技术总结
本发明公开了一种RB-IGBT芯片的制作方法及RB-IGBT芯片，当对衬底的正面结构和背面结构均制备完毕后，对衬底的正面的划片区进行P型掺杂，以得到一预设深度的P型隔离区，而后采用激光划片工艺沿P型隔离区进行划片，由于激光产生高温，使得P型隔离区熔化，并在重力作用下向衬底的背面流动，以覆盖RB-IGBT芯片的侧面，进而随着激光的划片，形成包裹RB-IGBT芯片侧面的隔离层。相较于现有技术，本发明提供的技术方案，不仅耗时短，提高了制作效率，而且浪费小，降低了制作成本，且节省了资源。
技术研发人员：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽
受保护的技术使用者：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
文档号码：201510770347
技术研发日：2015.11.12
技术公布日：2017.05.24