技术总结
本发明提供了使用预非晶化注入形成半导体装置的方法以及形成的半导体装置。可以通过形成暴露抬升源极/漏极区域的表面的开口来提供形成半导体装置的方法。可以减小开口的尺寸，并可以通过开口对抬升源极/漏极区域执行预非晶化注入（PAI），以形成抬升源极/漏极区域的非晶化部分。可以由金属和非晶化部分形成金属硅化物。
技术研发人员：申忠桓;姜尚范;金大容;金桢益;金哲性;柳制亨;李相遇;崔孝锡
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
文档号码：201310195386
技术研发日：2013.05.23
技术公布日：2017.12.22