电晕放电通道折射率分布的计算方法及装置与流程

1.本发明涉及电晕检测技术领域，尤其是涉及一种电晕放电通道折射率分布的计算方法、装置、设备及存储介质。


背景技术：

2.电晕放电是一种广泛出现在输电线路上的放电现象，电晕放电引起的可听噪声及其扰民问题是输电线路设计和建设的主要制约因素之一，电晕放电的图像采集和分析技术是研究人员分析电晕放电特性、研究电晕可听噪声机理和开发相关噪声控制方案的技术基础。现有电晕放电的图像采集和分析技术主要为紫外成像相关技术。
3.电晕放电具有尺寸小、发光弱和发光波段为紫外光的特点，现有技术的基本原理都是从电晕放电的发光波段为200nm～400nm范围出发，开发能够采集该波长的光的成像技术，这类技术从原理上不适用于定量分析电晕放电引起的空气密度变化和可听噪声水平，采集得到的图像仅能为电晕放电的研究提供定性参考，提供的参考信息不多，不能满足针对于电晕放电的定量分析需求。


技术实现要素：

4.本发明旨在提供一种电晕放电通道折射率分布的计算方法、装置、设备及存储介质，以解决上述技术问题，从而能够增加电晕放电检测技术提供的参考信息量，以满足对电晕放电的定量分析需求。
5.为了解决上述技术问题，本发明提供了一种电晕放电通道折射率分布的计算方法，包括：
6.基于预先搭建的直线型纹影光路获取电晕放电纹影图像，并根据所述电晕放电纹影图像确定目标放电通道对应的光线偏折角校正曲线；
7.基于所述光线偏折角校正曲线以及所述电晕放电纹影图像中各个像素点的灰度值，确定所述电晕放电纹影图像中各像素点对应的原始偏折角；
8.利用预设的数据插值法对所述各像素点对应的原始偏折角进行插值处理，得到插值处理后的偏折角数据点，根据所述偏折角数据点确定所述目标放电通道的轴心，并基于所述轴心确定所述电晕放电纹影图像的轴对称坐标系；
9.基于预设的abel积分公式以及所述轴对称坐标系确定偏折角数据点与折射率的对应关系，并采用改进型高斯—勒让德方法对所述abel积分公式的奇点进行逼近求解；
10.根据逼近求解后的奇点以及所述偏折角数据点与折射率的对应关系，计算得到所述目标放电通道的折射率径向分布数据。
11.进一步地，所述根据所述电晕放电纹影图像确定目标放电通道对应的光线偏折角校正曲线，包括：
12.采用校正纹影法确定所述电晕放电纹影图像中各像素点的光偏移量与灰度变化量的定量关系；
13.基于所述光偏移量与灰度变化量的定量关系确定所述目标放电通道对应的光线偏折角校正曲线。
14.进一步地，所述预设的数据插值法为采用双立方插值法。
15.进一步地，对所述abel积分公式的奇点进行逼近求解为采用线性拟合法。
16.本发明还提供一种电晕放电通道折射率分布的计算装置，包括：
17.曲线校正模块，用于基于预先搭建的直线型纹影光路获取电晕放电纹影图像，并根据所述电晕放电纹影图像确定目标放电通道对应的光线偏折角校正曲线；
18.偏折角确定模块，用于基于所述光线偏折角校正曲线以及所述电晕放电纹影图像中各个像素点的灰度值，确定所述电晕放电纹影图像中各像素点对应的原始偏折角；
19.轴心确定模块，用于利用预设的数据插值法对所述各像素点对应的原始偏折角进行插值处理，得到插值处理后的偏折角数据点，根据所述偏折角数据点确定所述目标放电通道的轴心，并基于所述轴心确定所述电晕放电纹影图像的轴对称坐标系；
20.奇点求解模块，用于基于预设的abel积分公式以及所述轴对称坐标系确定偏折角数据点与折射率的对应关系，并采用改进型高斯—勒让德方法对所述abel积分公式的奇点进行逼近求解；
21.分布计算模块，用于根据逼近求解后的奇点以及所述偏折角数据点与折射率的对应关系，计算得到所述目标放电通道的折射率径向分布数据。
22.本发明还提供一种终端设备，包括处理器和存储有计算机程序的存储器，所述处理器执行所述计算机程序时实现任一项所述的电晕放电通道折射率分布的计算方法。
23.本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现任一项所述的电晕放电通道折射率分布的计算方法。
24.与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
