技术总结
本发明提供了一种具有虚设图案的半导体设备。其包括：半导体基底，所述半导体基底上具有位于内部区域和外部区域之间的中间环形区域；碳化硅设备，位于所述半导体基底上的所述内部区域内；多个第一虚设图案，位于所述半导体基底上的所述中间环形区域内，其中所述多个第一虚设图案中的至少一个含有碳化硅；以及多个第二虚设图案，位于所述半导体基底上的所述外部区域内，其中所述第二虚设图案不含有碳化硅。本发明实施例，通过在中间环形区域设置含有碳化硅的第一虚设图案，因此能够缓解微负载效应。
技术研发人员：李东兴;杨明宗;黃伟哲;洪建州
受保护的技术使用者：联发科技股份有限公司
文档号码：201510310482
技术研发日：2015.06.08
技术公布日：2016.12.07