征描述为用于某些组合，甚至最初所要求保护的特征，但是来自要求保护的组合中的一个或更多个特征在某些情况下可以从组合中去除，且要求保护的组合也可以涉及子组合或子组合的变体。
[0123]类似地，尽管附图中以特定顺序描述了操作，但这不应当被理解为需要这种操作以所示的特定顺序或以连续的顺序执行，或者执行所有的所说明操作以实现所述的结果。此外，本专利文档中所述的实施例中的各种系统部件的分开不应被理解为在所有的实施例中需要这种分开。仅描述了一些实施例和实例。基于本公开中所述和所示的内容，可以进行其他的实施、增强和变型。
[0124]通过以上实施例可以看出，本申请提供了以下的技术方案。
[0125]技术方案1.一种电子设备，包括半导体存储单元，所述半导体存储单元包括:
[0126]一个或更多个第一平面和一个或更多个第二平面，所述第一平面和所述第二平面沿着垂直方向交替地层叠在衬底之上，所述第一平面中的每个包括沿着第一水平方向延伸的多个第一线，所述第二平面中的每个包括沿着第二水平方向延伸的多个第二线，所述第二水平方向与所述第一水平方向交叉；
[0127]多个可变电阻图案，被插入在所述第一平面中的每个和所述第二平面中的相应一个之间，所述可变电阻图案中的每个被设置在第一线和相应的第二线之间的交叉点处；以及
[0128]气隙，被设置在垂直方向大体同一水平处的相邻可变电阻图案之间。
[0129]技术方案2.根据技术方案I所述的电子设备，其中，所述气隙沿着所述垂直方向延伸以穿通在由所述第一线和所述第二线包围的区域中的第一平面和第二平面。
[0130]技术方案3.根据技术方案I所述的电子设备，还包括绝缘图案，包围在所述垂直方向大体同一水平处的可变电阻图案。
[0131]技术方案4.根据技术方案3所述的电子设备，其中，所述绝缘图案包括类似网的结构且包围所述气隙。
[0132]技术方案5.根据技术方案I所述的电子设备，还包括具有岛形状的多个绝缘图案，所述多个绝缘图案中的每个包围所述可变电阻图案中的每个，
[0133]其中，所述气隙包括类似网的结构且包围所述多个绝缘图案。
[0134]技术方案6.根据技术方案I所述的电子设备，其中，所述气隙包括类似网的结构且包围所述可变电阻图案。
[0135]技术方案7.根据技术方案3所述的电子设备，其中，所述可变电阻图案包括具有氧空位的缺氧金属氧化物，而所述绝缘图案包括富氧金属氧化物，所述富氧金属氧化物具有比所述缺氧金属氧化物更多的氧含量。
[0136]技术方案8.根据技术方案7所述的电子设备，其中，所述富氧金属氧化物满足化学计量比。
[0137]技术方案9.根据技术方案I所述的电子设备，其中，所述可变电阻图案具有四边形形状，所述四边形形状包括四个弯曲的线段，使得每个可变电阻图案的两个对角线分别与所述第一水平方向和所述第二水平方向大体平行。
[0138]技术方案10.根据技术方案2所述的电子设备，还包括:
[0139]第一间隔件，被设置在所述第一线中的每个的两个侧壁上；以及
[0140]第二间隔件，被设置在所述第二线中的每个的两个侧壁上，
[0141]其中，所述气隙被设置在相邻的第一间隔件之间和相邻的第二间隔件之间。
[0142]技术方案11.根据技术方案10所述的电子设备，还包括:
[0143]第一绝缘图案，被设置在同一平面的两个相邻的第一线之间的空间中；以及
[0144]第二绝缘图案，被设置在同一平面的两个相邻的第二线之间的空间中，
[0145]其中，所述气隙穿通所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案。
[0146]技术方案12.根据技术方案11所述的电子设备，其中，所述第一间隔件和所述第二间隔件包括具有比所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案以及所述可变电阻图案的刻蚀速率更低的刻蚀速率的材料。
[0147]技术方案13.根据技术方案2所述的电子设备，还包括:
[0148]第一绝缘图案，被设置在同一平面的两个相邻的第一线之间的空间中；以及
[0149]第二绝缘图案，被设置在同一平面的两个相邻的第二线之间的空间中，
[0150]其中，所述气隙穿通所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案。
[0151 ] 技术方案14.根据技术方案I所述的电子设备，还包括微处理器，所述微处理器包括:
[0152]控制单元，被配置成接收包括来自所述微处理器的外部的命令的信号，以及执行所述命令的提取、译码、或者控制所述微处理器的信号的输入或输出；
[0153]运算单元，被配置成基于所述控制单元将所述命令译码的结果来执行操作；以及
[0154]存储单元，被配置成储存用于执行所述操作的数据、与执行所述操作的结果相对应的数据、或者执行所述操作的数据的地址；
[0155]其中，所述半导体存储单元是所述微处理器中的所述存储单元的部分。
[0156]技术方案15.根据技术方案I所述的电子设备，还包括处理器，所述处理器包括:
[0157]核单元，被配置成通过使用数据，基于从所述处理器外部输入的命令来执行与所述命令相对应的操作；
[0158]高速缓冲存储单元，被配置成储存用于执行所述操作的数据、与执行所述操作的结果相对应的数据、或者执行所述操作的数据的地址；以及
[0159]总线接口，连接在所述核单元和所述高速缓冲存储单元之间，并且被配置成在所述核单元和所述高速缓冲存储单元之间传送数据，
