光学信息记录介质的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及在记录层中包含高分子化合物的光学信息记录介质。
【背景技术】
[0002]作为具有记录层和中间层的光学信息记录介质，例如，专利文献1~3中公开了使 记录层具有高分子化合物（高分子粘结剂）和分散在高分子粘结剂中的染料而形成的光学 信息记录介质。另外，专利文献1中记载了：在具有多层记录层的光学信息记录介质中，优 选含有多光子吸收染料，以使得记录再现时对相邻记录层的影响最小化。
[0003] 现有技术文献
[0004] 专利文献
[0005] 专利文献1:日本特开2012-89195号公报
[0006] 专利文献2:日本专利第2101521号公报
[0007] 专利文献3:日本专利第2771231号公报
【发明内容】
[0008]然而，分散在记录层中的高分子粘结剂中的染料有可能随着时间流逝而扩散到相 邻的层，例如中间层。染料扩散到中间层的话，例如，在记录层与中间层之间的界面处光变 得难以反射，因此信息的记录和读取的性能可能会降低。因此，记录层中分散有染料的光学 信息记录介质有可能产生保存性等长期稳定性方面的问题。
[0009]另外，记录层含有多光子吸收染料的情况下，为了记录信息，需要峰值功率大的超 短脉冲激光，因此（例如）存在光记录设备价格昂贵这样的问题。因此，人们期望即使采用 峰值功率小的、传统的光记录中所用的半导体激光等也能进行信息记录的光学信息记录介 质。另外，为了加快记录速度，期望记录材料的灵敏度尽可能地高。
[0010] 于是，本发明的目的是提供长期稳定性优异、并且可由峰值功率小的激光进行记 录的光学信息记录介质。
[0011] 用于实现上述目的的本发明为一种具有1个以上记录层的光学信息记录介质，其 中记录层包含单光子吸收染料结合至高分子化合物而形成的记录材料。该记录材料为这样 的材料：与单光子吸收染料分散于高分子化合物中的状态相比，高分子化合物与单光子吸 收染料的耦合强度A2较大。
[0012] 根据这样的结构，由于记录材料包含结合有染料的高分子化合物，因此可以抑制 染料扩散至相邻的层，例如中间层，并且可以提高光学信息记录介质的长期稳定性。另外， 由于染料为单光子吸收染料，因此可以利用峰值功率小的激光进行信息的记录。此外，记录 材料为这样的材料：与单光子吸收染料分散于高分子化合物中的状态相比，高分子化合物 与单光子吸收染料的耦合强度较大，因此记录灵敏度高度良好。
[0013]在上述光学信息记录介质中，优选的是，高分子化合物与单光子吸收染料的结合 所涉及的原子数小于10个。
[0014] 根据这样的结构，可以使记录灵敏度良好。
[0015] 在上述光学信息记录介质中，可以设为在各记录层之间设置有中间层的结构。
[0016] g卩，本发明可以适用于多层的光学信息记录介质。而且，本发明中的记录材料即使 使用单光子吸收染料其灵敏度也良好，因此即使降低记录层的吸收率（即，即使为高透过 率）也可以进行记录，因此可以设置多个记录层，并且可以谋求大容量化。
[0017] 在该多层光学信息记录介质中，可以将记录层设为这样的结构：在与夹着该记录 层的中间层之间形成第1界面和第2界面，并且通过单光子吸收染料吸收记录光所产生的 热而发生变形，从而在第1界面和第2界面中至少一者的界面处形成朝向中间层的凸出形 状，由此记录信息。
[0018] 在通过该凸出形状记录信息的光学信息记录介质中，可以将记录层的厚度设为 50nm以上。
[0019] 通过将记录层的厚度设为50nm以上，可以容易地形成凸出形状。
[0020] 另外，在利用凸出形状记录信息的光学信息记录介质中，形成了其中形成有凸出 形状的界面的中间层优选比记录层更软。这是因为，通过使形成了其中形成有凸出形状的 界面的中间层比记录层更软，容易使界面变形，利用凸出形状进行信息记录变得容易。需 要说明的是，记录层与中间层的硬度的比较可以通过将各自的构成材料互相挤压来进行确 认。即，可以将材料之间互相挤压时发生较大凹陷的一方确认为较软的。
[0021 ]另外，在利用凸出形状记录信息的光学信息记录介质中，可以设为这样的结构：形 成了其中形成有凸出形状的界面的中间层的玻璃化转变温度比记录层的玻璃化转变温度 低。这是因为，在这种情况下，形成了其中形成有凸出形状的界面的中间层比记录层更容易 变形，利用凸出形状进行信息记录变得容易。
[0022] 另外，在利用凸出形状记录信息的光学信息记录介质中，形成了其中形成有凸出 形状的界面的中间层为（例如）粘接剂层。
[0023] 另外，在利用凸出形状记录信息的光学信息记录介质中，通过记录光的照射，第1 界面和第2界面中，仅在一个界面处形成凸出形状，而在另一个界面处不形成凸出形状，形 成了其中形成有凸出形状的界面的中间层与记录层的折射率差优选比形成了其中未形成 有凸出形状的界面的中间层与记录层的折射率差大。