25.本发明提供了一种电晕放电通道折射率分布的计算方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：获取电晕放电纹影图像，确定目标放电通道对应的光线偏折角校正曲线；确定所述电晕放电纹影图像中各像素点对应的原始偏折角；对所述各像素点对应的原始偏折角进行插值处理，根据偏折角数据点确定所述目标放电通道的轴心，并确定所述电晕放电纹影图像的轴对称坐标系；基于预设的abel积分公式以及所述轴对称坐标系确定偏折角数据点与折射率的对应关系，并对所述abel积分公式的奇点进行逼近求解；根据逼近求解后的奇点以及所述偏折角数据点与折射率的对应关系，计算得到所述目标放电通道的折射率径向分布数据。本发明能够增加电晕放电检测技术提供的参考信息量，以满足对电晕放电的定量分析需求。
附图说明
26.图1是本发明提供的电晕放电通道折射率分布的计算方法的流程示意图；
27.图2是本发明提供的直线型纹影光路布置示意图；
28.图3是本发明提供的刀口位移与光偏移造成灰度变化的等效关系示意图；
29.图4是本发明提供的偏折角校正曲线示意图；
30.图5是本发明提供的偏折角插值处理前后对比示意图；
31.图6是本发明提供的奇点的线性逼近计算方法示意图；
32.图7是本发明提供的偏折角模拟分布及采样点示意图；
33.图8是本发明提供的折射率差度模拟分布及重建结果示意图；
34.图9是本发明提供的不同采样点下的折射率差度重建误差示意图；
35.图10是本发明提供的针头端的电晕放电纹影图像示意图；
36.图11是本发明提供的电晕放电通道中a、b、c三个位置的折射率场重建结果示意图；
37.图12是本发明提供的电晕放电通道折射率分布的计算装置的结构示意图。
具体实施方式
38.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
39.请参见图1，本发明实施例提供了一种电晕放电通道折射率分布的计算方法，可以包括步骤：
40.s1、基于预先搭建的直线型纹影光路获取电晕放电纹影图像，并根据所述电晕放电纹影图像确定目标放电通道对应的光线偏折角校正曲线；
41.s2、基于所述光线偏折角校正曲线以及所述电晕放电纹影图像中各个像素点的灰度值，确定所述电晕放电纹影图像中各像素点对应的原始偏折角；
42.s3、利用预设的数据插值法对所述各像素点对应的原始偏折角进行插值处理，得到插值处理后的偏折角数据点，根据所述偏折角数据点确定所述目标放电通道的轴心，并基于所述轴心确定所述电晕放电纹影图像的轴对称坐标系；
43.s4、基于预设的abel积分公式以及所述轴对称坐标系确定偏折角数据点与折射率的对应关系，并采用改进型高斯—勒让德方法对所述abel积分公式的奇点进行逼近求解；
44.s5、根据逼近求解后的奇点以及所述偏折角数据点与折射率的对应关系，计算得到所述目标放电通道的折射率径向分布数据。
45.在本发明实施例中，进一步地，所述根据所述电晕放电纹影图像确定目标放电通道对应的光线偏折角校正曲线，包括：
46.采用校正纹影法确定所述电晕放电纹影图像中各像素点的光偏移量与灰度变化量的定量关系；
47.基于所述光偏移量与灰度变化量的定量关系确定所述目标放电通道对应的光线偏折角校正曲线。
48.在本发明实施例中，进一步地，所述预设的数据插值法为采用双立方插值法。
49.在本发明实施例中，进一步地，对所述abel积分公式的奇点进行逼近求解为采用线性拟合法。
50.基于上述方案，为便于更好的理解本发明实施例提供的电晕放电通道折射率分布的计算方法，以下进行详细说明：
51.需要说明的是，为解决根据图像定量分析电晕放电特性的技术难题，本发明实施例从电晕放电引起的空气密度变化原理出发，利用透射式光路定量采集电晕放电通道的偏
折角，开发配套的图像插值和奇点逼近方法对偏折角散点进行数据处理，得到了电晕放电通道的折射率分布，利用该折射率分布可进一步定量分析电晕放电通道的压力分布、密度分布和温度分布情况。
52.(1)建立电晕放电通道偏折角系统和校正曲线
53.搭建直线型纹影光路测量电晕放电通道，纹影系统的光源发出的探测光在经过放电通道时发生偏折，偏折后的探测光在透镜焦点处上下偏移，并且在图像中表现为放电通道处的灰度变化，利用放置在透镜焦点处的刀口将放电区域的灰度信息折算为偏折角数据。纹影系统的光路示意图和对应的试验布置图如图2。
