1.一种触摸屏铜制程方法，其特征在于，包括以下步骤：
s1：提供基材，在所述基材上形成金属铜膜层；
s2：在所述金属铜膜层进行光刻，以得到预设的金属网格和金属铜边缘走线。
2.根据权利要求1所述的一种触摸屏铜制程方法，其特征在于，在所述步骤s1中，具体包括以下步骤：
在所述基材上形成衬底；
在所述衬底上通过气相沉积形成金属铜膜层。
3.根据权利要求1所述的一种触摸屏铜制程方法，其特征在于，在所述步骤s2中，具体包括如下步骤：
在所述金属铜膜的两侧旋涂一层光刻胶，对光刻胶进行烘烤固化；
对所述光刻胶进行曝光；
对所述光刻胶进行显影；
将显影后的所述金属铜膜进行蚀刻，以得到预设的金属网格和金属铜边缘走线。
4.根据权利要求3所述的一种触摸屏铜制程方法，其特征在于，所述方法中对光刻胶进行烘烤固化，其中，所述固化温度为90-150℃，固化时间为5-15min。
5.根据权利要求3所述的一种触摸屏铜制程方法，其特征在于，所述方法采用高精密曝光机对所述光刻胶进行曝光，所述高精密曝光机的灯管功率为灯管功率可选择（2~10）kw，所述高精密曝光尺可选用（5~25）。
6.根据权利要求3所述的一种触摸屏铜制程方法，其特征在于，所述方法中显影的温度可以为20~50℃，浓度可为5~15g/l，显影喷压可为1~2kg/cm2，其显影速度为3~6m/min。
7.根据权利要求6所述的一种触摸屏铜制程方法，其特征在于，所述方法中的蚀刻的温度可为15~60℃，浓度可为0.1~2g/l，蚀刻喷压可选择0.5~1.5kg/cm2，其蚀刻的速度与所述显影速度一致。
8.一种触摸屏，其特征在于，所述触摸屏采用权利要求1-9任一所述的触摸屏铜制程方法制备得到。
9.根据权利要求8所述的一种触摸屏，其特征在于，所述金属铜膜的厚度为400nm，所述光刻胶的厚度为2μm。
10.根据权利要求8所述的一种触摸屏，其特征在于，所述金属铜边缘走线最小线宽线距为6μm/6μm。