1.一种RB-IGBT芯片的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底包括有划片区；
对所述划片区进行P型掺杂，形成预设深度的P型隔离区；
采用激光划片工艺沿所述P型隔离区进行划片，以得到所述RB-IGBT芯片。
2.根据权利要求1所述的RB-IGBT芯片的制作方法，其特征在于，对所述划片区进行P型掺杂包括：
采用光刻工艺在所述衬底具有所述划片区的表面制备掩膜层，其中，所述掩膜层对应所述划片区的区域为镂空区域；
采用掺杂工艺对所述划片区进行P型掺杂。
3.根据权利要求2所述的RB-IGBT芯片的制作方法，其特征在于，所述掺杂工艺为离子注入工艺。
4.根据权利要求1所述的RB-IGBT芯片的制作方法，其特征在于，所述P型掺杂为硼离子掺杂。
5.根据权利要求1所述的RB-IGBT芯片的制作方法，其特征在于，采用激光划片工艺沿所述P型隔离区进行划片包括：
采用激光划片工艺沿所述P型隔离区在其宽度方向的对称轴进行划片。
6.一种RB-IGBT芯片，其特征在于，所述RB-IGBT芯片采用权利要求1～5任意一项所述的RB-IGBT芯片的制作方法制作而成。