技术总结
目的在于，提供可在宽的温度范围高灵敏度地检测因单电池的膨胀引起的密闭型二次电池的变形的密闭型二次电池的变形检测传感器、密闭型二次电池、及密闭型二次电池的变形检测方法，在具备高分子基质层和检测部的密闭型二次电池的变形检测传感器中，将高分子基质层设为分散并含有根据该高分子基质层的变形而使外场变化的填料，检测部设为检测外场的变化，高分子基质层的玻璃化转变温度(Tg)设为‑30℃以下。
技术研发人员：福田武司;太田贵启
受保护的技术使用者：东洋橡胶工业株式会社
文档号码：201580027716
技术研发日：2015.06.10
技术公布日：2017.02.15