技术特征：
1.一种存储系统，具有：第1布线，其在第1方向上延伸；第2布线，其在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；存储单元，其包括连接在所述第1布线与所述第2布线之间的可变电阻元件和开关元件；以及控制电路，所述可变电阻元件是被切换为第1低电阻状态或第1高电阻状态的元件，所述开关元件是根据所施加的电压而被切换为第2低电阻状态或第2高电阻状态的两端子的元件，所述第2低电阻状态的电阻比所述第1低电阻状态的电阻低，所述第2高电阻状态的电阻比所述第1高电阻状态的电阻高，所述控制电路，对于所述第1布线，在供给了所述开关元件被切换为所述第2低电阻状态的第1电压之后，供给所述开关元件被从所述第2低电阻状态切换为所述第2高电阻状态的第2电压，在供给了所述第2电压之后，检测所述第2布线的第1对象电压。2.根据权利要求1所述的存储系统，在所述第2布线的电压因经由所述第2低电阻状态的所述开关元件产生从所述第2布线向所述第1布线的电流而发生变化、所述开关元件因所述第1电压与所述第2布线的电压的电位差而被从所述第2低电阻状态切换为所述第2高电阻状态之前，所述控制电路向所述第1布线供给所述第2电压。3.根据权利要求1所述的存储系统，所述控制电路在向所述第1布线供给所述第1电压之前，向所述第1布线供给第3电压，向所述第2布线供给第4电压，所述第3电压与所述第4电压的电位差下处于所述第2高电阻状态的所述开关元件通过所述第1电压与所述第4电压的电位差而被切换为所述第2低电阻状态。4.根据权利要求1所述的存储系统，还具有与所述第2布线连接的恒流电路，所述恒流电路在向所述第1布线供给着所述第1电压时，向所述第2布线供给恒定电流。5.根据权利要求4所述的存储系统，所述控制电路在向所述第1布线供给了所述第2电压之后，停止从所述恒流电路向所述第2布线的所述恒定电流的供给。6.根据权利要求4所述的存储系统，所述控制电路，向所述第1布线供给所述第1电压，通过从所述恒流电路向所述第2布线供给所述恒定电流，使所述第2布线的电压上升，直到所述开关元件被从所述第2高电阻状态切换为所述第2低电阻状态。7.根据权利要求1所述的存储系统，所述控制电路在所述第2布线为浮置的状态下检测所述第1对象电压。8.根据权利要求1所述的存储系统，
所述控制电路，在检测到所述第1对象电压之后，通过对所述可变电阻元件的写入动作，将所述可变电阻元件设定为与所述第1低电阻状态或所述第1高电阻状态对应的参照状态，对于处于所述参照状态的所述可变电阻元件，在向所述第1布线供给了所述第1电压之后供给所述第2电压，检测所述第2布线的第2对象电压，通过对所述第1对象电压和所述第2对象电压进行比较，判定所述可变电阻元件是所述第1低电阻状态、还是所述第1高电阻状态。9.根据权利要求1所述的存储系统，还具有在剖视下设置在所述第1布线与所述第2布线之间的绝缘层。10.根据权利要求1所述的存储系统，所述可变电阻元件和所述开关元件设置在所述第1布线与所述第2布线交叉的位置。11.根据权利要求1所述的存储系统，所述可变电阻元件为磁阻效应元件。
技术总结
一种能够进行稳定的读出动作的存储系统，具有：第1布线，在第1方向上延伸；第2布线，在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；存储单元，包括电连接在第1布线与第2布线之间的、串联连接的可变电阻元件和开关元件；以及控制电路。可变电阻元件是被切换为第1低电阻状态或第1高电阻状态的元件。开关元件是根据所施加的电压而被切换为比第1低电阻状态的电阻低的第2低电阻状态或比第1高电阻状态的电阻高的第2高电阻状态的两端子元件。控制电路在向第1布线供给了开关元件被切换为第2低电阻状态的第1电压之后，供给开关元件被从第2低电阻状态切换为第2高电阻状态的第2电压，在供给了第2电压之后，检测第2布线的第1对象电压。检测第2布线的第1对象电压。检测第2布线的第1对象电压。
技术研发人员：片山明
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：2022.01.28
技术公布日：2023/3/21