屏制备工艺技术领域，尤其涉及一种触摸屏铜制程方法及触摸屏。

背景技术：

目前，智能电子设备的触摸屏的常规ito蚀刻过程是在20nm～30nmito表面压膜50um厚度的干膜，再进行曝光、显影、蚀刻，这种干法曝光的方式得到的面内pattern线宽一般都较大，大约60um左右，边缘走线采用镭射银浆，目前最小线宽线距一般是30um/30um，不满足细线路触摸屏的要求。

常规cu膜蚀刻过程在2um的cu膜的表面压膜10um左右的干膜，在同一速度下再进行曝光、显影、蚀刻，得到面向金属网格和cu边缘走线，这种干膜经过曝光后金属网格的线宽一般在9～10um，cu边缘走线最小线宽线距一般是15um/15um，不满足细线路要求。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明实施例的目的在于克服上述现有不足，提供一种触摸屏铜制程方法及触摸屏，。

根据本发明实施例的第一方面，提供了一种触摸屏铜制程方法，包括以下步骤：

s1：提供基材，在所述基材上形成金属铜膜层；

s2：在所述金属铜膜层进行光刻，以得到预设的金属网格和金属铜边缘走线。

根据本发明的一些实施例，优选的，在所述步骤s1中，具体包括以下步骤：

在所述基材上形成衬底；

在所述衬底上通过气相沉积形成金属铜膜层。

根据本发明的一些实施例，优选的，在所述步骤s2中，具体包括如下步骤：

在所述金属铜膜的两侧旋涂一层光刻胶，对光刻胶进行烘烤固化；

对所述光刻胶进行曝光；

对所述光刻胶进行显影；

将显影后的所述金属铜膜进行蚀刻，以得到预设的金属网格和金属铜边缘走线。

优选的，所述方法中对光刻胶进行烘烤固化，其中，所述固化温度为90-150℃，固化时间为5-15min。

优选的，所述方法采用高精密曝光机对所述光刻胶进行曝光，所述高精密曝光机的灯管功率为灯管功率可选择（2~10）kw，所述高精密曝光尺可选用（5~25）。

优选的，所述方法中显影的温度可以为20~50℃，浓度可为5~15g/l，显影喷压可为1~2kg/cm²，其显影速度为3~6m/min。

优选的，所述方法中的蚀刻的温度可为15~60℃，浓度可为0.1~2g/l，蚀刻喷压可选择0.5~1.5kg/cm²，其蚀刻的速度与所述显影速度一致。

根据本发明实施例的第二方面，提供一种触摸屏，所述触摸屏采用上述触摸屏铜制程方法制备得到。

优选的，所述金属铜膜的厚度为400nm，所述光刻胶的厚度为2μm。

优选的，所述金属铜边缘走线最小线宽线距为6μm/6μm。

本发明提供了一种触摸屏铜制程方法，其关键技术是在pet基材cu膜的两面旋涂一层光刻胶，将光刻胶烘烤固化后，再将光刻胶进行曝光、显影、蚀刻，得到超细线路的电容层。

常规ito蚀刻过程是在20nm～30nmito表面压膜50um厚度的干膜，再进行曝光、显影、蚀刻，这种干法曝光的方式得到的面内pattern线宽一般都较大，大约60um左右，边缘走线采用镭射银浆，目前最小线宽线距一般是30um/30um，不满足细线路触摸屏的要求。常规cu膜蚀刻过程在2um的cu膜的表面压膜10um左右的干膜，在同一速度下再进行曝光、显影、蚀刻，得到面向金属网格和cu边缘走线，这种干膜经过曝光后金属网格的线宽一般在9～10um，cu边缘走线最小线宽线距一般是15um/15um，不满足细线路要求。

本发明cu膜的蚀刻过程是在厚度400nm的cu膜的两面旋涂一层10um左右的光刻胶，光刻胶经过烘烤固化后，厚度降低至2um左右，再单独进行曝光，然后再进行显影、蚀刻，得到面向金属网格和cu边缘走线，由于cu膜厚度由2um降低至400nm，10um干膜转变为2um的光刻胶，同一速度进行曝光、显影、蚀刻调整为先曝光再显影、蚀刻的两段速度，同时采用高精密曝光机，可以达到蚀刻后面内金属网格线宽2um，cu边缘走线最小线宽降低至6um/6um，实现真正意义上的超细线路触摸屏。其目的是使面内pattern线宽和边缘走线线宽线距更小，降低边框距离，实现真正的细线路触摸屏。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是本发明实施例提供的一种触摸屏铜制程方法的流程图；

图2是本发明实施例提供的触摸屏铜制程方法中的s2的流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本发明的技术方案。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本发明的保护范围之内。