54.图2中的led发出的球面光经胶合透镜整合为平行探测光通过放电通道，假设射入和射出放电通道的光强分别为i0和i，由lambert-beer定律可知二者的关系为：
55.i＝i0·
exp(-βd)
ꢀꢀꢀ
(1)
56.式中，β是衰减系数，d是放电通道的厚度，单位mm。刀口处光强的变化有两部分组成：1、放电通道引起出射光强发生指数型衰减，刀口处图像的灰度将发生变化；2、平行探测光经过折射率为n的放电通道后发生偏折进而引起刀口处的光强(灰度)发生变化，其中由探测光偏折引起的灰度变化为：
57.δi＝
±
(α
·
f2)
ꢀꢀꢀ
(2)
58.式中，α是出射光偏折角，单位rad；f2是胶合透镜的焦距，单位mm；δi是光强变化量，单位cd。本发明采用校正透镜进行纹影系统的定量，放电通道的光衰减系数β可以忽略不计；同时电晕放电通道的厚度d(电晕直径约为1mm左右)远小于纹影系统光程(2m)可近似认为出射光i＝i0，因此通过纹影系统测得的放电通道灰度变化(光强变化)可以看作全部来自于光偏折角α对应的光偏移量的变化。通过刀口的位移δl来等效光偏折角α引起的光偏移量进而推算光偏折角α，图3是纹影系统中光偏移和刀口位移两种方式引起的图像灰度变化的等效关系。
59.图3(b)中以δl移动纹影系统的刀口，使光强产生δi的改变来等效由光偏折引起的光强变化，见图3的(a)。光强的变化δi在高速相机拍摄得到的纹影图像中表现为纹影图像的灰度变化δg，最后根据刀口的定量位移δl，就可以得到灰度δg与位移量δl的关系，如式(3)所示：
60.δl＝f(δg)
ꢀꢀꢀ
(3)
61.式中，δl是刀口位移量，单位mm。将式(3)代入式(2)可得由放电通道引起的光偏折角为：
62.α＝δl/f2ꢀꢀꢀ
(4)
63.定量计算光偏折角的关键步骤是得到放电区域的灰度变化量δg与刀口位移量δl的关系，即式(3)所示的函数关系δl＝f(δg)。确定该函数关系有两种方法，第一种方法如图3中所示，通过人工调整刀口位移量来获得对应的灰度变化量(定量纹影法)，另一种是将已知折射率的物体放置在光路中，通过图像直接获得光偏移量与灰度变化量的定量关系(校正纹影法)。本发明采用一枚直径25mm、焦距1000mm的平凹透镜产生校正纹影图像，同时采用人工调整刀口的方法获得定量曲线，得到的校正曲线如图4。
64.图4中圆点曲线是校正透镜产生的校正曲线，方框曲线是手动调整刀口得到的定量曲线。校正曲线中数据点的计算过程如下：
65.1)找到平凹透镜图像的中心点(r0，gb)，取出一行像素(ri，gi)，其中ri是像素坐标、gi是像素灰度。
66.2)各个像素的灰度gi减去背景灰度gb得到灰度变化量δg。
67.3)以像素灰度与背景灰度相同的点为0点建立坐标系r0，得到各个像素点对应的径向坐标r
i-r0，代入式(5)算得各个像素点的偏折角αi。
[0068][0069]
式中，f
t
是平凹透镜的焦距，取值为f
t
＝1000mm。根据图4中的圆点曲线(校正透镜)和方框曲线(手动定量)可见二者的差异在灰度小于80后较为明显，其中校正透镜产生的曲线更平滑、采样点更多，手动定量得到的曲线采样点少，并且在灰度小于80后曲线不平滑，表明本发明实施例采用的校正透镜相比传统手动定量更具优势。
[0070]
(2)建立电晕放电通道偏折角数据插值方法：
[0071]
电晕放电通道的气体温度较低、无明显热膨胀现象、放电通道尺寸很小，由于与外界换热不明显，电晕放电通道具有采样点数少和点分布较为规律的特点。以图5中图像为例说明电晕放电通道的偏折角数据插值方法，图5是原始偏折角散点以及经过图像预处理后得到的偏折角对比示意图。
[0072]
图5中方形散点是放电通道的原始偏折角散点，可见通过原始偏折角数据点无法直接找到放电通道的轴心位置(偏折角为0)，散点仅显示了通道的大致轮廓。叉号散点、圆点散点和、实线分别是采用双线性插值、双立方插值和曲线拟合法得到的结果，从图中可见由于原始偏折角采样点较少双线性插值出现插值点不平滑的现象，拟合曲线法可能出现偏折角不单调导致折射率计算结果偏小。采用双立方插值可以在保证偏折角单调性和平滑性的基础上，直接确定放电通道的轴心，因此电晕放电通道采用双立方插值进行预处理。
[0073]
