1.一种用于初始化包括存储器块的非易失性存储器设备中的通道的方法，所述存储器块包括多条字线和多条串选择线，所述方法包括：
向多条串选择线施加电压；
将穿过存储器块的位线转换成浮动状态；以及
释放位线的浮动状态。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述释放位线的浮动状态在开始移除施加到所述多条串选择线当中的未选择的串选择线的电压的时间点之后执行，并且在将感测所需的电压施加到所述位线的时间点之前完成。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述将穿过存储器块的位线转换成浮动状态从位线未以浮动状态提供的状态转换成施加0v或更高至驱动电压或更低的恒定电压的状态。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在穿过存储器块的位线到浮动状态的转换中，在将位线转换成浮动状态之前，将从0v或更高至驱动电压或更低的恒定电压施加到位线。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，取决于字线中的一条的地址而不同地设置将位线转换成浮动状态的时间点或释放位线的浮动状态的时间点。
6.根据权利要求5所述的方法，其中当施加到一条字线的电压值变大时，延迟将位线转换成浮动状态的时间点或者提前释放位线的浮动状态的时间点。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述位线是穿过所述存储器块的多条位线中的一条，
其中取决于电压施加到字线中的一条的方向，针对位线中的每一条，不同地设置将位线转换成浮动状态的时间点或释放位线的浮动状态的时间点。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述位线是穿过存储器块的多条位线中的一条，并且
其中当位线变得更接近施加电压的点时，延迟将位线转换成浮动状态的时间点或者提前释放位线的浮动状态的时间点。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储器设备包括多个存储器块，并且所述位线穿过所述多个存储器块，
其中取决于存储器块的地址，不同地设置将位线转换成浮动状态的时间点或释放位线的浮动状态的时间点。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，当存储器块距离施加电压的点更远时，延迟将位线转换成浮动状态的时间点。
11.根据权利要求1所述的方法，其中通过断开设置在穿过存储器块的位线和位线驱动器之间的晶体管来执行到浮动状态的转换。
12.一种用于初始化包括存储器块的非易失性存储器设备中的通道的方法，所述存储器块包括多条字线和多条串选择线，所述方法包括：
将穿过存储器块的位线转换成浮动状态；
向多条串选择线施加电压；以及
释放位线的浮动状态。
13.一种用于初始化包括存储器块的非易失性存储器设备中的通道的设备，所述存储器块包括多条字线和多条串选择线，所述设备包括：
电压生成器，向多条串选择线施加电压；
第一控制电路，将穿过存储器块的位线转换成浮动状态；和
第二控制电路，释放位线的浮动状态。
14.根据权利要求13所述的设备，其中所述第二控制电路在开始移除施加到所述多条串选择线中的未选择的串选择线的电压的时间点之后，并且在将感测所需的电压施加到所述位线的时间点之前，释放位线的浮动状态。
15.根据权利要求13所述的设备，其中取决于字线中的一条的地址，不同地设置第一控制电路将位线转换成浮动状态的时间点或者第二控制电路释放位线的浮动状态的时间点。
16.根据权利要求15所述的设备，其中，当施加到一条字线的电压值变大时，延迟第一控制电路将位线转换成浮动状态的时间点，或者提前第二控制电路释放位线的浮动状态的时间点。
17.根据权利要求13所述的设备，其中取决于电压施加到字线中的一条的方向，不同地设置第一控制电路将位线转换成浮动状态的时间点或者第二控制电路释放位线的浮动状态的时间点。
18.根据权利要求17所述的设备，其中所述位线是穿过存储器块的多条位线中的一条，并且
其中当位线变得更接近施加电压的点，延迟第一控制电路将位线转换成浮动状态的时间点，或者提前第二控制电路释放位线的浮动状态的时间点。
19.根据权利要求13所述的设备，其中所述非易失性存储设备包括多个存储器块，并且所述位线穿过所述多个存储器块，
其中，取决于存储器块的地址，不同地设置第一控制电路将位线转换成浮动状态的时间点或者第二控制电路释放位线的浮动状态的时间点。
20.根据权利要求13所述的设备，其中，在位线被转换成浮动状态之前，第一控制电路将0v或更高至驱动电压或更低的恒定电压施加到位线。