技术特征：
1.一种系统，其包括：多个存储器管芯，每个存储器管芯包括为所述存储器管芯存储多个读取电压电平的寄存器；以及处理装置，其耦合到所述多个存储器管芯，其中为了测试所述多个存储器管芯中的存储器管芯，所述处理装置用于：经由存取存储在所述存储器管芯的所述寄存器中的所述多个读取电压电平，验证每个读取电压电平是否落入对应的相对电压范围内；选择所述多个读取电压电平中的初始读取电压电平，以在所述存储器管芯的第一最短写入到读取w2r延迟范围或第二最短写入到读取w2r延迟范围中的一个处实现不满足阈值标准的误码率；使用所述初始读取电压电平确定所述存储器管芯的存储单元的误码率，其中每个存储单元包括一或多个码字；以及响应于以下各项中的一个，将所述存储器管芯报告为有缺陷：(i)所述多个读取电压电平中的读取电压电平未通过验证；或(ii)所述存储器管芯的一或多个存储单元的所述误码率满足所述阈值标准。2.根据权利要求1所述的系统，其中为了验证每个读取电压电平落入对应的相对电压范围内，所述处理装置进一步用于：验证第二读取电压电平高于所述多个读取电压电平中的第一读取电压电平；验证第三读取电压电平高于所述第二读取电压电平；以及验证第四读取电压电平高于所述第三读取电压电平。3.根据权利要求1所述的系统，其中为了验证每个读取电压电平落入对应的相对电压范围内，所述处理装置进一步用于：验证第二读取电压电平落在第一读取电压电平加第一最小偏移电压与所述第一读取电压电平加第一最大偏移电压之间；验证第三读取电压电平落在所述第一读取电压电平加第二最小偏移电压与所述第一读取电压电平加第二最大偏移电压之间，其中所述第二最小偏移电压大于所述第一最小偏移电压，并且其中所述第二最大偏移电压大于所述第一最大偏移电压；以及验证第四读取电压电平落在所述第一读取电压电平加第三最小偏移电压与所述第一读取电压电平加第三最大偏移电压之间，其中所述第三最小偏移电压大于所述第二最小偏移电压，并且其中所述第三最大偏移电压大于所述第二最大偏移电压。4.根据权利要求1所述的系统，其中确定所述误码率包括迭代地：将数据顺序地写入到所述存储器管芯的多个所述存储单元，直到最佳w2r延迟周期期满；使用所述初始读取电压电平，从所述存储器管芯的所述多个所述存储单元中顺序地读取所述数据，直到已经读取了先前写入的所述多个所述存储单元，其中在对所述多个存储单元中的存储单元进行对应的写入操作之后的所述最佳w2r延迟周期执行每个读取操作；以及基于从所述存储器管芯的所述多个所述存储单元顺序地读取所述数据来跟踪所述误码率。
5.根据权利要求4所述的系统，其中确定所述误码率进一步包括，在对所述多个所述存储单元中的最后的存储单元的最后的写入操作之后，在顺序写入中引起延迟，直到所述最佳w2r延迟周期期满。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置进一步响应于所述一或多个存储单元的所述误码率超过所述阈值标准不大于阈值百分比：为所述存储器管芯选择所述多个读取电压电平中的第二读取电压电平，以在所述第一最短w2r延迟范围或所述第二最短w2r延迟范围中的另一个处实现不满足第二阈值标准的误码率；使用所述第二读取电压电平确定所述存储器管芯的存储单元的第二误码率；以及响应于所述存储器管芯的一或多个所述存储单元的所述第二误码率满足所述第二阈值标准而将所述存储器管芯报告为有缺陷。7.一种方法，其包括在存储器子系统的制造期间使用至少一个处理装置测试所述存储器子系统的多个存储器管芯，其中测试所述多个存储器管芯中的存储器管芯包括：经由存取存储在所述存储器管芯中的读取电压电平，验证每个读取电压电平落入对应的相对电压范围内；为所述存储器管芯选择所述读取电压电平中的初始读取电压电平，以在第一最短写入到读取w2r延迟范围、第二最短写入到读取w2r延迟范围或第三最短写入到读取w2r延迟范围中的一个处实现不满足阈值标准的误码率；以及执行误码率检查，其包括：将数据写入所述存储器管芯的存储单元；使所述数据使用所述初始读取电压电平从所述存储器管芯的所述存储单元被读取；以及基于所述从所述存储器管芯的所述存储单元读取所述数据来确定误码率。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述验证包括：(i)验证第二读取电压电平高于第一读取电压电平；(ii)验证第三读取电压电平高于所述第二读取电压电平；(iii)验证第四读取电压电平高于所述第三读取电压电平；以及响应于(i)、(ii)或(iii)中的一个未通过验证而将所述存储器管芯报告为有缺陷。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述验证进一步包括：(iv)验证所述第二读取电压电平落在所述第一读取电压电平加第一最小偏移电压与所述第一读取电压电平加第一最大偏移电压之间；(v)验证所述第三读取电压电平落在所述第一读取电压电平加第二最小偏移电压与所述第一读取电压电平加第二最大偏移电压之间，其中所述第二最小偏移电压大于所述第一最小偏移电压，并且其中所述第二最大偏移电压大于所述第一最大偏移电压；(vi)验证所述第四读取电压电平落在所述第一读取电压电平加第三最小偏移电压与所述第一读取电压电平加第三最大偏移电压之间，其中所述第三最小偏移电压大于所述第二最小偏移电压，并且其中所述第三最大偏移电压大于所述第二最大偏移电压；以及响应于(iv)、(v)或(vi)中的一个未通过验证而将所述存储器管芯报告为有缺陷。10.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括响应于阈值数目的所述存储单元的所述