(3)建立用于偏折角奇点逼近的改进型高斯-勒让德方法
[0074]
根据纹影图像获得的离散的偏折角数据散点α，是探测光线沿着放电通道x轴方向的线积分。假设放电通道呈轴对称，即可采用abel积分描述偏折角数据点与折射率的对应关系，如式(6)所示：
[0075][0076]
式中，r代表放电通道的边界半径，单位mm；r代表径向距离，单位mm；式(6)对应的abel逆变方程为：
[0077][0078]
式中，γ0是被测空间的背景折射率，γ(r)是折射率径向分布，α(x)是测量得到的偏折角数据。式(7)中放电通道径向坐标为r处的每个积分点都是奇点，求解式(7)必须采用数值计算的方法，本发明针对式(7)的求解提出了改进型高斯—勒让德计算方法。
[0079]
式(7)中自变量的积分界限为r～r，在径向上的每个计算点x＝r处都有1/(x
2-r2)0.5＝∞(奇点)，在x＝r的奇点位置无法计算解析解，存在奇点的位置不能直接运用具有梯形、矩形、simpson形式的数值积分方法，为此本发明采用线性变换重构积分区间[r,r]，如
式(8)所示。
[0080][0081]
通过式(8)可将积分区间x∈[r,r]变换为t∈[-1,1]，由定积分换元积分法可得：
[0082][0083]
本文进一步利用高斯-勒让德(guass-legendre)公式构建式(9)的离散形式：
[0084][0085]
式中，ak是求积系数，ak＝(r-r)/2。由式(9)和(10)可知，积分区间[r,r]离散后奇点处[r,r]的函数值f(r)被求积系数ak＝(r-r)/2置为0，该算法即可通过增加离散区间的数目n来逼近奇点。本发明利用线性拟合法来构建奇点附近的离散区域从而提高奇点处的计算准确性，以图5经过双三次插值后得到的偏折角散点为例说明奇点的逼近方法，图6是图5经过双三次插值后得到的偏折角散点。
[0086]
图6中所展示的数据散点自于纹影图像，散点的径向坐标和偏折角均已知，由相邻的两个点就可以构建出两点之间的直线方程α(r)＝kr+b，以图6中的点r0和r
10
为例，其直线方程为：
[0087][0088]
根据该直线方程就可以直接求出奇点r0附近的点r0+dr的偏折角α(r0+dr)，利用点r0+dr代替点r0代入式(9)中计算时，就可以避免1/(y
2-r2)
0.5
＝∞带来的无穷大问题，计算时替代点r0+dr的方程已知，因此计算精度可以通过改变dr的值进行人工控制。
[0089]
(4)重建电晕放电通道的折射率分布：
[0090]
基于上述方案，按照如下步骤重建电晕放电通道的三维折射率分布：
[0091]
1)搭建直线型纹影光路，通过调节刀口或校正透镜获得偏折角的校正曲线；
[0092]
2)采用双立方插值对原始偏折角散点进行插值处理，确定放电通道的轴心；
[0093]
3)采用改进型高斯—勒让德方法逼近折射率的abel积分公式的奇点；
[0094]
4)依据放电通道轴对称特性，利用公式(7)计算出电晕放电通道的折射率径向分布。
[0095]
以下列举具体实施案例进行说明：
[0096]
(1)折射率重建方法准确性实验：
[0097]
改进型高斯-勒让德算法用于解abel逆变换方程，重建电晕放电通道的折射率场，验证该算法最简单的方法是利用方程构建出模拟的放电通道偏折角和折射率分布，通过重采样得到偏折角散点，最后利用改进型高斯-勒让德算法重构折射率分布曲线，通过与原始曲线对比得到算法的准确度。大气压下气体放电通道的温度分布、电流分布都接近于高斯分布，为此本实例采用高斯函数构建模拟的折射率和偏折角分布，验证按以下几个步骤进行：
[0098]
1)取标准差为0.1618(形状参数)、均值为0(位置参数)，采用如下式(12)构建模拟
的放电通道折射率分布函数。
[0099][0100]
式中，下标
moni
代表模拟的放电通道折射率函数，σ
moni
、μ
moni
分别是形状参数和位置参数，n0是空气的背景折射率，r是径向坐标。
[0101]
2)将式(12)代入式(6)求abel正变换可得到模拟的放电通道偏折角分布。
[0102]
3)对模拟的放电通道偏折角分布进行重采样，采样点数由人为指定。
[0103]
4)利用改进型高斯勒让德算法对采样得到的偏折角散点进行计算，得到重建的折射率分布。
[0104]