[0160]其中，所述半导体存储单元是所述处理器中的所述高速缓冲存储单元的部分。
[0161]技术方案16.根据技术方案I所述的电子设备，还包括处理系统，所述处理系统包括:
[0162]处理器，被配置成将通过所述处理器接收的命令译码，并且基于将所述命令译码的结果来控制对信息的操作；
[0163]辅助存储器件，被配置成储存用于将所述命令译码的程序和所述信息；
[0164]主存储器件，被配置成调用和储存来自所述辅助存储器件的程序和信息，使得在执行所述程序时所述处理器可以利用所述程序和所述信息来执行操作；以及
[0165]接口器件，被配置成在所述处理器、所述辅助存储器件和所述主存储器件中的至少一个与外部之间执行通信，
[0166]其中，所述半导体存储单元是所述处理系统中的辅助存储器件或主存储器件的部分。
[0167]技术方案17.根据技术方案I所述的电子设备，还包括数据储存系统，所述数据储存系统包括:
[0168]储存器件，被配置成储存数据并保存储存的数据，而与电源无关；
[0169]控制器，被配置成根据从外部输入的命令来控制数据输入至所述储存器件和从所述储存器件输出数据；
[0170]暂时储存器件，被配置成暂时地储存所述储存器件和外部之间交换的数据；以及
[0171]接口，被配置成在所述储存器件、所述控制器和所述暂时储存器件中的至少一个与外部之间执行通信；
[0172]其中，所述半导体存储单元是所述数据储存系统中的所述储存器件或所述暂时储存器件的部分。
[0173]技术方案18.根据技术方案I所述的电子设备，还包括存储系统，所述存储系统包括:
[0174]存储器，被配置成储存数据并保存储存的数据，而与电源无关；
[0175]存储器控制器，被配置成根据从外部输入的命令来控制数据输入至所述存储器和从所述存储器输出数据；
[0176]缓冲存储器，被配置成缓冲在所述存储器和外部之间交换的数据；以及
[0177]接口，被配置成在所述存储器、所述存储器控制器和所述缓冲存储器中的至少一个与外部之间执行通信；
[0178]其中，所述半导体存储单元是所述存储系统中的所述存储器或所述缓冲存储器的部分。
【主权项】
1.一种电子设备，包括半导体存储单元，所述半导体存储单元包括: 一个或更多个第一平面和一个或更多个第二平面，所述第一平面和所述第二平面沿着垂直方向交替地层叠在衬底之上，所述第一平面中的每个包括沿着第一水平方向延伸的多个第一线，所述第二平面中的每个包括沿着第二水平方向延伸的多个第二线，所述第二水平方向与所述第一水平方向交叉； 多个可变电阻图案，被插入在所述第一平面中的每个和所述第二平面中的相应一个之间，所述可变电阻图案中的每个被设置在第一线和相应的第二线之间的交叉点处；以及 气隙，被设置在垂直方向大体同一水平处的相邻可变电阻图案之间。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述气隙沿着所述垂直方向延伸以穿通在由所述第一线和所述第二线包围的区域中的第一平面和第二平面。
3.根据权利要求1所述的电子设备，还包括绝缘图案，包围在所述垂直方向大体同一水平处的可变电阻图案。
4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，所述绝缘图案包括类似网的结构且包围所述气隙。
5.根据权利要求1所述的电子设备，还包括具有岛形状的多个绝缘图案，所述多个绝缘图案中的每个包围所述可变电阻图案中的每个， 其中，所述气隙包括类似网的结构且包围所述多个绝缘图案。
6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述气隙包括类似网的结构且包围所述可变电阻图案。
7.根据权利要求3所述的电子设备，其中，所述可变电阻图案包括具有氧空位的缺氧金属氧化物，而所述绝缘图案包括富氧金属氧化物，所述富氧金属氧化物具有比所述缺氧金属氧化物更多的氧含量。
8.根据权利要求7所述的电子设备，其中，所述富氧金属氧化物满足化学计量比。
9.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述可变电阻图案具有四边形形状，所述四边形形状包括四个弯曲的线段，使得每个可变电阻图案的两个对角线分别与所述第一水平方向和所述第二水平方向大体平行。
10.根据权利要求2所述的电子设备，还包括: 第一间隔件，被设置在所述第一线中的每个的两个侧壁上；以及 第二间隔件，被设置在所述第二线中的每个的两个侧壁上， 其中，所述气隙被设置在相邻的第一间隔件之间和相邻的第二间隔件之间。
【专利摘要】一种电子设备包括半导体存储器。所述半导体存储器包括：多个第一平面和多个第二平面，被设置在衬底之上并且沿着垂直方向交替地层叠在衬底之上，其中第一平面中的每个包括沿着与衬底平行的第一方向延伸的多个第一线，而第二平面中的每个包括沿着与衬底平行且与第一方向交叉的第二方向延伸的多个第二线；多个可变电阻图案，被插入在第一平面中的每个和第二平面中的每个之间，可变电阻图案中的每个被设置在第一线和相应的第二线之间的交叉点处；以及气隙，被设置在相邻的可变电阻图案之间。
【IPC分类】H01L21-8239, G11C13-00, H01L27-112
【公开号】CN104681084
【申请号】CN201410286232
【发明人】李宰演
【申请人】爱思开海力士有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2014年6月24日
【公告号】US20150155482