技术特征：
1.一种存储装置，包括：非易失性存储器，其包括存储器块，所述存储器块包括第一存储器块和第二存储器块；缓冲存储器，其被配置为将具有第一读电平的第一读电压和具有高于所述第一读电平的第二读电平的第二读电压施加到与各个存储器块的参考字线连接的存储器单元，并且存储第一导通单元计数和第二导通单元计数，所述第一导通单元计数指示连接到所述参考字线的存储器单元当中的通过所述第一读电压导通的存储器单元的数量，所述第二导通单元计数指示连接到所述参考字线的存储器单元当中的通过所述第二读电压导通的存储器单元的数量；以及控制器，当所述存储装置中发生突然断电时，所述控制器将各个存储器块的第一导通单元计数存储在所述非易失性存储器的掉电保护区域中。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，当在向所述第一存储器块写入数据的同时发生突然断电时，所述控制器还被配置为在能够向所述第一存储器块连续写入所述数据时选择所述第一存储器块作为所述掉电保护区域，并且将各个存储器块的第一导通单元计数存储在所述掉电保护区域中。3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，当在向所述第一存储器块写入数据的同时发生突然断电时，所述控制器还被配置为在不能向所述第一存储器块连续写入数据时选择所述第二存储器块作为所述掉电保护区域，并且将各个存储器块的第一导通单元计数存储在所述掉电保护区域中。4.根据权利要求3所述的存储装置，其中，所述控制器还被配置为将所述数据当中的第一数据写入到所述第二存储器块，此后将写入到所述第一存储器块的第二数据迁移到所述第二存储器块，并且对所述第一存储器块执行擦除操作。5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制器还被配置为在所述存储装置通电并启动时将所述第一导通单元计数存储在所述缓冲存储器中，并且将在连接到各个存储器块的参考字线的存储器单元当中的以所述第二读电压监测的第二导通单元计数存储在所述缓冲存储器中，并且此后读取存储在所述掉电保护区域中的各个存储器块的第一导通单元计数。6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制器还被配置为执行周期性地监测所述第一导通单元计数和所述第二导通单元计数以更新所述缓冲存储器的后台操作。7.根据权利要求6所述的存储装置，其中，当从主机接收到将数据写入所述第一存储器块的写请求或者从所述第一存储器块读取数据的读请求时，所述控制器还被配置为停止所述后台操作。8.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述控制器还被配置为响应于所述读请求基于所述第一导通单元计数、所述第二导通单元计数和所述第一存储器块的目标字线的编号来计算用于读取所述数据的读电平，并且此后将所述读电平提供给所述非易失性存储器以施加到所述目标字线。9.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制器还被配置为根据与用于确定连接到所述参考字线的存储器单元的数据的读电平当中的较低读电平的相关性来确定所述第一读电平，并且根据与所述读电平当中的较高读电平的相关性来确定所述第二读电平。10.一种存储装置，包括：
非易失性存储器，其包括存储器块，所述存储器块包括第一存储器块和第二存储器块；缓冲存储器，其被配置为将具有第一读电平的第一读电压和具有高于所述第一读电平的第二读电平的第二读电压施加到与各个存储器块的参考字线连接的存储器单元，并且存储第一导通单元计数、第二导通单元计数和人工神经网络模型，所述第一导通单元计数指示连接到所述参考字线的存储器单元当中的通过所述第一读电压导通的存储器单元的数量，所述第二导通单元计数指示连接到所述参考字线的存储器单元当中的通过所述第二读电压导通的存储器单元的数量；以及控制器，其被配置为：将所述第一导通单元计数、所述第二导通单元计数以及所述存储器块当中的目标存储器块的目标字线的编号输入到所述人工神经网络模型，计算用于确定连接到所述目标字线的存储器单元的数据的读电平，并且当所述存储装置中发生突然断电时将各个存储器块的第一导通单元计数存储在所述非易失性存储器的掉电保护区域中。