5)将重建的折射率分布曲线与原始折射率分布曲线对比验证算法的准确性。
[0105]
图7是将式(12)带入式(6)得到的模拟偏折角分布以及该分布的离散采样点，其中径向坐标采用归一化数值。
[0106]
本实例以0.01为单位步长对模拟偏折角采样了61个点，以0.1为步长采样了7个点，最后在0.1步长采样的基础上在径向0～0.1范围内增加一个采样点，利用这三种采样点数来重建折射率分布。三种采样点数通过计算得到的折射率重建结果以及原始的模拟折射率分布曲线如图8所示。
[0107]
图8中实线、圆点、方框和三角分别是模拟折射率分布曲线和三种采样点情况下的折射率差度重建结果。图8中可以看出采用61个采样点时重建的折射率差度散点与原曲线符合较好，采用7个采样点时轴心位置折射率差度偏小、径向0.1位置折射率差度偏大，采用8个采样点时重建效果相比7个采样点有了明显改进。对比重建的折射率差度与原始曲线的相对误差来定量分析算法准确性及其影响因素，结果如图9所示。
[0108]
图9是不同采样点数量下折射率差度重建误差示意图，其中圆点、方形、三角分别是设置61个、7个和8个采样点时的重建误差。图9中可见设置61个采样点时重建折射率差度的相对误差均在1％以内，最大误差(约为0.7％)出现在模拟放电通道的轴心处，设置7个采样点时轴心出现了明显的误差(约为25％)，随着径向距离的增加误差下降，这是由于abel逆变换方程中以偏折角对径向距离的一阶导数(偏折角梯度)作为输入，因此原始偏折角曲线中偏折角梯度越大的区域越容易出现重建误差，利用8个采样点进行折射率差度重建时轴心处的重建误差降低至5％以内，径向坐标大于0.04时重建误差均小于1％。
[0109]
由图8、图9以及对应的分析可见，本发明实施例提出的改进型高斯勒让德算法在偏折角采样点充足的情况下具有较好的折射率差度重建效果，其中偏折角梯度较大区域的重建准确性对于采样点数十分敏感，在硬件层面提升纹影图像的空间分辨率或者采用插值技术对原始纹影图像进行处理，都可以提升折合率重建的准确性。
[0110]
(2)电晕放电通道折射率重建实验
[0111]
如图10是拍摄的针-板沿面放电结构中针一端的纹影图像。
[0112]
图10中标注了由针至板的电晕通道的a、b、c三个位置，利用本实例提出折射率分布重建方法，得到图10中电晕放电通道三个位置对应的折射率场重建结果如下图11所示。
[0113]
由图11中折射率分布的重建结果可见，采用本实例的方法能够得到较为平滑、连续的折射率分布，由于放电通道的气体密度小于空气的气体密度，因此其折射率差度小于
0。
[0114]
与现有技术相比，本发明实施例具有如下有益效果：
[0115]
相比现有紫外摄像方法只能判断有无电晕，无法定量计算电晕特性参数的缺点，本发明实施例提出的电晕放电折射率分布重建技术解决了定量分析电晕放电通道内部折射率参数的技术难题，为进一步分析电晕的密度、压力奠定了基础，其中包含的偏折角数据插值和奇点逼近方法克服了电晕放电通道尺寸小、图像处理和定量计算难度大的困难，突破了电晕放电通道特性定量分析的技术瓶颈。
[0116]
需要说明的是，对于以上方法或流程实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于可选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。
[0117]
请参见图12，本发明实施例还提供一种电晕放电通道折射率分布的计算装置，包括：
[0118]
曲线校正模块1，用于基于预先搭建的直线型纹影光路获取电晕放电纹影图像，并根据所述电晕放电纹影图像确定目标放电通道对应的光线偏折角校正曲线；
[0119]
偏折角确定模块2，用于基于所述光线偏折角校正曲线以及所述电晕放电纹影图像中各个像素点的灰度值，确定所述电晕放电纹影图像中各像素点对应的原始偏折角；
[0120]
轴心确定模块3，用于利用预设的数据插值法对所述各像素点对应的原始偏折角进行插值处理，得到插值处理后的偏折角数据点，根据所述偏折角数据点确定所述目标放电通道的轴心，并基于所述轴心确定所述电晕放电纹影图像的轴对称坐标系；
[0121]
奇点求解模块4，用于基于预设的abel积分公式以及所述轴对称坐标系确定偏折角数据点与折射率的对应关系，并采用改进型高斯—勒让德方法对所述abel积分公式的奇点进行逼近求解；
