技术总结
本发明涉及电子封装件的制备方法，特别涉及一种含高体积分数SiC金属基复合电子封装件的制备方法。本发明按质量比，粘接剂：SiC颗粒＝1:3‑5，配取粘接剂和SiC颗粒并混合均匀，得到SiC预制体备用料后，通过3D打印技术得到设定尺寸、形状的SiC坯体；接着采用低温多段烧结的方式得到SiC多孔预制体；然后进行金属熔液浸渗处理，得到成品。本发明可制备任意复杂形状的电子封装件，而且可高精度控制成型过程，能够精确控制SiC体积分数、孔隙率、预制体孔径和孔长，以此精确控制材料的力学性能和热物理性能。
技术研发人员：李红英;欧阳勋;赖永秋
受保护的技术使用者：中南大学
文档号码：201410816993
技术研发日：2014.12.24
技术公布日：2017.03.29