1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供包括若干有源区和将相邻有源区隔开的隔离区的基底，所述基底表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的有源区基底内形成有源漏区，所述基底表面以及栅极结构表面形成有层间介质层；
在所述栅极结构表面以及层间介质层表面形成第一掩膜层；
在所述第一掩膜层表面形成第二掩膜层，且所述第二掩膜层的材料与第一掩膜层的材料不同；
在所述第二掩膜层表面形成若干分立的第一图形层，所述第一图形层投影于栅极结构顶部表面的图形至少铺满栅极结构顶部表面，相邻第一图形层之间具有第一开口，所述第一开口的图形贯穿所述源漏区和位于相邻源漏区之间的隔离区；
以所述第一图形层为掩膜，刻蚀所述第二掩膜层直至暴露出第一掩膜层表面；
去除所述第一图形层；
在所述暴露出的第一掩膜层表面和刻蚀后第二掩膜层表面形成若干分立的第二图形层，所述第二图形层位于相邻源漏区之间的隔离区正上方，且所述第二图形层暴露出的区域与有源区一致；
以所述第二图形层为掩膜，刻蚀所述暴露出的第一掩膜层直至暴露出层间介质层顶部表面；
去除所述第二图形层；
以刻蚀后第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层直至暴露出源漏区表面，在所述层间介质层内形成接触通孔；
在所述接触通孔暴露出的源漏区表面形成金属硅化物层。
2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离区内形成有隔离层，所述第二图形层位于部分隔离层正上方。
3.如权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一开口位 于所述部分隔离层正上方，还位于紧挨所述部分隔离层的源漏区正上方。
4.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底包括：衬底；位于衬底表面的若干分立的鳍部；位于所述衬底表面的隔离层，所述隔离层覆盖鳍部的部分侧壁表面，且所述隔离层顶部低于鳍部顶部；其中，所述栅极结构横跨所述鳍部，且所述栅极结构位于部分隔离层表面、以及鳍部的侧壁和顶部表面，所述源漏区位于所述栅极结构两侧的鳍部内。
5.如权利要求4所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述鳍部的数量大于1，且若干鳍部平行排列，所述栅极结构横跨至少一个鳍部。
6.如权利要求5所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述若干第一图形层的排列方向与鳍部排列方向相互垂直，且所述第一开口的图形贯穿至少一个鳍部内的源漏区。
7.如权利要求4所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的数量大于1，且若干栅极结构平行排列，所述若干栅极结构的排列方向与第一图形层排列方向相互平行，所述若干栅极结构的排列方向与第二图形层排列方向相互平行，每一栅极结构横跨至少一个鳍部。
8.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述若干第一图形层平行排列；所述若干第二图形层平行排列。
9.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氮化钛或氮化钽；所述第二掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氮化钛或氮化钽。
10.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氮化钛或氮化钽；所述第二掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或碳氮化硅。
11.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述源漏区内还形成有应力层，所述应力层的材料为碳化硅或锗化硅。
12.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述金属硅 化物层的工艺步骤包括：形成覆盖所述接触通孔底部和侧壁表面、以及层间介质层表面的金属层；对所述金属层进行退火处理，使金属层的材料与源漏区材料发生反应，形成所述金属硅化物层；去除未发生反应的金属层。
13.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物层的材料为硅化镍。
14.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一图形层的材料为光刻胶，形成所述第一图形层的工艺步骤包括：在所述栅极结构表面以及层间介质层表面涂布光刻胶膜；对所述光刻胶膜进行曝光处理以及显影处理，形成所述第一图形层。
15.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二图形层的材料为光刻胶，形成所述第二图形层的工艺步骤包括：在所述暴露出的第一掩膜层表面以及刻蚀后第二掩膜层表面涂布光刻胶膜；对所述光刻胶膜进行曝光处理以及显影处理，形成所述第二图形层。
16.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供包括若干有源区和将所述有源区隔离开的隔离区的基底，所述基底表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的有源区基底内形成有源漏区，所述基底表面以及栅极结构表面形成有层间介质层；
在所述栅极结构表面以及层间介质层表面形成第一掩膜层；
在所述第一掩膜层表面形成第二掩膜层，且所述第二掩膜层的材料与第一掩膜层的材料不同；
在所述第二掩膜层表面形成若干分立的第二图形层，所述第二图形层位于相邻源漏区之间的隔离区正上方，且所述第二图形层暴露出的区域与有源区一致；
以所述第二图形层为掩膜，刻蚀所述第二掩膜层直至暴露出第一掩膜层表面；
去除所述第二图形层；
在所述暴露出的第一掩膜层表面以及刻蚀后第二掩膜层表面形成若干分 立的第一图形层，所述第一图形层投影于栅极结构顶部表面的图形至少铺满栅极结构顶部表面，相邻第一图形层之间具有第一开口，所述第一开口的图形贯穿所述源漏区和位于相邻源漏区之间的隔离区；
以所述第一图形层为掩膜，刻蚀所述暴露出的第一掩膜层直至暴露出层间介质层顶部表面；
去除所述第一图形层；
以刻蚀后第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层直至暴露出源漏区表面，在所述层间介质层内形成接触通孔；
在所述接触通孔暴露出的源漏区表面形成金属硅化物层。
17.如权利要求16所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离区内形成有隔离层，所述第二图形层位于部分隔离层正上方。
18.如权利要求17所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一开口位于所述部分隔离层正上方，还位于紧挨部分隔离层的源漏区正上方。
19.如权利要求16所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氮化钛或氮化钽；所述第二掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氮化钛或氮化钽。
20.如权利要求16所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底包括：衬底；位于衬底表面的若干分立的鳍部；位于所述衬底表面的隔离层，所述隔离层覆盖鳍部的部分侧壁表面，且所述隔离层顶部低于鳍部顶部；其中，所述栅极结构横跨所述鳍部，且所述栅极结构位于部分隔离层表面、以及鳍部的侧壁和顶部表面，所述源漏区位于所述栅极结构两侧的鳍部内。