误码率满足所述阈值标准而将所述存储器管芯报告为有缺陷。11.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：为所述存储器管芯选择所述读取电压电平中的第二读取电压电平，以在所述第一最短w2r延迟范围、所述第二最短w2r延迟范围或所述第三最短w2r延迟范围中的另一个处实现不满足所述阈值标准的误码率；以及其中执行所述误码率检查进一步包括：将数据写入所述存储器管芯的所述存储单元；使用所述第二读取电压电平从所述存储器管芯的所述存储单元读取所述数据；基于所述使用所述第二读取电压电平从所述存储器管芯的所述存储单元读取所述数据来确定第二误码率；以及响应于阈值数目的所述存储单元的所述第二误码率满足所述阈值标准，将所述存储器管芯报告为有缺陷。12.根据权利要求7所述的方法，其中所述执行所述误码率检查进一步包括对所述存储器管芯的所述存储单元迭代地：顺序地写入到多个所述存储单元，直到所述初始读取电压电平的最佳w2r延迟周期期满；以及从所述多个所述存储单元顺序地读取直到已经读取了先前写入的所述多个所述存储单元，其中在对所述多个存储单元中的存储单元的相应写入操作之后，以所述最佳w2r延迟周期执行每个读取操作。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述执行所述误码率检查进一步包括，在对所述多个存储单元中的最后的存储单元的最后的写入操作之后，在顺序写入中引起延迟，直到所述最佳w2r延迟周期期满。14.一种存储指令的非暂时性机器可读存储介质，所述指令在由处理装置执行时使得所述处理装置针对存储器子系统的多个存储器管芯中的存储器管芯以：经由存取存储在所述存储器管芯中的读取电压电平，验证每个读取电压电平落入对应的相对电压范围内；选择所述读取电压电平中的初始读取电压电平，以在所述存储器管芯的第一最短写入到读取w2r延迟范围、第二最短写入到读取w2r延迟范围或第三最短写入到读取w2r延迟范围中的一个处实现不满足阈值标准的误码率；使数据被写入到所述存储器管芯的存储单元；使所述数据使用所述初始读取电压电平从所述存储器管芯的所述存储单元被读取；以及基于从所述存储器管芯的所述存储单元读取所述数据来确定误码率。15.根据权利要求14所述的非暂时性机器可读存储介质，其中验证每个读取电压电平落入对应的电压范围包括以：(i)验证第二读取电压电平高于第一读取电压电平；(ii)验证第三读取电压电平高于所述第二读取电压电平；(iii)验证第四读取电压电平高于所述第三读取电压电平；以及响应于(i)、(ii)或(iii)中的一个未通过验证而将所述存储器管芯报告为有缺陷。
16.根据权利要求15所述的非暂时性机器可读存储介质，其中验证每个读取电压电平落入对应的电压范围包括以：(iv)验证所述第二读取电压电平落在所述第一读取电压电平加第一最小偏移电压与所述第一读取电压电平加第一最大偏移电压之间；(v)验证所述第三读取电压电平落在所述第一读取电压电平加第二最小偏移电压与所述第一读取电压电平加第二最大偏移电压之间，其中所述第二最小偏移电压大于所述第一最小偏移电压，并且其中所述第二最大偏移电压大于所述第一最大偏移电压；(vi)验证所述第四读取电压电平落在所述第一读取电压电平加第三最小偏移电压与所述第一读取电压电平加第三最大偏移电压之间，其中所述第三最小偏移电压大于所述第二最小偏移电压，并且其中所述第三最大偏移电压大于所述第二最大偏移电压；以及响应于(iv)、(v)或(vi)中的一个未通过验证而将所述存储器管芯报告为有缺陷。17.根据权利要求14所述的非暂时性机器可读存储介质，其中所述指令进一步使所述处理装置响应于所述存储单元中的一或多个的所述误码率满足所述阈值标准而将所述存储器管芯报告为有缺陷。18.根据权利要求14所述的非暂时性机器可读存储介质，其中所述指令进一步使所述处理装置以：为所述存储器管芯选择所述读取电压电平中的第二读取电压电平，以在第一w2r延迟范围、第二w2r延迟范围或第三w2r延迟范围中的另一个处实现不满足所述阈值标准的误码率；再次使数据被写入到所述存储器管芯的所述存储单元；使所述数据使用所述第二读取电压电平从所述存储器管芯的所述存储单元被读取；基于使用所述第二读取电压电平从所述存储器管芯的所述存储单元读取所述数据来确定第二误码率；以及响应于所述存储单元中的一或多个的所述第二误码率满足所述阈值标准而将所述存储器管芯报告为有缺陷。19.根据权利要求14所述的非暂时性机器可读存储介质，其中为了使所述数据被写入到所述存储器管芯的所述存储单元和从所述存储单元被读取，所述指令进一步使所述处理装置迭代地：使所述数据顺序地写入到多个所述存储单元，直到所述初始读取电压电平的最佳w2r延迟周期期满；以及使所述数据从所述多个存储单元被顺序地读取，直到已经读取了先前被写入的所述多个存储单元，其中在对所述多个存储单元中的存储单元的对应的写入操作之后，以所述最佳w2r延迟周期执行每个读取操作。20.根据权利要求14所述的非暂时性机器可读存储介质，其中所述指令进一步使所述处理装置以：在对所述存储器管芯的最后的多个所述存储单元的最后的顺序写入操作期间，引起顺序写入的延迟，直到当前最佳w2r延迟周期期满；以及使所述数据从所述最后的多个所述存储单元中顺序地被读取。