[0024] 由此，由于其中形成有凸出形状的界面用于信息的读取，因此通过使界面两侧材 料的折射率差较大，从而界面反射率较大，信息的读取变得容易，另外，由于其中未形成凸 出形状的界面不用于信息的读取，因此通过使界面两侧的材料的折射率差较小，能够使得 用于记录、读出的光（以下称为记录读出光）的透过率（具体而言，是第1界面和第2界面 的总透过率）变高。这样，在记录层为多层的情况下，光能够一直到达从记录读出光的照射 侧观察的更深处的记录层，因此有利于通过多层化增大记录容量。
[0025] 另外，在该结构中，形成了其中未形成凸出形状的界面的中间层的折射率与记录 层的折射率的差优选为〇. 05以下。
[0026] 由此，由于界面处的光反射率实质上成为0,因此在记录层为多层的情况下，光能 够到达从记录读出光的照射侧观察的更深处的记录层，因此有利于通过多层化增大记录容 量。
[0027] 附图简要说明
[0028] 图1是光学信息记录介质的截面图。
[0029] 图2是说明参与结合的原子数的图。
[0030] 图3是示出记录时形成的记录记号的图。
[0031] 图4是对再现时进行说明的图。
[0032] 图5是示出实验例的层构成的图。
[0033] 图6是示出实验结果的表。
【具体实施方式】
[0034] 下面，参照附图对本发明的一个实施方案进行说明。
[0035] 如图1所示，一个实施方案中所述的光学信息记录介质10具有：基板11、反射层 12、分隔层13、多个记录层14、多个中间层15 (粘合剂层15A和记录层支持层15B)、覆盖层 16、以及硬涂层17。需要说明的是，本实施方案中，将记录层14与粘合剂层15A之间形成的 界面作为第1界面的一个例子而称作记录界面18A，并将记录层14与记录层支持层15B之 间形成的界面作为第2界面的一个例子而称作非记录界面18B。
[0036] 基板11是用于支持记录层14和中间层15等的支持体，作为一个例子，由聚碳酸 酯的圆板等形成。本发明中，对基板11的材质没有特别限定。另外，基板11的厚度优选为 0.02mm~2mm的范围。另外，本实施方案的基板11中，在记录读出光的入射一侧的面（图 中上侧的面）上形成有作为用于进行循轨伺服的引导物的凹凸（伺服信号），也起到引导 层11A的作用。需要说明的是，引导层11A也可以是通过折射率的变化等来记录伺服信号 的层。另外，引导层11A也可以设为与基板11不同的层。
[0037] 反射层12是用于反射伺服光的层，由基板11 (引导层11A)的凹凸表面上气相沉 积的铝薄膜等形成。通过具有这样的反射层12,可以在伺服光的入射侧检测伺服信号，因此 再现设备的结构可以简化。
[0038] 分隔层13是用于调节记录层14和引导层11A的间隔的层，由热塑性树脂或热固 性树脂、紫外线固化性树脂、粘合剂等形成。分隔层13的厚度优选为5ym~100ym的范 围。通过具有这样的分隔层13,可以降低被引导层11A反射的光对于离引导层11A最近的 记录层14的影响。
[0039] 记录层14是由以光学方式记录信息的感光材料形成的层，含有共价结合有吸收 记录光的单光子吸收染料的高分子化合物作为记录材料。具体来说，与单光子吸收染料分 散于高分子化合物中的状态相比，该记录材料中高分子化合物与单光子吸收染料的耦合强 度A2较大。此处的耦合强度是取决于染料和高分子化合物（聚合物）的能量相互作用强 度的值，耦合强度大意味着染料和聚合物之间交换的能量的量大。耦合强度可以这样求出： 测定回波峰位移，由回波峰位移求出能量波动的相关函数，由得到的相关函数通过数值计 算求出。回波峰位移测定可以利用下述参考文献[1]的3脉冲?光子回波测定。另外，此处 的数值计算按照与下述参考文献[2]同样的方法进行，如下所述求出耦合强度（coupling strength)A20
[0040] [1]S.A.Passino,Y.Nagasawa,T.Joo,G.R.Fleming,J.Phys. Chem. , 1997, 101, 725-731.
[0041] [ 2 ]ff.P.deBoeij,M.S.Pshenichnikov,D. A.ffiersma,J.Phys. Chem. , 1996, 100, 11806-11823.
[0042] 首先，通过实验由回波峰位移求出能量波动的相关函数（M(T))。另外，M(T)使用 下面的函数。
[0043]
[0044] 此处，A表示各成分的系数，t为衰减时间常数且下标表示各成分。另外，T为总 体时间（populationtime)，:中_为初始相位，〇为振动频率，由回波峰位移通过实验求出。 由该相关函数求出
[0045]该式中的t为积
〇 分变量。其中，入为重组能（reorganizationenergy)，其由下式表示。
[0046]
[0047] 另外，M⑴使用谱密度（C(