技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供具有PMOS区的半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅极结构以及位于栅极结构两侧的侧壁结构；在半导体衬底上形成掩膜层，覆盖栅极结构和侧壁结构；图案化所述掩膜层，以在侧壁结构的外侧形成掩膜侧墙；在露出的PMOS区的栅极结构两侧的半导体衬底中形成嵌入式锗硅层；去除所述掩膜侧墙；将半导体衬底置于清洗槽中进行快速冲洗，并快速排空清洗槽，以有效清除形成嵌入式锗硅时在晶圆中形成的缺陷。根据本发明，可以有效清除实施嵌入式锗硅工艺时在晶圆中形成的缺陷，提升产品良率。
技术研发人员：梁海慧
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.06.03
技术公布日：2017.12.12