1.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包括：
一浮接栅极层元件，包含一浮接栅极层；
一控制耦合元件，配置以接收一控制电位以耦合该控制电位至该浮接栅极层，以使该浮接栅极元件根据该控制电位、一字元选择电位以及一位元选择电位进行读取或写入；
一抹除耦合元件，配置以接收一抹除电位以耦合该抹除电位至该浮接栅极层，以使该浮接栅极元件根据该抹除电位进行抹除；以及
一选择栅极元件，电性耦接于该浮接栅极元件，并配置以根据一字元驱动电位以及一源极驱动电位产生该字元选择电位。
2.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该浮接栅极元件根据该控制电位、该字元选择电位、该位元选择电位以及该浮接栅极层的一电性状态进行读取，从而产生一读取电流。
3.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该浮接栅极元件根据该控制电位、该字元选择电位以及该位元选择电位进行写入，以决定该浮接栅极层的一电性状态。
4.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包括：
一浮接栅极元件，包含一栅极氧化层以及覆盖该第一氧化层上的一浮接栅极层；
一控制耦合元件，包含一第一井区、位于该第一井区中的一第一布植区以及一第一氧化层，其中该浮接栅极层延伸以覆盖该第一氧化层，且该控制耦合元件通过该第一布植区接收一控制电位，以通过该第一井区以及该第一氧化层耦合至该浮接栅极层，以使该浮接栅极元件根据该控制电位以及一字元选择电位以及一位元选择电位进行读取或写入；
一抹除耦合元件，包含一第二井区、位于该第二井区中的一第二布植区以及一第二氧化层，其中该浮接栅极层延伸以覆盖该第二氧化层，且该抹除耦合元件通过该第二布植区接收一抹除电位，以通过该第二井区以及该第二氧化层耦合至该浮接栅极层，以使该浮接栅极元件根据该抹除电位进行抹除；以及
一选择栅极元件，电性耦接于该浮接栅极元件，并配置以根据一字元驱动电位以及一源极驱动电位产生该字元选择电位。
5.如权利要求4所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该浮接栅极元件还包含一第一源/漏极以及一第二源/漏极，该浮接栅极元件配置以于该第一源/漏极接收该位元选择电位，并于该第二源/漏极接收该字元选择电位。
6.如权利要求5所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该浮接栅极元件根据该控制电位、该字元选择电位、该位元选择电位以及该浮接栅极层的一电性状态进行读取，从而产生一读取电流。
7.如权利要求5所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该选择栅极元件包含电性耦接于该第二源/漏极的一第三源/漏极、一第四源/漏极以及一选择栅极，该选择栅极元件配置以于该选择栅极接收该字元驱动电位以及该第四源/漏极接收该源极驱动电位时产生该字元选择电位。
8.如权利要求6所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该第一源/漏极电性耦接于一位元线，该选择栅极电性耦接于一字元线，且该第四源/漏极电性耦接于一源极线，该第一布植区电性耦接于一控制线，该第二布植区电性耦接于一抹除线。
9.如权利要求4所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该浮接栅极元件根据该控制电位、该字元选择电位以及该位元选择电位进行写入，以决定该浮接栅极层的一电性状态。
10.如权利要求4所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该浮接栅极层覆盖该栅极氧化层的一第一区块小于该浮接栅极层覆盖该第一氧化层的一第二区块，该浮接栅极层覆盖该第二氧化层的一第三区块小于该第一区块。