请一并参阅图1和图2，为本发明实施例提供的一种触摸屏铜制程方法，包括以下步骤：

s1：提供基材，在所述基材上形成金属铜膜层；

在本实施例中，该基材的厚度可为38μm，且该基材可采用pet（polythyleneterephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯），以具有良好的抗蠕变性及耐用性。

具体地，上述步骤s1具体包括步骤：

s11：在所述基材上形成衬底；

在本实施例中，所述衬底的厚度小于基材的厚度。在所述基材上形成衬底，以便于后续形成金属铜膜层。

s12：在所述衬底上通过气相沉积形成金属铜膜层。

本步骤的目的是为了使用铜膜层，以替代常规采用在20-30μmito表面压膜50μm厚度的干膜的方式，确保后续得到的线宽线距细的优点；更具体来说，所述金属铜膜可以通过化学气相沉积或者物理气相沉积形成在所述衬底上。

s2：在所述金属铜膜层进行光刻，以得到预设的金属网格和金属铜边缘走线。

该步骤具体包括以下步骤：

s21：在所述金属铜膜的两侧旋涂一层光刻胶，对光刻胶进行烘烤固化；

本步骤具体为在厚度400nm的金属铜膜的两侧旋涂一层约10μm的光刻胶，光刻胶经过烘烤固化后，厚度降至约2μm，其中固化温度为90-150℃，固化时间为5-15min。

s22：对所述光刻胶进行曝光；

在本步骤中，采用高精密曝光机对所述金属铜膜进行曝光，在本实施例中，所述高精密曝光机的灯管功率可根据实际工艺调整设置，例如，所述高精密曝光机的灯管功率可选择（2~10）kw，所述高精密曝光尺可选用（5~25）。所述高精密曝光机的能量可根据所述曝光尺选择的阶数设置。

s23：对所述光刻胶进行显影；

该步骤的目的便于后续根据该显影进行刻蚀，具体来讲，在本实施例中，其显影的温度、浓度及显影喷压均可根据实际工艺需求设置，例如，显影的温度可以为20~50℃，浓度可为5~15g/l，显影喷压可为1~2kg/cm²，其显影速度为3~6m/min。

s24：将显影后的所述金属铜膜进行蚀刻。

在本步骤中，采用上述显影蚀刻线对所述金属铜膜层进行蚀刻，具体来讲，在本实施例中，其蚀刻的温度、浓度、喷压及速度可根据实际工艺需求进行设置，例如蚀刻的温度可为15~60℃，浓度可为0.1~2g/l，蚀刻喷压可选择0.5~1.5kg/cm²，其蚀刻的速度与上述显影速度一致。

上述步骤后得到金属网格线宽2μm，金属铜边缘走线最小线宽降低至6μm/6μm，从而达到超细的线路触摸屏。

本发明是在pet基材cu膜的两面旋涂一层光刻胶，将光刻胶烘烤固化后，再将光刻胶进行曝光、显影、蚀刻，得到超细线路的电容层。常规ito蚀刻过程是再20nm～30nmito表面压膜50um厚度的干膜，再进行曝光、显影、蚀刻，这种干法曝光的方式得到的面内pattern线宽一般都较大，大约60um左右，边缘走线采用镭射银浆，目前最小线宽线距一般是30um/30um，不满足细线路触摸屏的要求。常规cu膜蚀刻过程在2um的cu膜的表面压膜10um左右的干膜，在同一速度下再进行曝光、显影、蚀刻，得到面向金属网格和cu边缘走线，这种干膜经过曝光后金属网格的线宽一般在9～10um，cu边缘走线最小线宽线距一般是15um/15um，不满足细线路要求。本发明cu膜的蚀刻过程是在厚度400nm的cu膜的两面旋涂一层10um左右的光刻胶，光刻胶经过烘烤固化后，厚度降低至2um左右，再单独进行曝光，然后再进行显影、蚀刻，得到面向金属网格和cu边缘走线，由于cu膜厚度由2um降低至400nm，10um干膜转变为2um的光刻胶，同一速度进行曝光、显影、蚀刻调整为先曝光再显影、蚀刻的两段速度，同时采用高精密曝光机，可以达到蚀刻后面内金属网格线宽2um，cu边缘走线最小线宽降低至6um/6um，实现真正意义上的超细线路触摸屏。

本发明还提供了一种采用上述触摸屏铜制程方法制备得到的触摸屏，所述触摸屏由于采用了上述铜制程方法，因此，达到超细线宽线距的线路触摸屏。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，本发明的各个实施方式的特征可以部分地或者全部地彼此耦合或组合，并且可以以各种方式彼此协作并在技术上被驱动。对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。