技术特征：
1.一种感测装置，其包括：第一电压节点，其经配置以接收第一电压电平；第二电压节点，其经配置以接收低于所述第一电压电平的第二电压电平；p型场效应晶体管pfet，其选择性地连接到数据线，其中所述pfet连接于所述第一电压节点与所述数据线之间，且连接于所述第二电压节点与所述数据线之间；以及感测节点，其选择性地连接到所述pfet，其中所述pfet连接于所述第一电压节点与所述数据线之间。2.根据权利要求1所述的感测装置，其中所述感测节点连接到电容。3.根据权利要求2所述的感测装置，其中所述电容包括电容器。4.根据权利要求1所述的感测装置，其中所述pfet为第一pfet，所述感测装置进一步包括：第二pfet，其连接于所述感测节点与所述第一pfet之间、连接于所述第一电压节点与所述第一pfet之间，且连接于所述第二电压节点与所述第一pfet之间。5.根据权利要求4所述的感测装置，其进一步包括：第三pfet，其与所述第一pfet和所述第二pfet并联连接。6.根据权利要求5所述的感测装置，其中所述第一pfet的控制栅极经配置以接收低于所述第三pfet的控制栅极经配置以接收的电压电平的电压电平。7.根据权利要求1所述的感测装置，其中所述第一电压电平为正电压电平。8.根据权利要求7所述的感测装置，其中所述第二电压电平为参考电位。9.一种存储器，其包括：存储器单元阵列，其包括多个串联连接的存储器单元串；多个数据线，其中所述多个数据线中的每一数据线选择性地连接到所述多个串联连接的存储器单元串中的一组相应串联连接的存储器单元串；共同源极，其选择性地连接到所述多个串联连接的存储器单元串中的每一串联连接的存储器单元串；感测装置，其选择性地连接到所述多个数据线中的特定数据线；以及用于所述存储器单元阵列的存取的控制器，其中所述控制器经配置以致使所述存储器进行以下操作：将第一电压电平施加到所述共同源极；在第一方向上经由p型场效应晶体管pfet将电荷转移到所述特定数据线，且将所述特定数据线经由所述pfet的放电在第二方向上限于低于所述第一电压电平的第二电压电平；将所述特定数据线选择性地连接到所述共同源极，且将所述特定数据线连接到经配置以接收低于所述第二电压电平的第三电压电平的电压节点；将所述特定数据线连接到所述感测装置的感测节点，且将所述特定数据线与所述电压节点隔离，其中所述pfet连接于所述特定数据线与所述感测节点之间；以及响应于在所述感测节点处产生的电压电平而确定连接到所述特定数据线的存储器单元是否具有预期阈值电压。10.根据权利要求9所述的存储器，其中所述控制器经配置以致使所述存储器将所述特定数据线连接到所述电压节点包括所述控制器经配置以致使所述存储器将所述特定数据
线连接到所述电压节点，直到响应于从所述共同源极经由连接到所述特定数据线的所述存储器单元且经由所述pfet流动到所述电压节点的电流而在所述特定数据线上产生稳态电压电平。11.根据权利要求10所述的存储器，其中所述控制器经配置以致使所述存储器将所述特定数据线连接到所述感测节点且使所述特定数据线与所述电压节点隔离包括所述控制器经配置以致使所述存储器同时将所述特定数据线连接到所述感测节点且使所述特定数据线与所述电压节点隔离。12.根据权利要求9所述的存储器，其中所述第一电压电平为正电压电平。13.根据权利要求12所述的存储器，其中所述第一电压电平选自由所述存储器的供电电压和所述供电电压的经调节版本组成的群组。14.根据权利要求12所述的存储器，其中所述第二电压电平为参考电位。15.根据权利要求14所述的存储器，其中所述第二电压电平为所述存储器的供电电压。16.根据权利要求9所述的存储器，其中所述感测装置为第一感测装置，其中所述pfet为第一pfet，且其中所述存储器进一步包括：第二感测装置，其选择性地连接到所述多个数据线中的不同数据线；其中所述控制器进一步经配置以致使所述存储器：在所述第一方向上经由第二pfet将电荷转移到所述不同数据线，且将所述特定数据线经由所述第二pfet的放电在所述第二方向上限于低于所述第一电压电平且不同于所述第二电压电平的第四电压电平；将所述不同数据线选择性地连接到所述共同源极，且将所述不同数据线连接到经配置以接收所述第三电压电平的所述电压节点；将所述不同数据线连接到所述第二感测装置的感测节点，且将所述不同数据线与所述电压节点隔离，其中所述第二pfet连接于所述不同数据线与所述第二感测装置的所述感测节点之间；以及响应于在所述第二感测装置的所述感测节点处产生的电压电平，确定连接到所述不同数据线的存储器单元是否具有用于连接到所述不同数据线的所述存储器单元的预期阈值电压。