1.一种对多个分离栅式存储器单元编程的方法，每个单元包括控制栅，所述方法包括：
向所述多个单元中的每一个的所述控制栅施加预编程电压，其中所述预编程电压不足以对所述多个单元编程；以及
向所述多个单元中的至少一些的所述控制栅施加编程电压，其中所述编程电压足以对所述多个单元中的所述至少一些编程。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个单元包括多个字。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个单元包括页面。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个单元中的所述至少一些包括一个并且仅一个字。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述多个单元中的所述至少一些包括一个并且仅一个字。
6.根据权利要求1所述的方法，其中在施加了所述预编程电压之后以及在施加所述编程电压之前不执行读取验证。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述预编程电压比所述编程电压低3伏到6伏之间。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述编程电压介于8伏与12伏之间。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述预编程电压的所述施加的所述持续时间为所述编程电压的所述施加的所述持续时间的1/10至1/3。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述预编程电压的所述施加的所述持续时间为所述编程电压的所述施加的所述持续时间的1/10至1/3。
11.一种对多个分离栅式存储器单元编程的方法，每个单元包括控制栅，所述方法包括：
向所述多个单元中的每一个的所述控制栅施加预编程电压，其中所述预编程电压不足以对所述多个单元编程；以及
向所述多个单元中的至少一些的所述控制栅施加编程电压，其中所述编程电压足以对所述多个单元中的所述至少一些编程；
其中所述编程电压大于常规编程电压并且施加预编程电压步骤和施加编程电压步骤的所述步骤的所述总持续时间比常规编程周期的所述持续时间更短。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述多个单元包括多个字。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述多个单元包括页面。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述多个单元中的所述至少一些包括一个并且仅一个字。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述多个单元中的所述至少一些包括一个并且仅一个字。
16.根据权利要求11所述的方法，其中在施加了所述预编程电压之后以及在施加所述编程电压之前不执行读取验证。
17.根据权利要求11所述的方法，其中所述预编程电压比所述编程电压低3伏到6伏之间。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述编程电压介于8伏与12伏之间。
19.根据权利要求11所述的方法，其中所述预编程电压的所述施加的所述持续时间为所述编程电压的所述施加的所述持续时间的1/10至1/3。
20.根据权利要求11所述的方法，其中施加预编程电压步骤和施加编程电压步骤的所述步骤的所述总持续时间小于10μs。