技术总结
本申请涉及存储器子存储器的读电压辅助制造测试。处理装置通过经由存取多个读取电压电平来验证每个读取电压电平是否落入对应的相对电压范围内来测试每个存储器管芯。所述处理装置选择初始读取电压电平，以在所述存储器管芯的第一最短写入到读取W2R延迟或第二最短写入到读取W2R延迟中的一个处实现不满足阈值标准的误码率，并且使用所述初始读取电压电平确定所述存储器管芯的存储单元的误码率。所述处理装置响应于以下各项中的一个，将所述存储器管芯报告为有缺陷：(i)所述多个读取电压电平中的读取电压电平未通过验证；或(ii)所述存储器管芯的一或多个存储单元的所述误码率满足所述阈值标准。足所述阈值标准。足所述阈值标准。
技术研发人员：振刚
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2020.08.25
技术公布日：2021/3/4