17.根据权利要求16所述的存储器，其中用于连接到所述特定数据线的所述存储器单元的所述预期阈值电压对应于多个数据状态中的特定数据状态，且其中用于连接到所述不同数据线的所述存储器单元的所述预期阈值电压对应于所述多个数据状态中的不同数据状态。18.根据权利要求17所述的存储器，其中所述特定数据状态与所述不同数据状态是所述多个数据状态中的邻近数据状态。19.根据权利要求18所述的存储器，其中所述控制器经配置以致使所述存储器确定连接到所述不同数据线的所述存储器单元是否具有用于连接到所述不同数据线的所述存储器单元的所述预期阈值电压包括所述控制器经配置以致使所述存储器确定连接到所述不同数据线的所述存储器单元是否具有用于连接到所述不同数据线的所述存储器单元的所述预期阈值电压，同时致使所述存储器确定连接到所述特定数据线的所述存储器单元是否具有用于连接到所述特定数据线的所述存储器单元的所述预期阈值电压。
20.根据权利要求16所述的存储器，其中所述第一pfet经配置以在所述第一pfet的控制栅极处接收第五电压电平，且其中所述第二pfet经配置以在所述第二pfet的控制栅极处接收不同于所述第五电压电平的第六电压电平。21.根据权利要求20所述的存储器，其中所述第五电压电平与所述第六电压电平各自为正电压电平。22.一种存储器，其包括：存储器单元阵列，其包括多个串联连接的存储器单元串；多个数据线，其中所述多个数据线中的每一数据线选择性地连接到所述多个串联连接的存储器单元串中的一组相应串联连接的存储器单元串；共同源极，其选择性地连接到所述多个串联连接的存储器单元串中的每一串联连接的存储器单元串；以及感测装置，其选择性地连接到所述多个数据线中的特定数据线，其中所述感测装置包括：第一电压节点，其经配置以接收第一电压电平；第二电压节点，其经配置以接收低于所述第一电压电平的第二电压电平；p型场效应晶体管pfet，其选择性地连接到数据线，其中所述pfet连接于所述第一电压节点与所述数据线之间，且连接于所述第二电压节点与所述数据线之间；以及感测节点，其选择性地连接到所述pfet，其中所述pfet连接于所述第一电压节点与所述数据线之间。23.根据权利要求22所述的存储器，其中所述感测装置的所述感测节点连接到电容器。24.根据权利要求22所述的存储器，其中所述pfet为第一pfet，且其中所述感测装置进一步包括：第二pfet，其连接于所述感测节点与所述第一pfet之间、连接于所述第一电压节点与所述第一pfet之间，且连接于所述第二电压节点与所述第一pfet之间。25.根据权利要求24所述的存储器，其中所述感测装置进一步包括：第三pfet，其与所述第一pfet和所述第二pfet并联连接。26.根据权利要求25所述的存储器，其中所述第一pfet的控制栅极经配置以接收低于所述第三pfet的控制栅极经配置以接收的电压电平的电压电平。
技术总结
本申请案涉及存储器单元感测。感测装置可包含：第一电压节点，其经配置以接收第一电压电平；第二电压节点，其经配置以接收低于所述第一电压电平的第二电压电平；p型场效应晶体管pFET，其选择性地连接到数据线；以及感测节点，其选择性地连接到所述pFET。所述pFET可连接于所述第一电压节点与所述数据线之间、所述第二电压节点与所述数据线之间以及所述第一电压节点与所述数据线之间。存储器可具有经配置以致使所述存储器使用类似感测装置确定存储器单元是否具有预期阈值电压的控制器。储器单元是否具有预期阈值电压的控制器。储器单元是否具有预期阈值电压的控制器。
技术研发人员：C
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2021.12.27
技术公布日：2022/6/30