11.根据权利要求10所述的存储装置，其中，所述人工神经网络模型被配置为接收包括各个存储器块的第一导通单元计数和第二导通单元计数以及所述存储器块的字线的编号的输入数据，校准所述人工神经网络模型的权重和偏差，并且输出用于读取连接到所述字线的存储器单元的数据的读电平。12.根据权利要求11所述的存储装置，其中，根据与各个存储器块的数据保持时间和针对各个存储器块的读操作的次数中的至少一个有关的劣化条件来校准所述人工神经网络模型的权重和偏差。13.根据权利要求10所述的存储装置，其中，所述控制器还被配置为根据与用于确定连接到所述参考字线的存储器单元的数据的读电平当中的较低读电平的相关性来确定所述第一读电平，并且根据与所述读电平当中的较高读电平的相关性来确定所述第二读电平。14.一种包括非易失性存储器的存储装置的操作方法，所述非易失性存储器包括存储器块，所述存储器块包括第一存储器块和第二存储器块，所述操作方法包括：监测各个存储器块的第一导通单元计数和第二导通单元计数，其中，所述第一导通单元计数将具有第一读电平的第一读电压施加到与各个存储器块的参考字线连接的存储器单元并且指示通过所述第一读电压导通的存储器单元的数量，并且所述第二导通单元计数将具有高于所述第一读电平的第二读电平的第二读电压施加到与各个存储器块的参考字线连接的存储器单元并且指示连接到所述参考字线的存储器单元当中的通过所述第二读电压导通的存储器单元的数量；将各个存储器块的第一导通单元计数和第二导通单元计数存储在所述缓冲存储器中；以及当发生所述存储装置的突然断电时，将各个存储器块的第一导通单元计数存储在所述非易失性存储器的掉电保护区域中。15.根据权利要求14所述的操作方法，还包括：将所述第一导通单元计数、所述第二导通单元计数以及存所述储器块当中的目标存储器块的目标字线的编号输入到人工神经网络模型；以及输出用于确定连接到所述目标字线的存储器单元的数据的读电平作为所述人工神经网络模型的输出。16.根据权利要求14所述的操作方法，还包括：
当在向所述第一存储器块写入数据的同时发生突然断电时，在能够向所述第一存储器块连续写入数据时选择所述第一存储器块作为所述掉电保护区域并且将各个存储器块的第一导通单元计数存储在所述掉电保护区域中。17.根据权利要求14所述的操作方法，还包括：当在向所述第一存储器块写入数据的同时发生所述存储装置的突然断电时，在不能向所述第一存储器块连续写入数据时选择所述第二存储器块作为所述掉电保护区域并且将各个存储器块的第一导通单元计数存储在所述掉电保护区域中。18.根据权利要求14所述的操作方法，还包括：当所述存储装置通电并启动时，读取存储在所述掉电保护区域中的各个存储器块的第一导通单元计数并将所述第一导通单元计数存储在所述缓冲存储器中。19.根据权利要求14所述的操作方法，还包括：执行周期性地监测所述第一导通单元计数和所述第二导通单元计数以更新所述缓冲存储器的后台操作。20.根据权利要求19所述的操作方法，还包括：当从主机接收到访问所述存储器块的请求时，停止所述后台操作。
技术总结
提供了一种存储装置和用于该存储装置的操作方法。该存储装置通过从非易失性存储器的掉电保护(PLP)区域恢复导通单元计数(OCC)来执行读操作。非易失性存储器包括存储器块、缓冲存储器和控制器。缓冲存储器存储第一导通单元计数(OCC1)和第二导通单元计数(OCC2)，OCC1指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第一读电压导通的存储器单元的数量，OCC2指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第二读电压导通的存储器单元的数量。当存储装置中发生突然断电时，控制器将各个存储器块的OCC1存储在PLP区域中。存储在PLP区域中。存储在PLP区域中。
技术研发人员：崔相炫 徐荣德 卢羌镐
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.06.30
技术公布日：2022/2/23