[0122]
分布计算模块5，用于根据逼近求解后的奇点以及所述偏折角数据点与折射率的对应关系，计算得到所述目标放电通道的折射率径向分布数据。
[0123]
在本发明实施例中，进一步地，所述曲线校正模块1具体用于：
[0124]
采用校正纹影法确定所述电晕放电纹影图像中各像素点的光偏移量与灰度变化量的定量关系；
[0125]
基于所述光偏移量与灰度变化量的定量关系确定所述目标放电通道对应的光线偏折角校正曲线。
[0126]
在本发明实施例中，进一步地，所述预设的数据插值法为采用双立方插值法。
[0127]
在本发明实施例中，进一步地，对所述abel积分公式的奇点进行逼近求解为采用线性拟合法。
[0128]
可以理解的是上述装置项实施例，是与本发明方法项实施例相对应的，本发明实施例提供的一种电晕放电通道折射率分布的计算装置，可以实现本发明任意一项方法项实施例提供的电晕放电通道折射率分布的计算方法。
[0129]
本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现任一项所述的电晕放电通道折射率分布的计算方法。
[0130]
需说明的是，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。另外，本发明提供的装置实施例附图中，模块之间的连接关系表示它们之间具有通信连接，具体可以实现为一条或多条通信总线或信号线。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。
[0131]
所述领域的技术人员可以清楚地了解到，为了方便和简洁，上述描述的装置的具体工作过程，可参考前述方法实施例中对应的过程，在此不再赘述。
[0132]
终端设备可以是桌上型计算机、笔记本、掌上电脑及云端服务器等计算设备。所述终端设备可包括，但不仅限于，处理器、存储器。
[0133]
所称处理器可以是中央处理单元(central processing unit，cpu)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(digital signal processor，dsp)、专用集成电路(application specific integrated circuit，asic)、现成可编程门阵列(field-programmable gate array，fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等，所述处理器是所述终端设备的控制中心，利用各种接口和线路连接整个终端设备的各个部分。
[0134]
所述存储器可用于存储所述计算机程序，所述处理器通过运行或执行存储在所述存储器内的计算机程序，以及调用存储在存储器内的数据，实现所述终端设备的各种功能。所述存储器可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序等；存储数据区可存储根据手机的使用所创建的数据等。此外，存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如硬盘、内存、插接式硬盘，智能存储卡(smart media card,smc)，安全数字(secure digital,sd)卡，闪存卡(flash card)、至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。
[0135]
所述存储介质为计算机可读存储介质，所述计算机程序存储在所述计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、u盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(rom，read-only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。
[0136]
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。