技术特征：
技术总结
在所描述实例中，一种分裂栅极快闪存储器单元(单元)包含半导体表面(205a)。位于第一浮动栅极FG(210)上的第一控制栅极CG(230)及位于第二FG(220)上的第二CG(240)各自位于所述半导体表面上的隧道栅极介电层(211)上。共同源极或共同漏极(245)介于所述第一FG与所述第二FG之间。第一选择栅极(215)及第二选择栅极(225)位于选择栅极介电层(216)上、分别介于第一BL源极或漏极S/D(218)与所述第一FG之间及第二BL S/D(228)与所述第二FG之间。所述第一选择栅极(215)具有第一袋形区域(217)，其具有不同于与所述第二选择栅极(225)相关联的第二袋形区域(227)中的第二掺杂分布的第一掺杂分布，这减小了在使用所述第一选择栅极测量所述单元的读取电流(Ir)与使用所述第二选择栅极测量Ir之间所述Ir的变化。
技术研发人员：柏向正;D·T·格里德
受保护的技术使用者：德州仪器公司
技术研发日：2016.03.24
技术公布日：2017.10.13